Dispositivos Electrónicos

1. TRANSISTORES NPN - TRANSISTORES PNP
TRANSISTORES JFET - TRANSISTORES MOSFET
TRANSISTORES HEMT
Francisco Silva Cerón
Ing. de Sistemas e Informática
IV Ciclo

2. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de
carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy
en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Marca/n° de
ref.
Tipo de
Transistor
Corriente DC
máxima del
Colector
Tensión máxima
Colector - Emisor
Disipación
de potencia
máxima
Ganancia
Mínima de
Corriente
Magnatec
2SC1815
NPN
0.15A
50V
0.4W
70V
Panasonic
DSC5002R0L
NPN
500mA
50V
150mW
120V

3. Un tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de
las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite
que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo (esto en cuanto a su simbología).
Marca/n° de
ref.
Tipo de
Transistor
Corriente DC
máxima del
Colector
Tensión máxima
Colector - Emisor
Configuración
Disipación de
potencia
máxima
Fairchild
Semiconductor
BC32740BU
PNP
-800mA
-50V
Único
0.625W
Analog Devices
SSM2220PZ
PNP
0.02A
36V
Doble
-

4. Este componente está formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados
de ésta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sitúa un
terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del inglés source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos
regiones P se interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate).
Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unión bipolares, la corriente de colector emisor
se controlaba gracias a la variación de la pequeña corriente que se aplica a la base, realizándose la conducción tanto por
electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un tipo de
portadores de carga: huecos o electrones, según el tipo de canal. Así, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores
son los electrones.
Marca/n° de
ref.
Tipo de
Canal
Corriente
Máxima
Continua de
Drenaje
Tensión
Máxima
Drenador Fuente
Tensión Máxima
Puerta - Fuente
Tensión Máxima
Puerta Drenador
NXP
PMBF4393,215
N
30mA
40V
-40V
40V
NXP
PMBFJ176,215
P
35mA
30V
30V
<250

5. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión
en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una
región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término
enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor
NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con
un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Tensión Máxima
Drenador - Fuente
Tensión Máxima
Puerta - Fuente
Resistencia
Máxima
Drenador Fuente
Marca/n° de ref.
Tipo de
Canal
Corriente Máxima
Continua de
Drenaje
STMicroelectronics
STP65NF06
N
60A
60V
+- 20V
Ω14
International
Rectifier
IRF7240PBF
P
10.5 A
40V
+- 20V
0.015Ω

6. Los HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones), son un tipo de transistor de efecto de campo que incorporan una
unión entre dos materiales con diferentes bandas prohibidas, una hetero unión, como canal de conducción en vez de una
región dopada como es generalmente el caso de los MOSFET.
La composición más habitual de estos transistores es una combinación de Arseniuro de galio, GaAs, con Arseniuro de galioaluminio, AlGaAs; aunque existe una gran variabilidad en función de la aplicación a la que se destine. Existen transistores que
contienen Indio, que generalmente presentan mejores rendimientos a altas frecuencias, mientras que recientemente se han
introducido transistores con Nitrito de Galio, GaN, que presentan mejor rendimiento en alta potencia.
Las aplicaciones de estos transistores son similares a los transistores MESFET, telecomunicación en las bandas de microondas
y de onda milimétrica, radar, radioastronomía y en general en cualquier aplicación que requiera de alta ganancia y bajo ruido
a altas frecuencias
Marca/n° de ref.
Corriente
Máxima Continua
de Drenaje
Tensión Máxima
Drenador Fuente
Tensión Máxima
Puerta - Fuente
Tensión Máxima
Puerta – Drenador
Tipo de Encapsulado
Avago
Technologies
ATF – 34143 - G
145mA
5.5V
-5V
5V
SOT - 343
Avago
Technologies
ATF – 36163 - G
40mA
3V
-3V
-3.5V
SOT - 363

7. http://es.rs-online.com/web/
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/JFET.html
http://www.mwe.ee.ethz.ch/en/about-mwe-group/research/visionand-aim/high-electron-mobility-transistors-hemt.html