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Metalizaciónes para la
Manufactura de Circuitos
Integrados
Integrantes: Alejandro Carrasco
Claudio Cisternas
Rodrigo Grayde
Mijael Maldavsky
Helen Ortega
Técnicas Metalúrgicas para
mayor confiabilidad en los
circuitos integrados.
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Modos de fallas comunes en la
metalización de Circuitos
Integrados .
 Tensiones Residuales.
 Fallas por la electromigración.
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agujeros (huecos).
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Fallas por la Electromigración.
 El daño por la
electromigración
comúnmente
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rompiendo la línea
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comunes.
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electromigración
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La fotografía Microscópica de Acondicionamiento de Soldadura Meta-Lax
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Como opera Meta-Lax
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diferentes efectos sobre el metal.
 Con la vibración, así como el calor, se da un nivel de
energía óptimo que causará la disminución de
tensiones.
 Aumento de frecuencia en la vibración metal produce
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La cantidad de energía que está siendo disipada por
el metal, es su potencial de diminución de tensiones
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Beneficios en el Funcionamiento
 Reducción de la tensiones certificable
• No se da distorsión al aplicarlo
• Un 90% menos en costos de procesos
• Un 98% menos de tiempo de proceso
• Un 95% menos de agrietamiento en la soldadura
• Un 41% menos de tiempo de mecanizado
• Un 500% de mejora en la fatiga del material
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• No hay limitaciones de tamaño o peso
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Texturas Cristalográficas
 La textura cristalográfica disminuye
la proporción en que la
electromigración provoca daños
acumulados.
 Por 3 razones
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 1- Película texturada tiene alta
proporción de límites de grano de
bajo ángulo.
 2- Película texturada tiene estructura
de límite de grano más uniforme.
 3- La textura (111) presenta
anisotropía favorable.
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 Planos (111) proporcionan la
superficie de energía mínima en
cristales fcc.
 Una atmósfera limpia y temperatura
alta aumentan la movilidad de los
átomos.
 La textura es fortalecida por
tratamientos térmicos de post-
deposición.
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Longitud del segmento
Poligranular
 Varía desde 0,5m a décimas de
micrómetros.
 El tiempo para fallar aumenta al
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temperaturas altas.
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Solutos y Precipitados
 Lo más común es la aleación Al-Cu.
 El Cobre inhibe La difusión del
Aluminio.
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 Es difícil lograr la configuración
óptima.
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películas de libre precipitado.
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dispersión fina de precipitado
intragranular.
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 Las líneas modeladas pasan por
ciclos térmicos complejos.
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la precipitación.
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La construcción se hace empleando la
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La construcción se hace empleando
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CONDENSADORES
Pueden obtenerse empleando la
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Condensador de película delgada
Esta estructura está constituida por un
condensador de placas paralelas con
SiO2 como dieléctrico.
La placa superior es una superficie
metálica pelicular de aluminio
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COBRE USO Y APLICACIONES
 OBJETIVO: buscar la forma de unir
transistores en los chips (CI).
 PROBLEMA:cada vez van siendo más
pequeños los transistores y es más
difícil interconectarlos.
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aluminio que está quedando
obsoleto.
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Ventajas y Desventajas
 SOLUCION: El Cobre, como conductor
eléctrico, que permite la conducción de
electrones por lugares muy diminutos.
 VENTAJAS: Tiene menos resistencia
eléctrica que el aluminio por lo que
transmite impulsos eléctricos
rápidamente.
 DESVENTAJAS: no se mezcla con el
silicón (material base de chips), ni es fácil
de trabajar.
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FINALMENTE
• Finalmente se logro crear una oblea
que permite unir el silicón con el cobre
y de esta manera unir los transistores
usando una mínima cantidad de pasos.
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integrados de anchos de hasta 0,20
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Aplicaciones Especificas
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Diseñados para:
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SE-12E:
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UN EJEMPLO
Se creó una workstation utilizando
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ASICs que permite:
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En el Futuro
Se espera que en el futuro las
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  • 1. Metalizaciónes para la Manufactura de Circuitos Integrados Integrantes: Alejandro Carrasco Claudio Cisternas Rodrigo Grayde Mijael Maldavsky Helen Ortega
  • 2. Técnicas Metalúrgicas para mayor confiabilidad en los circuitos integrados.
  • 3. Siguiente Anterior Modos de fallas comunes en la metalización de Circuitos Integrados .  Tensiones Residuales.  Fallas por la electromigración.  Presión mecánica inducida por los agujeros (huecos).
  • 4. Siguiente Anterior Fallas por la Electromigración.  El daño por la electromigración comúnmente aparece como agujeros que pueden crecer rompiendo la línea o elevar su resistencia eléctrica a valores inaceptables.  Modos de fallas comunes.  En la electromigración se producen varios daños, pero existen dos maneras de disminuir la proporción de este.
