![PROPIEDADES DEL SILICIO
Si SILICIO 14
Peso atómico 28,0855 g/mol
Estados oxidación 4, 2
Punto de fusión 1683 K
Punto de ebullición 2630 K
Densidad 2,33 g/cm³
Configuración electrónica [Ne] 3s2p2
Propiedades ácido/base Anfótero
Estructura cristal Cúbico, centrado en cara
Electronegatividad 1,90
Calor de vaporización 359 kJ/mol
Calor de fusión 50,2 kJ/mol
Conductividad eléctrica 2,5·10-4 W-¹m-¹
Conductividad térmica 148 Wm-¹K-¹ (a 300 K)
Calor específico 0,70 Jg-¹K-¹ (a 300 K)
Primer potencial ionización 8,151
Volumen atómico 12,1 cm³/mol
Radio atómico 1,32 Å
Radio covalente 1,11 Å
Sintético No](https://image.slidesharecdn.com/1solidoscristalinosok-120811211204-phpapp02/85/1-solidos-cristalinos-ok-7-320.jpg)
![PROPIEDADES DEL GERMANIO
Símbolo químico Ge
Número atómico 32
Grupo 14
Periodo 4
Aspecto blanco grisáceo
Bloque p
Densidad 5323 kg/m3
Masa atómica 72.64 u
Radio medio 125 pm
Radio atómico 125
Radio covalente 122 pm
Configuración electrónica [Ar]3d10 4s2 4p2
Electrones por capa 2, 8, 18, 4
Estados de oxidación 4
Óxido anfótero
Estructura cristalina cúbica centrada en las caras
Estado sólido
Punto de fusión 1211.4 K
Punto de ebullición 3093 K
Calor de fusión 36.94 kJ/mol
Presión de vapor 0,0000746 Pa a 1210 K
Electronegatividad 2,01
Calor específico 320 J/(K·kg)
Conductividad eléctrica 1,45 S/m
Conductividad térmica 59,9 W/(K·m)](https://image.slidesharecdn.com/1solidoscristalinosok-120811211204-phpapp02/85/1-solidos-cristalinos-ok-14-320.jpg)
![PROPIEDADES DEL GALIO
Símbolo químico Ga
Número atómico 31
Grupo 13
Periodo 4
Aspecto blanco plateado
Bloque p
Densidad 5904 kg/m3
Masa atómica 69.723 u
Radio medio 130 pm
Radio atómico 136
Radio covalente 126 pm
Radio de van der Waals 187 pm
Configuración electrónica [Ar]3d10 4s2 4p1
Electrones por capa 2, 8, 18, 3
Estados de oxidación 3
Óxido anfótero
Estructura cristalina ortorrómbica
Estado sólido
Punto de fusión 302.91 K
Punto de ebullición 2477 K
Calor de fusión 5.59 kJ/mol
Presión de vapor 9,31 × 10-36Pa a 302,9 K
Electronegatividad 1,81
Calor específico 370 J/(K·kg)
Conductividad eléctrica 6,78 106S/m
Conductividad térmica 40,6 W/(K·m)](https://image.slidesharecdn.com/1solidoscristalinosok-120811211204-phpapp02/85/1-solidos-cristalinos-ok-21-320.jpg)
Subido porLucy Rudas Diaz
1 solidos cristalinos ok
El documento proporciona información sobre las propiedades del silicio, un elemento semiconductor muy importante en la industria de los chips y los paneles solares. El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre y se utiliza ampliamente en la electrónica debido a su capacidad de conducir electricidad cuando se le agregan impurezas. También se usa en la fabricación de cemento, vidrio y otros materiales.
