Un semiconductor intrínseco es un material semiconductor puro sin impurezas. Contiene la misma cantidad de electrones en la banda de conducción que de huecos en la banda de valencia. Al elevar la temperatura, los electrones se liberan de los enlaces atómicos y saltan a la banda de conducción, permitiendo la conducción eléctrica. La adición de pequeñas cantidades de impurezas ("dopaje") altera las propiedades eléctricas del semiconductor.

2. Un semiconductor es “intrínseco” cuando
se encuentra en estado puro, es
decir, que no contiene ninguna impureza

3. Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando
se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que
dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la
banda de conducción.

4. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de
un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los
enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de
conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un
átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se
estimule con el paso de una corriente eléctrica.

5. Como se puede observar en la ilustración, en el caso
de los semiconductores el espacio correspondiente a
la banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía
de salto de banda (Eg) requerida por los electrones
para saltar de la banda de valencia a la de conducción
es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores
de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los
de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

6. Estructura cristalina de un semiconductor
intrínseco, compuesta solamente por átomos de silicio
(Si) que forman una celosía. Como se puede observar
en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen
cuatro electrones en la última órbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para
completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio
se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

7. La adición de un pequeño porcentaje de
átomos extraños en la red cristalina
regular de los semiconductores.

8. Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o
del germanio se le introduce cierta alteración, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la
corriente eléctrica por su cuerpo en una sola
dirección.
Silicio Germanio

9. La estructura molecular del semiconductor se dopa
mezclando los átomos de silicio o de germanio con
pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o
"impurezas".
Silicio Germanio

10. En la actualidad el elemento más utilizado para
fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrónica es el cristal de silicio

11. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio
(S) para fabricar diodos semiconductores en forma de
placas rectangulares, que combinadas y montadas en
una especie de eje se empleaban para rectificar la
corriente alterna y convertirla en directa.

12. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se
encuentran en estado puro, es decir, como elementos
intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden
a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar
una estructura cristalina.