Un semiconductor es intrínseco cuando se encuentra en estado puro, sin impurezas. Cuando se calienta un semiconductor intrínseco, los electrones se liberan de los enlaces atómicos y saltan a la banda de conducción, permitiendo el movimiento de electrones libres. Los semiconductores tienen una pequeña brecha de energía entre la banda de valencia y conducción que les permite conducir electricidad cuando se estimulan térmicamente. Los semiconductores pueden volverse extrínsecos mediante la adición de pequeñas cantidades de impurezas atómic

2. 
SEMICODUCATORES
INTRINSECOS
Un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado
puro, es decir, que no contiene ninguna impureza

3. Se dice que un semiconductor es “intrínseco”
cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la
banda de valencia al atravesar la banda prohibida
será igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción.

4. Cuando se eleva la temperatura de la red
cristalina de un elemento semiconductor
intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se
rompen y varios electrones pertenecientes a la
banda de valencia se liberan de la atracción que
ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción
y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de
un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor
se estimule con el paso de una corriente eléctrica.

5. Como se puede observar en la ilustración, en el
caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
más estrecho en comparación con los materiales
aislantes. La energía de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conducción es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de
silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en
los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

6. Estructura cristalina de un semiconductor
intrínseco, compuesta solamente por átomos de
silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede
observar en la ilustración, los átomos de silicio
(que sólo poseen cuatro electrones en la última
órbita o banda de valencia), se unen formando
enlaces covalente para completar ocho electrones
y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En
esas condiciones el cristal de silicio se comportará
igual que si fuera un cuerpo aislante.

7. 
SEMICONDUCTORES
DOPADOS
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red
cristalina regular de los semiconductores.

8. Cuando a la estructura molecular cristalina del
silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores
permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección.
Silicio Germanio

9. La estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de
germanio con pequeñas cantidades de átomos de
otros elementos o "impurezas".
Silicio Germanio

10. En la actualidad el elemento más utilizado para
fabricar semiconductores para el uso de la
industria electrónica es el cristal de silicio

11. Durante mucho tiempo se empleó también el
selenio (S) para fabricar diodos semiconductores
en forma de placas rectangulares, que combinadas
y montadas en una especie de eje se empleaban
para rectificar la corriente alterna y convertirla en
directa.

12. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge)
cuando se encuentran en estado puro, es
decir, como elementos intrínsecos, los electrones
de su última órbita tienden a unirse formando
"enlaces covalentes", para adoptar una estructura
cristalina.