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1 solidos cristalinos ok
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- 5. http://www.ujaen.es/investiga/solar/07cursosolar/home_main_frame/03_celula/01 _basico/3_celula_01.htm
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- 7. PROPIEDADES DEL SILICIO Si SILICIO 14 Peso atómico 28,0855 g/mol Estados oxidación 4, 2 Punto de fusión 1683 K Punto de ebullición 2630 K Densidad 2,33 g/cm³ Configuración electrónica [Ne] 3s2p2 Propiedades ácido/base Anfótero Estructura cristal Cúbico, centrado en cara Electronegatividad 1,90 Calor de vaporización 359 kJ/mol Calor de fusión 50,2 kJ/mol Conductividad eléctrica 2,5·10-4 W-¹m-¹ Conductividad térmica 148 Wm-¹K-¹ (a 300 K) Calor específico 0,70 Jg-¹K-¹ (a 300 K) Primer potencial ionización 8,151 Volumen atómico 12,1 cm³/mol Radio atómico 1,32 Å Radio covalente 1,11 Å Sintético No
- 8. Es un elementomuy abundante en la naturaleza, ocupa el segundo lugar en esta faceta en la corteza terrestre, más de la cuarta parte. El primero es el oxígeno. En su forma amorfa se presenta como polvo parduzco. En la cristalina, su color es grisáceo, azulado. La primera es más activa. El cristal es muy duro (raya el vidrio), poco soluble y brillo metalizado. Es importantísimo, debido a su carácter semiconductor, en la industria informática ya que es necesario para la fabricación de chips y transistores. También es utilizado en la fabricación de cementos y ladrillo. Resiste la acción de la mayoría de los ácidos, reacciona con los halógenos y las bases diluidas. Es relativamente inerte. http://www.acienciasgalilei.com/qui/elementos/si.htm
- 9. • Utilizado para producir chips para ordenadores. • Las células fotovoltaicas para conversión directa de energía solar en eléctrica utilizan obleas cortadas de cristales simples de silicio de grado electrónico. • El silicio hiperpuro puede doparse con boro, galio, fósforo o arsénico, aumentando su conductividad; se emplea para la fabricación de transistores, rectificadores y otros dispositivos de estado sólido ampliamente empleados en electrónica. • Se utiliza como integrante de aleaciones para dar mayor resistencia a aluminio, magnesio, cobre y otros metales. • La arena y arcilla (silicatos) se usan para fabricar ladrillos y hormigón; son un material refractario que permite trabajar a altas temperaturas. • El metasilicato de sodio, Na2SiO3, es una sal empleada en detergentes para tamponar e impedir que la suciedad entre en el tejido: los iones metasilicatos, SiO3-2,se unen a las partículas de suciedad, dándoles carga negativa, lo que impide que se agreguen y formen partículas insolubles. • Al acidificar el ortosilicato de silicio se obtiene un precipitado gelatinoso de sílice (sílica gel) que se emplea como agente desecante, soporte para catalizadores, cromatografía y aislante térmico. • La sílice (arena) es el principal ingrediente del vidrio, uno de los materiales más baratos con excelentes propiedades mecánicas, ópticas, térmicas y eléctricas. • Las siliconas son derivados poliméricos del silicio. Se utilizan para juguetes, lubricantes, películas impermeables, implantes para cirugía estética, ... • El carburo de silicio se utiliza como abrasivo importante, para componentes refractarios. http://www.quimicaweb.net/tablaperiodica/paginas/silicio.htm