  • 5. Siguiente Anterior  PRESIÓN MECÁNICA INDUCIDA POR LOS AGUJEROS.  PERFIL TÉRMICO DEL PROCESO DE METALIZACIÓN.
  • 6. Siguiente Anterior Principales procesos de una típica metalización y tratamiento de empaquetamiento.  Deposición de la aleación de aluminio. (200ºC-300ºC).  Deposición de la película. (~300ºC).  Deposición de la capa dieléctrica de internivel (~400ºC).  Deposición de la capa de pasivación. (400ºC-450ºC).
  • 7. Siguiente Anterior  Templado de post-pasivación. (~450ºC).  Proceso de soldadura de flujo.(~350ºC...{95Sn-5Pb} ó ~230ºC...{63Sn-37Pb}).  Encapsulamiento o moldaje (cocido al horno) (150ºC~200ºC).
  • 8. Siguiente Anterior Mecanismos de Falla Tensiones residuales  Introducción: – Proceso se basa en reducir tensiones en estructuras de un metal – Mediante un proceso de vibraciones sub- resonantes – Durante proceso de enfriado, (luego del soldado), metales desarrollan áreas de tensiones en estructuras átomicas. – Metal que desarrolla tensiones se hace susceptible a roturas.
  • 9. Siguiente Anterior – Altos costos de reemplazo. – Tratamiento térmico el mas común para reducir tensiones. – Vibración sub-resonante es una prometedora alternativa a tratamientos térmicos de post- soldadura – Ventajas: • Bajo costo operacionales • Fácil manejo • Versatilidad
  • 11. Siguiente Anterior  La fotografía Microscópica de Acondicionamiento de Soldadura Meta-Lax muestra que se ha conseguido una estructura homogénea del grano para una soldadura más dúctil. Esto es muy deseable metalúrgicamente.  Mientras que La fotografía Normal muestra vetas blancas y negras que indican grietas ó roturas potenciales en la soldadura.
  • 12. Siguiente Anterior Como opera Meta-Lax  Induce energía mecánica en la pieza a trabajar por medio de vibración.  Diferentes niveles de energía inducida tendrán diferentes efectos sobre el metal.  Con la vibración, así como el calor, se da un nivel de energía óptimo que causará la disminución de tensiones.  Aumento de frecuencia en la vibración metal produce disipaciones de energía mediante fricciones internas. La cantidad de energía que está siendo disipada por el metal, es su potencial de diminución de tensiones
  • 13. Siguiente Anterior Beneficios en el Funcionamiento  Reducción de la tensiones certificable • No se da distorsión al aplicarlo • Un 90% menos en costos de procesos • Un 98% menos de tiempo de proceso • Un 95% menos de agrietamiento en la soldadura • Un 41% menos de tiempo de mecanizado • Un 500% de mejora en la fatiga del material • Un 66% menos de pre-calentamiento • No hay limitaciones de tamaño o peso • Consistentemente efectivo
  • 14. Siguiente Anterior • 800% de amortización de la inversión • 110/220 voltios. • Reducción combustible.
  • 17. Siguiente Anterior Prueba Para una Placa de Circuito Integrado
  • 18. Siguiente Anterior Texturas Cristalográficas  La textura cristalográfica disminuye la proporción en que la electromigración provoca daños acumulados.  Por 3 razones
  • 19. Siguiente Anterior  1- Película texturada tiene alta proporción de límites de grano de bajo ángulo.  2- Película texturada tiene estructura de límite de grano más uniforme.  3- La textura (111) presenta anisotropía favorable.
  • 20. Siguiente Anterior  Planos (111) proporcionan la superficie de energía mínima en cristales fcc.  Una atmósfera limpia y temperatura alta aumentan la movilidad de los átomos.  La textura es fortalecida por tratamientos térmicos de post- deposición.
  • 21. Siguiente Anterior Longitud del segmento Poligranular  Varía desde 0,5m a décimas de micrómetros.  El tiempo para fallar aumenta al encoger las longitudes.  Se debe templar el post-modelo a temperaturas altas.
  • 22. Siguiente Anterior Solutos y Precipitados  Lo más común es la aleación Al-Cu.  El Cobre inhibe La difusión del Aluminio.  El exceso de Cu precipita como Al2Cu.  Es difícil lograr la configuración óptima.
  • 23. Siguiente Anterior Control de Precipitados  Para el moldeado son deseables las películas de libre precipitado.  Microestructura final debe tener una dispersión fina de precipitado intragranular.
