El documento describe el transistor bipolar de unión (BJT). Un BJT está formado por tres regiones dopadas alternativamente (npn o pnp) que permiten la captación y emisión de portadores entre uniones polarizadas directa e inversamente. Un BJT tiene tres terminales (emisor, base y colector) y opera en cuatro modos dependiendo de la polarización de sus uniones p-n.

2. Transistor BJT Introducción
Transistor bipolar de unión (BJT = Bipolar Junction Transistor)
 Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:
npn (o pnp)
 Acción transistor: Captación de portadores mayoritarios procedentes de una unión
p-n polarizada en directa que los emite por otra unión p-n inversamente polarizada y
muy cercana a la anterior
 Dos tipos:
BJT npn BJT pnp

3. Transistor BJT Introducción
 Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector
 No es simétrico: la concentración de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C
 La región central (B) es estrecha
 Sólo 2 tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)
17
10~DN
15
10~DN
16
10~AN
μm5~1 μm10~5
μm1.0~

4. ZAD
SATURACIÓN
DIRECTA
ZAI
SATURACIÓN
INVERSA
CORTE
CORTE
Transistor BJT Introducción
 4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n
BJT npn

5. Transistor MOS Ecuaciones I-V
=DI
TGS VV <,0
TGSDSTGSDSDSTGS VVVVVVVVVK −≤≥





−− ,,
2
1
)( 2
ohm
TGSDSTGSTGS VVVVVVVK −≥≥− ,,)( 2
sat
DI
D
S
G
+
−
GSV −
+
DSV
Modelo circuital
genérico
( )DSGSD VVfI ,=
DI
GSV
DSV
−
+
+
D
G
S
Corte
Óhmica
Saturación
DI
TGSDS VVV −=
GSV↑
TGS VV =
CORTE
ÓHMICA
LINEALo
DSV
SATURACIÓN

6. Transistor MOS Comportamiento en gran señal
Equivalentes circuitales en SATURACIÓN
Movimiento alrededor del punto de operación
Punto de
operación
Gran señal
Pequeña
señal
+
)()( tvVtV GSQGSGS ∆+=
<<∆∆ )(,)(con tvti GSD
)()( tiItI DQDD ∆+=
)(tID
−
+
)(tVGS
[ ]2
sat )( TGS VtVK −
DQI
−
+
GSQV
( )2
sat TGSQ VVK −
)(tiD∆
−
+
)(tvGS∆
)(tvg GSm ∆⋅
( )TGSQ
QGS
D
m VVK
V
I
g −== sat2
d
d

7. D
DS
D
R
tv
ti
)(
)(
∆
−=∆
)()( tvtv GSi ∆=
GSQGG VV =
D
DSQDD
DQ
R
VV
I
−
=
Transistor MOS Ejemplo de amplificador
(1) Punto de operación:
( )2
sat TGSQ VVK −
DQI
GSQV
+
GGV
DDV
DR
−
( )2
sat TGSQDQ VVKI −=
Asumiendo SAT: Recta de carga:Recta de carga:
GGV
)(tvi
DR
DDV
)(tVGS
)(tVDS
)(tID
(2) Pequeña señal:
)()( m tvgti GSD ∆⋅=∆
)()( m tvRgtv iDDS ⋅−=∆
Factor de amplificación
(Ganancia en peq. señal)
)(tvg GSm ∆⋅
)(tiD∆
)(tvGS∆
+
DR
−
)(tvi
( )TGSQm VVKg −= sat2