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- 14. PROPIEDADES DEL GERMANIO Símboloquímico Ge Número atómico 32 Grupo 14 Periodo 4 Aspecto blanco grisáceo Bloque p Densidad 5323 kg/m3 Masa atómica 72.64 u Radio medio 125 pm Radio atómico 125 Radio covalente 122 pm Configuración electrónica [Ar]3d10 4s2 4p2 Electrones por capa 2, 8, 18, 4 Estados de oxidación 4 Óxido anfótero Estructura cristalina cúbica centrada en las caras Estado sólido Punto de fusión 1211.4 K Punto de ebullición 3093 K Calor de fusión 36.94 kJ/mol Presión de vapor 0,0000746 Pa a 1210 K Electronegatividad 2,01 Calor específico 320 J/(K·kg) Conductividad eléctrica 1,45 S/m Conductividad térmica 59,9 W/(K·m)
- 15. • Estado Físico:Granular Apariencia: gris Olor: No disponible. pH: No disponible. Presión de Vapor: No disponible. Densidad de Vapor: No disponible. Velocidad de Evaporación: No disponible. Viscosidad: No disponible. Punto de Ebullición: 2830 C Punto de Fusión/Congelación:937 C Temperatura de Descomposición: No disponible. Solubilidad: Insoluble Gravedad Específica/Densidad: 5.3500g/cm3 Fórmula Molecular: Ge Peso Molecular: 72.59 http://www.quantyka.com.mx/catalogo/HDSM/Puros/germanio.htm
- 16. • Se utilizacomo semiconductor. • El germanio dopado con arsénico, galio, u otros elementos se utiliza como transistor. • Por ser transparente a la radiación infrarroja se emplea en forma de monocristales en espectroscopios infrarrojos (lentes, prismas y ventanas) y otros aparatos ópticos entre los que se encuentran detectores infrarrojos extremadamente sensibles. • El óxido de germanio se aplica en lentes gran angular de cámaras y en objetivos de microscopio. • El germanio se utiliza como detector de la radiación gamma. • Los compuestos organogermánicos se están utilizando en quimioterapia, pues tienen poca toxicidad para los mamíferos y son eficaces contra ciertas bacterias. http://www.quimicaweb.net/tablaperiodica/paginas/germanio.htm
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- 21. PROPIEDADES DEL GALIO Símboloquímico Ga Número atómico 31 Grupo 13 Periodo 4 Aspecto blanco plateado Bloque p Densidad 5904 kg/m3 Masa atómica 69.723 u Radio medio 130 pm Radio atómico 136 Radio covalente 126 pm Radio de van der Waals 187 pm Configuración electrónica [Ar]3d10 4s2 4p1 Electrones por capa 2, 8, 18, 3 Estados de oxidación 3 Óxido anfótero Estructura cristalina ortorrómbica Estado sólido Punto de fusión 302.91 K Punto de ebullición 2477 K Calor de fusión 5.59 kJ/mol Presión de vapor 9,31 × 10-36Pa a 302,9 K Electronegatividad 1,81 Calor específico 370 J/(K·kg) Conductividad eléctrica 6,78 106S/m Conductividad térmica 40,6 W/(K·m)
- 22. • Estado Físico:Sólido Apariencia: gris Olor: No disponible. pH: No disponible. Presión de Vapor: 1 mm Hg @ 1350 C Densidad de Vapor: No disponible. Velocidad de Evaporación: No disponible. Viscosidad: No disponible. Punto de Ebullición: 2400 C Punto de Fusión/Congelación:29 C Temperatura de Descomposición: No disponible. Solubilidad: Insoluble. Gravedad Específica/Densidad: 5.9 Fórmula Molecular: Ga Peso Molecular: 69.72 http://www.quantyka.com.mx/catalogo/HDSM/Puros/galio.htm
- 23. • Se empleaen el dopado de semiconductores y en la fabricación de dispositivos de estado sólido como: transistores, diodos, células solares, etc. • El 72Ga se emplea en el diagnóstico y terapia de tumores óseos. • Se utiliza en aleaciones con bajo punto de fusión. • El arseniuro de galio se usa para convertir la electricidad en luz coherente (láser). • Con hierro, litio, magnesio, itrio y gadolinio forma materiales magnéticos. • El galato de magnesio, con impurezas de iones divalentes, se utiliza en la pólvora de fósforos activados con luz ultravioleta. • El galio se utiliza para la detección de neutrinos solares. http://www.quimicaweb.net/tablaperiodica/paginas/galio.htm