practica 1

1. Universidad Católica de Santa María
Escuela profesional de ingeniera Mecánica, Mecánica Eléctrica
y Mecatrónica
Electrónica de Potencia
PRACTICA Nº1
“Caracterización de diodos de potencia”
Integrantes:
Renzo Suclla Medina
Bryan Reyes Lujan Ghersi
Grupo 1
Arequipa
2019

2. Marco Teórico
Procedimiento
CaracterizaciónEstática
1. PolarizaciónDirecta
Montar el circuito de la figura 1, con los diodos polarizadosdirectamente. Variando la
tensiónde alimentaciónVi de 0 a 10V, en incrementosde 0.5V, anotar en cada caso el
puntode trabajo (Id,Vd) que permitatrazar la característica estáticapara cada tipode
diodo. El valor de R1 ha de ser 100Ω
- Diodode red: 1N4007
V1(V) Vd(V) Vr(V) Id(mA)
0.00 0.00 0.00 0.00
0.50 0.50 0.00 0.00
1.00 0.66 0.34 0.00
1.50 0.69 0.81 0.00
2.00 0.71 1.29 10.00
2.50 0.72 1.78 10.00
3.00 0.73 2.27 20.00
3.50 0.74 2.76 20.00
4.00 0.75 3.25 30.00
4.50 0.76 3.75 30.00
5.00 0.76 4.24 40.00
5.50 0.76 4.74 40.00
6.00 0.77 5.24 50.00
6.50 0.77 5.73 50.00
7.00 0.77 6.23 60.00
7.50 0.78 6.73 60.00
8.00 0.78 7.22 70.00
8.50 0.78 7.72 70.00
9.00 0.79 8.22 80.00
9.50 0.79 8.71 80.00
10.00 0.79 9.21 90.00

3. - Diodode Schottkyde potencia 10BQ015
V1 (V) Vd (V) Vr (V) Id (mA)
0.00 0.00 0.00 0.00
0.50 0.50 0.00 0.00
1.00 0.68 0.32 0.00
1.50 0.71 0.79 0.00
2.00 0.72 1.28 10.00
2.50 0.73 1.77 10.00
3.00 0.74 2.26 20.00
3.50 0.74 2.76 20.00
4.00 0.75 3.25 30.00
4.50 0.75 3.75 30.00
5.00 0.75 4.25 40.00
5.50 0.76 4.75 40.00
6.00 0.76 5.24 50.00
6.50 0.76 5.74 50.00
7.00 0.76 6.24 60.00
7.50 0.76 6.74 60.00
8.00 0.77 7.23 70.00
8.50 0.77 7.73 70.00
9.00 0.77 8.23 80.00
9.50 0.77 8.73 80.00
10.00 0.77 9.23 90.00

4. - Diodode PotenciaBYW29-200
V1
(V)
Vd
(V)
Vr
(V)
Id
(mA)
0.00 0.00 0.00 0.00
0.50 0.38 0.12 0.00
1.00 0.45 0.55 0.00
1.50 0.48 1.02 0.00
2.00 0.50 1.50 0.00
2.50 0.51 1.99 0.00
3.00 0.52 2.48 0.00
3.50 0.53 2.97 0.00
4.00 0.53 3.47 0.00
4.50 0.54 3.96 0.00
5.00 0.55 4.45 0.00
5.50 0.55 4.95 0.00
6.00 0.56 5.44 0.00
6.50 0.56 5.94 0.00
7.00 0.56 6.44 0.00
7.50 0.57 6.93 0.00
8.00 0.57 7.43 0.00
8.50 0.57 7.93 0.00
9.00 0.58 8.42 0.00
9.50 0.58 8.92 0.00
10.00 0.58 9.42 0.00

5. 2. Polarizacióninversa: corriente inversade saturación
Determinar la resistencia interna equivalente para polarización inversa para cada uno
de los diodos midiendo la corriente inversa para dos tensiones (10V y 20V) en el
esquema de la figura 1.
Debido al reducido valor de Io (corriente inversa de saturación), realizar la medida
ensayando con resistencias serie de alto valor (100K, 1M), Anotar también el valor de
Io.Comprobar la variación de Io con la temperatura calentando el diodo con un dedo
a) Dibujar la recta que describe el funcionamiento del diodo de red en polarización
inversa. Indicar los valores de tensión que caen en el diodo y en la resistencia en
amboscasos. Calcularlacorriente inversa de polarización y la resistencia inversa.
Para una resistencia de 100 Ohm Y 10V
ID 0A
VD 10V
VR 0V
Para una resistencia de 100 Ohm Y 20V
ID 0A
VD 20V
VR 0V
Para una resistencia de 100k Ohm Y 10V
ID 0A
VD 9.99V
VR 0.01V
Para una resistencia de 100k Ohm Y 20V
ID 0A
VD 20V
VR 0.02V
Para una resistencia de 1MOhm Y 10V
ID 0A
VD 9.90V
VR 0.09V
Para una resistencia de 1MOhm Y 20V
ID 0A
VD 19.8V
VR 0.20V
b) Dibujar la recta que describe el funcionamiento del diodo de Schottky en
polarización inversa. Indicar los valores de tensión que caen en el diodo y en la
resistencia en ambos casos. Calcular la corriente inversa de polarización y la
resistencia inversa.
c) Dibujar la recta que describe el funcionamiento del diodo de potencia en
polarización inversa. Indicar los valores de tensión que caen en el diodo y en la

