Memoria del computador CBRAM Autor: LOGROÑO SULCA DANNY PAUL estudiante del 4 curso de electromecánica de la UTC

1. TEMA: MEMORIA CON PUENTE CONDUCTIVO (CBRAM)
NOMBRE: DANNY LOGROÑO
CICLO: CUARTO “A”
ASIGNATURA: SISTEMAS DIGITALES

2. CONCEPTO DE CBRAM
Es una memoria la cual está basada en el movimiento de los iones metálicos
para formar y romper un filamento de puente conductor. CBRAM se disuelven
fácilmente el material entre los dos electrodos.

3. • La Tecnología CBRAM fue desarrollado originalmente en la
Universidad Estatal de Arizona, donde también se conoce
como tecnología celular programable de metalización.
• PMC es una de una serie de tecnologías que se están
desarrollando para reemplazar la memoria flash utilizado,
proporcionando una combinación de tiempos de vida más
largos, una energía más baja, y una mejor densidad de
memoria.

4. TEORIA DE LA PMC
 PMC, en teoría, puede escalar a tamaños mucho más pequeños
que la memoria flash, en teoría, tan pequeñas como unos anchos
de iones de ancho. Los iones de cobre alrededor de 0,75
angstroms, así que parecen posibles anchos de línea del orden de
nanómetros

5. ESTRUCTURA DE LA CBRAM

6. CBRAM vs RRAM
CBRAM difiere de RRAM en que para los iones de metal CBRAM se disuelven
fácilmente en el material entre los dos electrodos, mientras que para RRAM, el
material entre los electrodos requiere un campo eléctrico de alta causando daño
local similar a la ruptura dieléctrica, produciendo un rastro de la realización de los
defectos (a veces llamado un "filamento"). Por lo tanto para CBRAM, un electrodo
debe proporcionar los iones de disolución
Comparación
La forma primaria de estado sólido de memoria no volátil en uso hoy en día es la
memoria flash, que está encontrando su uso en la mayoría de las funciones que
solían ser llenado por los discos duros. Flash, sin embargo, tiene una serie de
problemas que han llevado a muchos esfuerzos para introducir productos para
reemplazarlo.

7. • Ofrece un mayor rendimiento, coste, escalado y energía en comparación con
las tecnologías de memoria no volátiles de hoy en día
• Ofrece una excelente retención de alta temperatura
• Y otorga una tolerancia a altos niveles de radiación gamma