FISICA ELECTRONICA
SEMICONDUCTOR 
 
DEFINICION 
Es un elemento que se comporta como un conductor o como 
aislante dependiendo de diversos factores , como por Ejem: 
el campo eléctrico o magnético , la presión ,la radicación que 
le incide ,o la temperatura del ambiente en el que se 
encuentre .los elementos químicos semiconductores de la 
tabla periódica se indican en la tabla adjunta. El elemento 
mas usado es el silicio ,el segundo el germanio 
.posteriormente se ha comenzado a emplear también el 
azufre .la características común a todos ellos es que son 
tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica 
s2 p2.
SEMICONDUCTORES 
 
SEMICONDUCTORES DE LA TABLA PERIODICA 
QUMICA
SEMICONDUCTORES 

SEMICONDUCTORES 

SEMICONDUCTORES 

SEMICONDUCTOR 
 
SEMICONDUCTOR INTRINSECO 
Como se puede observar en la 
induración , en el caso de los 
semiconductores el espacio 
correspondiente a la banda prohibida 
es mucho mas estrecho en 
comparación con los materiales 
aislantes . La energía de salto de 
banda (Eg)requerida por los 
electrones para saltar de la banda de 
valencia a la de conducción es de 1eV 
aproximadamente .en los 
semiconductores de silicio (SI),la 
energía de salto de banda requerida 
por los electrones es de 1,21 eV, 
mientras que en los de 
germanio(Ge)es de 0,785eV.
SEMICONDUCTORES 
 
Estructura cristalina de u semiconductor intrínseco 
compuesta solamente por átomos de silicio (si) que 
forman una celosía ,como se puede observar en la 
ilustración ,los átomos de silicio (que solo poseen 
cuatro electrones en la ultima orbita o banda de 
valencia ), se unen formando enlaces covalentes para 
completar 8 electrones y crear así un cuerpo solido 
semiconductor .en esos condiciones el cristal de silicio 
se comportara igual que si fuera un cuerpo aislante
SEMICONDUCTORES 
 
SEMICONDUCTORES DOPADOS 
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades 
conductoras de un semiconductor es muy pequeña cuando se agregan un pequeño 
numero de átomos )entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan 
mucho mas átomos (en el orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es 
alto o pesado .este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de 
tipo N, o P + para material de tipo P. 
Tipo N: 
Se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la aparición de 
electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes 
ya que «donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsénico y el 
fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo 
introducido al semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que 
huecos ,por lo que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los 
minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones directa de la calidad 
de átomos de impureza introducidos.
SEMICONDUCTORES 
 
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo (dopaje 
N). En el caso del fosforó ,se dona un electrón
SEMICONDUCTORES 
 
Tipo P: 
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que 
permiten formación de huecos sin que aparescan electrones 
asociados a los mismos , como ocurre al romperse una ligadura . 
Los átomos de este tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o 
toman un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio 
,el indio o el galio .nuevamente .el átomo introduciendo es neutro 
,por lo que no modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero 
debido a que solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , 
a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de 
los átomos próximos ,generando finalmente mas huecos que 
electrones , por lo que los primeros serán los portadores 
mayoritarios y los segundos los minoritarios
SEMICONDUCTORES 
 
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). 
En el caso del boro le falta un electrón y ; por tanto .es 
donado un hueco de electrón.

Semiconductores

  • 1.
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    SEMICONDUCTOR  DEFINICION Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo eléctrico o magnético , la presión ,la radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente en el que se encuentre .los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta. El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre .la características común a todos ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica s2 p2.
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    SEMICONDUCTORES  SEMICONDUCTORESDE LA TABLA PERIODICA QUMICA
  • 4.
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    SEMICONDUCTOR  SEMICONDUCTORINTRINSECO Como se puede observar en la induración , en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho mas estrecho en comparación con los materiales aislantes . La energía de salto de banda (Eg)requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1eV aproximadamente .en los semiconductores de silicio (SI),la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio(Ge)es de 0,785eV.
  • 8.
    SEMICONDUCTORES  Estructuracristalina de u semiconductor intrínseco compuesta solamente por átomos de silicio (si) que forman una celosía ,como se puede observar en la ilustración ,los átomos de silicio (que solo poseen cuatro electrones en la ultima orbita o banda de valencia ), se unen formando enlaces covalentes para completar 8 electrones y crear así un cuerpo solido semiconductor .en esos condiciones el cristal de silicio se comportara igual que si fuera un cuerpo aislante
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    SEMICONDUCTORES  SEMICONDUCTORESDOPADOS El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado .este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de tipo P. Tipo N: Se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.
  • 10.
    SEMICONDUCTORES  Esun ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo (dopaje N). En el caso del fosforó ,se dona un electrón
  • 11.
    SEMICONDUCTORES  TipoP: Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten formación de huecos sin que aparescan electrones asociados a los mismos , como ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de los átomos próximos ,generando finalmente mas huecos que electrones , por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios
  • 12.
    SEMICONDUCTORES  Unejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso del boro le falta un electrón y ; por tanto .es donado un hueco de electrón.