1. Curvas características ideales del transistor bipolar
Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas características
que representan el comportamiento del transistor bipolar en régimen estacionario. Vamos a
considerar las características de entrada y de salida en las configuraciones de Base Común y de
Emisor Común.
A. Características en Base Común del transistor PNP
IC (mA)
VCB (Volts)
IE = 3 mA
IE = 2 mA
IE = 1 mA
IE = 4 mA
1
2
3
4
+1 0 -2 -4 -6
IE = 0 mA
Saturación
Zona activa
CorteICBO
Características de entrada del
transistor PNP en Base Común
Características de salida del transistor
PNP en Base Común
-
-
-
VEB (V)
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
(entrada) (salida)
+
-

2. B. Características en Emisor Común del transistor PNP
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 -2 -4 -6
Saturación
Zona activa
CorteICEO
Características de entrada del
transistor PNP en Emisor Común
Características de salida del transistor
PNP en Emisor Común
B
C
E
+
-
IB
IE
IC
VCE
E
VBE
+
-
VBE (V)

3. C. Características en Base Común del transistor NPN
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
(entrada) (salida)
+
-
IC (mA)
VCB (Volts)
IE = 3 mA
IE = 2 mA
IE = 1 mA
IE = 4 mA
1
2
3
4
-1 0 2 4 6
IE = 0 mA
Saturación
Zona activa
CorteICBO
Características de entrada del
transistor NPN en Base Común
Características de salida del transistor
NPN en Base Común
VEB (V)- - - - -

4. D. Características en Emisor Común del transistor NPN
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 2 4 6
Saturación
Zona activa
CorteICEO
B
C
E
+
-
IB
IE
IC
VCE
E
VBE
+
-
Características de entrada del
transistor NPN en Emisor Común
Características de salida del transistor
NPN en Emisor Común

5. Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Emisor Común
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 -2 -4-0,2 V
Saturación
Zona activa
Corte
VBE
IB
-0,7 V
E
B
C
E
+
-
IB
IE
VCE
VBE
+
-
IC
Zona activa
VBE<0 VCE<0 IB,IC>0
VBE ≈ -0,7 V
IC ≈ βFIB
VCE < -0,2 V
( |VCE|> 0,2 V)
Zona de saturación
(directa)
VCE<0 IB,IC>0
VBE ≈ -0,8 V
IC < βFIB
VCE ≈ -0,2 V
Zona de corte
|VBE | < 0,7 V
IC ≈ 0
IC (mA)
VCB (V)
IE = 6 mA
IE = 4 mA
IE = 2 mA
IE = 8 mA
IE = 0 mA
2
4
6
8
0 -2 -4
Saturación
Zona activa
Corte
+0,7
VEB
IE
0,7 V
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
+
-
Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Base Común
Zona activa
VEB>0 VCB<0 IE, IC>0
VEB ≈ 0,7 V
IC ≈ αFIE
Zona de saturación
(directa)
VEB ≈ 0,8 V
IC < αF IE
VCB ≈ 0,7 V
Zona de corte
VEB < 0,7 V
IC ≈ 0

6. IC (mA)
VCB (V)
IE = 6 mA
IE = 4 mA
IE = 2 mA
IE = 8 mA
IE = 0 mA
2
4
6
8
0 2 4
Saturación
Zona activa
Corte
-0,7
VEB
IE
-0,7 V
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
+
-
Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Base Común
Región activa
VEB<0 VCB>0 IE, IC>0
VEB ≈ -0,7 V
IC ≈ αFIE
Región de saturación
VEB ≈ -0,8 V
IC < αFIE
VCB ≈ -0,7 V
Región de corte
VEB > -0,7 V
IC ≈ 0
Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Emisor Común
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 2 40,2 V
Saturación
Zona activa
Corte
VBE
IB
0,7 V
B
C
E
+
-
IB
IE
VCE
E
VBE
+
-
IC
Zona activa
VBE>0 VCE>0 IB,IC>0
VBE ≈ 0,7 V
IC ≈ βFIB
VCE > 0,2 V
Zona de saturación
(directa)
VCE>0 IB,IC>0
VBE ≈ 0,8 V
IC < βFIB
VCE ≈ 0,2 V
Zona de corte
VBE < 0,7 V
IC ≈ 0