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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA “ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
EXTENSIÓN MARACAIBO
Realizado por:
Luis Guzmán
 El transistor de efecto campo (Field-
Effect Transistor) es un transistor
que usa el campo eléctrico para
controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que
transporta un solo tipo de portador
de carga, por lo que también suele
ser conocido como transistor
unipolar.
TRANSITORES DE EFECTO
DE CAMPO
Es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (gate),
drenaje (drain) y fuente (source). La puerta
es el terminal equivalente a la base del
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor),
de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que
en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y
la fuente controla la corriente que circula en
el drenaje. Así como los transistores bipolares
se dividen en NPN y PNP, los FET son de los
tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del
material del canal del dispositivo.
CARACTERISTICAS
1. Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
2. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
3. Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
4. Es menos ruidoso.
5. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
6. Es muy sensible
7. Son muy comunes en amplificadores de audio
 Es un tipo de dispositivo
electrónico de tres terminales
que puede ser usado como
interruptor electrónicamente
controlado, amplificador o
resistencia controlada por
voltaje. Posee tres terminales,
comúnmente llamados drenaje
(D), puerta o compuerta (G) y
fuente (S).
JFET
SIMBOLOGÍA UTILIZADA EN
LOS TRANSISTORES JFET
POLARIZACIÓN DEL JFET
Curva característica JFET
MOSFET
El MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamados fuente (S, Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y
sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio
que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio poli-
cristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas.
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Transistores de efecto de campo

  • 1. REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA “ANTONIO JOSÉ DE SUCRE” EXTENSIÓN MARACAIBO Realizado por: Luis Guzmán
  • 2.  El transistor de efecto campo (Field- Effect Transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del material del canal del dispositivo.
  • 3. CARACTERISTICAS 1. Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). 2. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor). 3. Hasta cierto punto es inmune a la radiación. 4. Es menos ruidoso. 5. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica. 6. Es muy sensible 7. Son muy comunes en amplificadores de audio
  • 4.  Es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S). JFET
  • 5. SIMBOLOGÍA UTILIZADA EN LOS TRANSISTORES JFET
  • 8. MOSFET El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales. El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio poli- cristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas.
  • 9. SIMBOLOGÍA UTILIZADA EN LOS TRANSISTORES MOSFET