Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son puros y no contienen impurezas, mientras que los semiconductores dopados contienen pequeñas cantidades de impurezas que añaden electrones (tipo N) o huecos (tipo P), creando portadores de carga mayoritarios y minoritarios. El silicio y el germanio son los semiconductores más comunes, con bandas prohibidas de aproximadamente 1 eV que les permiten comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como el campo

1. semiconductores
intrínsecos y los
semiconductores dopados
FÍSICA ELECTRÓNICA
DOCENTE : RAUL REATEGUI
PRESENTADO POR:
DANIEL MANGO

2. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de
diversos factores , como por Ejem: el campo
eléctrico o magnético , la presión ,la radicación
que le incide ,o la temperatura del ambiente en el
que se encuentre .los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican
en la tabla adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el
germanio .posteriormente se ha comenzado a
emplear también el azufre .la características
común a todos ellos es que son tetralentes
,teniendo el silicio una configuración electrónica
s2 p2.

6. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro
de su estructura . En ese caso , la calidad de huecos que
dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida sea igual a la cantidad de electrones
libres que se encuentran presentes en la banda de
conclusión

7. Semiconductores intrínsecos :
Como se puede observar en la induración , en el
caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
mas estrecho en comparación con los materiales
aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conducción es de
1eV aproximadamente .en los semiconductores
de silicio (SI),la energía de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio(Ge)es de
0,785eV.

8. Semiconductor intrínsecos:
Estructura
cristalina
de
u
semiconductor intrínseco compuesta
solamente por átomos de silicio (si)
que forman una celosía ,como se
puede observar en la ilustración ,los
átomos de silicio (que solo poseen
cuatro electrones en la ultima orbita o
banda
de valencia ), se unen
formando enlaces covalentes para
completar 8 electrones y crear así un
cuerpo solido semiconductor .en esos
condiciones el cristal de silicio se
comportara igual que si fuera un
cuerpo aislante

9. Semiconductores dopados:
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una
diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es
muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos
)entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se
agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada
10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado
.este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
«donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el
arsénico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la
neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor
original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los
minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones
directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

11. Semiconductores dopados : Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de
impureza que permiten formación de huecos sin que
aparescan electrones asociados a los mismos , como
ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este
tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman
un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el
aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el átomo
introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la
neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que
solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia
, a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar
electrones s de los átomos próximos ,generando
finalmente mas huecos que electrones , por lo que los
primeros serán los portadores mayoritarios y los
segundos los minoritarios

13. FUENTE DE INFORMACION:
 .wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos
 http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke
http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
 http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
 http://es _semiconducto
 Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
 http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29
 http://www.sabelotodo.org/materia/enlaces.html