6. resistencia en ambos casos. Calcular la corriente inversa de polarización y la
resistencia inversa.
Para una resistencia de 100 Ohm Y 10V
ID 0A
VD 10V
VR 0V
Para una resistencia de 100 Ohm Y 20V
ID 0A
VD 20V
VR 0V
Para una resistencia de 100K Ohm Y 10V
ID 0A
VD 9.99V
VR 0.01V
Para una resistencia de 100K Ohm Y 20V
ID 0A
VD 20V
VR 0.02V
Para una resistencia de 1MOhm Y 10V
ID 0A
VD 10V
VR 0V
Para una resistencia de 1MOhm Y 20V
ID 0A
VD 9.90V
VR 0.10V
Debidoal trabajoen zonainversa,lacorriente entodosloscasostiende a0 y el voltaje
varía ligeramente,sinembargo,al nollegarala zona de ruptura,nuestrasgraficas
tiendenasermínimasy parecidasentodosloscasos.

7. Caracterización dinámica: tiempo de recuperación inversa
Utilizandoel generadorde señal,seleccionarformade ondacuadrada de amplitud10Vppy
montar el circuitode conmutaciónde lafigura2. Representarlasformasde ondade la tensión
enla resistenciaparalosdiferentesdiodosparafrecuencias de 10kHz y 100 kHz.Determinarel
tiempode recuperacióninversade losdiferentesdiodos.
Circuito1: usandoel diodode red se compruebael tiempode recuperaciónprimeroconuna
frecuenciade 10kHz y despuésde 100kHz.
Con una frecuencia de 10 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 4µS

8. Con una frecuencia de 100 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 2µS
Con forme aumenta la frecuencia el tiempo de recuperación inversa se incrementa en
proporcióna dichafrecuenciaocasionandounadistorsiónde laonda.Enrelaciónala velocidad
de respuesta, el diodo de red presenta una respuesta relativamente rápida cuando recibe un
voltaje en polarización inversa, además presenta un pico de caída de voltaje inverso
moderadamente acentuado que se hace mas notorio con forme la frecuencia se agranda.
Circuito2: usandoel diodoSchottkyse compruebael tiempode recuperaciónprimeroconuna
frecuenciade 10kHz y despuésde 100kHz.
Con una frecuencia de 10 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 5µS

9. Con una frecuencia de 100 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 4µS
En el diodoSchottkyel tiempode respuestafue mayorque el diodode red,laondapresenta
una pequeñacrestaenlaregiónpositivaantesde estabilizarse porcompleto.Además,cuanto
más aumente lafrecuenciahabráunamayor distorsiónde laonda.
Circuito3: usandoel diodode potenciase compruebael tiempode recuperaciónprimerocon
una frecuenciade 10kHz y despuésde 100kHz.
Con una frecuencia de 10 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 5µS

10. Con una frecuencia de 100 kHz el tiempo de recuperación inversa fue de 2.2µS
El diodode potenciapresentountiempoderespuestaunpocomayorenrelaciónalafrecuencia,
conunavelocidadre de respuestamaslentaqueel diododered,peroconunabuenaestabilidad
de onda ya que no presenta perturbaciones de onda tan acentuadas.
CONCLUSIONES
 El diodo con mayor velocidad de respuesta fue el diodo de red.
 Con forme la frecuencia crece el tiempo de recuperación inversa también crece en
proporción a la frecuencia por lo que el tiempo en el que el diodo conduce corriente
inversase incrementa,ademásse comienzana hacer notoriaslas perturbacionesde la
onda.
 El diodo con una estabilidad mayor fue el diodo de red ya que su onda no presento
muchas perturbaciones a comparación de los otros.
 Se comprobóque losdiodosnobloqueancompletamentelacorrienteinversa,existeun
breve periodo de tiempo en que dicha corriente consigue circular y a medida que
frecuencia aumente esta corriente circulara por más tiempo.
 En la polarización inversa en DC, todas las corrientes de losdiodosson tan minúsculas
que tiendenacero,por loque para simplificarmuchoscálculosse laasume comocero.