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Subido porJesus Moises Salvatierra
Transistores
El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares, FET, MOSFET, fototransistores, y transistores de contacto puntual. Explica sus estructuras, características y usos principales. También proporciona fichas técnicas de cada tipo de transistor.
Transistores
- 1. TRANSISTORES Elaborados por millonesde transistores Estudiante: Salvatierra Cabezas Jesús Moisés Especialidad: Ingeniería de Sistemas e Informática Docente: Rojas Reategui Raúl
- 2. COMPAÑIAS QUE VENDENDISPOSITIVOS ELECTRONICOS AG Electrónica S.A . de C.V Componentes profesionales. AD Electronics S.A. Aiko Int. A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA. ALFALED. ASC ELECTRONICA S.A.
- 3. TRANSISTOR • Es undispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
- 4. TIPOS DE TRANSISTORES TRANSISTOR JFET TRANSISTOR MOSFET FOTOTRANSISTOR TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
- 5. TRANSISTORES FET Lostransistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
- 6. La figura muestrael croquis de un FET con canal N CANAL P
- 7. TRANSISTORES DE UNIÓNFET (JFET) • (Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unión de Efecto de Campo ) • El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". • En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor. Canal N Canal P
- 8. CURVA CARACTERISTICA • • • • • Tiene unaresistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador(interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiación. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
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- 10. TRANSISTORES MOSFET Con tresterminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S“ • vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en éste, el movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del inglés, Juntion Field Effect Transistor). • El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.
- 11. CARACTERISTICAS • Constructiva comúna todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia
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- 13. Tipo Empobrecimiento N TipoEmpobrecimiento P Tipo Enriquecimiento N Tipo Enriquecimiento P
- 14. LA ESTRUCTURA MOS. La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa deOxido de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula, como se ve en la figura.
- 15. FOTOTRANSISTORES • Fototransistores Losfototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, están compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. • Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento optoelectrónica, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más o menos luz.
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- 18. TRANSISTOR DE CONTACTOPUNTUAL • Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que sea poyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
- 19. CARACTERISTICAS • Consta deuna base de germanio , semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre óxido de cobre , sobre la que se apoyan , muy juntas , dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector .La corriente de base es capaz de modular la resistencias que se “ve “ en el colector , de ahí el nombre de “transfer resistor” .
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- 21. TRANSISTORES DE UNIÓNBIPOLAR El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar Y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo. La importancia de estos dispositivos son únicos en campo de la electrónica.
- 22. EL EMISOR YLA BASE COLECTOR Los transistores en principio es similar a dos diodos Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso . Transistor común PNP Transistor común NPN Transistor NPN Con unión en la capsula Transistor multiemisor
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- 24. CONCLUSION Los transistoresson unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores. Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.
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