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  • 1. Republica Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular para la Educación I.U.T Antonio José de Sucre Extensión Maracaibo Jfet y mosfet Realizado por: Victor porras 26.335.720 Electricidad #70
  • 2. Jfet y Mosfet • El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo electrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. • El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura • Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S)
  • 3. Jfet y Mosfet • MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. • Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. • Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos • integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. • • Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. •
  • 6. polarización • Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal deCA que entra por el graduador produce variaciones arriba yabajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque asíse puede polarizar y se puede utilizar este circuito en dondeel graduador y el surtidor no necesitan voltaje.