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Transistores

Por: Nestor Gutierrez Huaman
Fabricante Fairchild
Fabricante Fairchild
•   Transistor de potencia MOSFET
    Fairchild Semiconductor
•   Descripción general
    El FDS8672S se diseña para substituir un solos MOSFET y diodo de Schottky en fuentes de alimentación síncronas
    de DC/DC. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de energía, proporcionando un rDS
    bajo (encendido) y la carga baja de la puerta. El FDS8672S incluye una combinación patentada de un MOSFET
    integrado monolítico con un diodo de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.
    Características
    - rDS máximo (encendido) = 4.8mOhm en VGS = 10V, identificación = 18A
    - rDS máximo (encendido) = 7.0mOhm en VGS = 4.5V, identificación = 15A
    - Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky
    - Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido) y la conmutación rápida
    - Poder más elevado y capacidad de dirección actual
    - Rg 100% (resistencia de la puerta) probado
    - La terminación es sin plomo y RoHS obediente
    Usos
    - Rectificador síncrono para los convertidores de DC/DC
    - Interruptor lateral bajo de Vcore del cuaderno
    - Punto del interruptor lateral bajo de la carga General Descripción.
Fabricante ROHM
Transistor de potencia
                       ROHM Semiconductor
•   Rohm ofrece una selección amplia de MOSFET que se extienden del dispositivo ultrabajo de la En-
    resistencia que utiliza la tecnología del microtratamiento para el teléfono móvil, dispositivo alto-
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  • 3. Fabricante Fairchild • Transistor de potencia MOSFET Fairchild Semiconductor • Descripción general El FDS8672S se diseña para substituir un solos MOSFET y diodo de Schottky en fuentes de alimentación síncronas de DC/DC. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de energía, proporcionando un rDS bajo (encendido) y la carga baja de la puerta. El FDS8672S incluye una combinación patentada de un MOSFET integrado monolítico con un diodo de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild. Características - rDS máximo (encendido) = 4.8mOhm en VGS = 10V, identificación = 18A - rDS máximo (encendido) = 7.0mOhm en VGS = 4.5V, identificación = 15A - Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky - Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido) y la conmutación rápida - Poder más elevado y capacidad de dirección actual - Rg 100% (resistencia de la puerta) probado - La terminación es sin plomo y RoHS obediente Usos - Rectificador síncrono para los convertidores de DC/DC - Interruptor lateral bajo de Vcore del cuaderno - Punto del interruptor lateral bajo de la carga General Descripción.
  • 5. Transistor de potencia ROHM Semiconductor • Rohm ofrece una selección amplia de MOSFET que se extienden del dispositivo ultrabajo de la En- resistencia que utiliza la tecnología del microtratamiento para el teléfono móvil, dispositivo alto- eficiente/de la avería para cambiar propósito y hasta el dispositivo de energía para los varios usos.