Cuando se calienta un semiconductor intrínseco, algunos electrones se liberan de los enlaces atómicos y pasan a la banda de conducción, permitiendo que se muevan libremente por la red cristalina. El dopaje implica sustituir átomos de silicio por otros elementos, dando lugar a semiconductores de tipo P o N según el elemento utilizado.

2.  Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un
elemento semiconductor intrínseco, algunos de los
enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de
conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un
átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con
el paso de una corriente eléctrica.

3. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,
compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un
cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal
de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

4.  El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de
silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos
se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se
dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen
dos clases de semiconductores. Sentido del
movimiento de un electrón y un Semiconductor tipo
P hueco en el silicio

6.  http://www.uv.es/candid/docencia/ed_te
ma-02.pdf
 http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
 http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/materiales-
electronicos/contenido/MaterialesElectroni
cos/Tema_5_Dopado.pdf
 http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_%28se
miconductores%29
 http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Te
ma3.pdf