  • 24. Siguiente Anterior  Las líneas modeladas pasan por ciclos térmicos complejos.  El chip debe enfriarse para prevenir la precipitación.  El chip se expone a varios ciclos térmicos de empaquetamiento.
  • 25. Siguiente Anterior El Aluminio  Es un metal ligero  Es un buen conductor de electricidad  Es resistente a los agentes atmosféricos  Tiene buena plasticidad y formabilidad  Tiene buena conductividad térmica  No es magnético
  • 26. Siguiente Anterior Usos de los circuitos integrados  Transistores  Diodos  Resistencias  Condensadores
  • 27. Siguiente Anterior TRANSISTORES Es un dispositivo compuesto por materiales semiconductores. - germanio - silicio - selenio
  • 28. Siguiente Anterior Circuito integrado p Sustrato tipo p p resistencia diodo transistor aluminio SiO2 p n n n
  • 29. Siguiente Anterior TRANSISTORES El contacto de la base se hace mediante dos franjas metalizadas a ambos lados del emisor (n) . El área metalizada constituye el contacto óhmino del colector y esta reduce la resistencia de saturación
  • 30. Siguiente Anterior TRANSISTORES Las características eléctricas dependen :  su propio tamaño y geometría  los niveles de impurezas  la forma de difusión  material base de silicio.
  • 31. Siguiente Anterior TRANSISTORES Las características físicas determinan:  Capacidad parásita de aislamiento.  Capacidad de unión
  • 32. Siguiente Anterior DIODOS La construcción se hace empleando la estructura de los transistores . Las estructuras de diodos : - diodo emisor-base con el colector circuitado con la base - diodo emisor-base con el colector abierto - diodo colector-base
  • 33. Siguiente Anterior DIODO Las características tensión corriente de los tres tipos de diodos citados en los cuales se puede observar que el transistor conectado como diodo da lugar a la mayor conducción para una tensión dada.
  • 34. Siguiente Anterior RESISTENCIAS La construcción se hace empleando una resistencia de volumen de una de las áreas difundidas. La más comúnmente usada es la de base tipo p
  • 35. Siguiente Anterior Resistencia de película delgada La construcción consiste en depositar sobre la capa de dióxido de silicio una capa de metal y se emplea la corrosión mediante mascara para producir la geometría deseada. La resistencia de metal se recubre con una capa aislante y se practican aperturas para los contactos óhmicos en la capa aislante.
  • 36. Siguiente Anterior CONDENSADORES Pueden obtenerse empleando la capacitancia de transición de una unión p-n polarizada en sentido inverso
  • 37. Siguiente Anterior Condensador de película delgada Esta estructura está constituida por un condensador de placas paralelas con SiO2 como dieléctrico. La placa superior es una superficie metálica pelicular de aluminio La placa inferior está constituida por una región n fuertemente drogada que se forma durante la difusión del emisor.
  • 38. Siguiente Anterior COBRE USO Y APLICACIONES  OBJETIVO: buscar la forma de unir transistores en los chips (CI).  PROBLEMA:cada vez van siendo más pequeños los transistores y es más difícil interconectarlos.  ACTUALIDAD: se usa comúnmente el aluminio que está quedando obsoleto.
  • 39. Siguiente Anterior Ventajas y Desventajas  SOLUCION: El Cobre, como conductor eléctrico, que permite la conducción de electrones por lugares muy diminutos.  VENTAJAS: Tiene menos resistencia eléctrica que el aluminio por lo que transmite impulsos eléctricos rápidamente.  DESVENTAJAS: no se mezcla con el silicón (material base de chips), ni es fácil de trabajar.
  • 40. Siguiente Anterior FINALMENTE • Finalmente se logro crear una oblea que permite unir el silicón con el cobre y de esta manera unir los transistores usando una mínima cantidad de pasos. • Esto permite fabricar circuitos integrados de anchos de hasta 0,20 micras (millonésima parte de un metro). • Los nuevos chips tendrán 200 millones de transistores (30 veces mas que un notebook).
  • 41. Siguiente Anterior Aplicaciones Especificas  ASICs (application specific integrated circuit) Diseñados para:  Manipular gráficos 3D.  Controlar cámaras digitales.  Dar inteligencia a computadores (juegos electrónicos, conexión telefónica)
  • 42. Siguiente Anterior Algunos asistentes que usan ASICs: •SA-27: Utiliza los chips ASICs para: Desarrollo de conexiones IO. Capas de metalización del cobre. Procesos que requieren alto rendimiento de los chips (procesadores de datos, analizadores gráficos, etc.).
  • 43. Siguiente Anterior SE-12E: • Utilizado en productos de bajo consumo de poder energético. •Principalmente en aplicaciones comunicacionales
  • 44. Siguiente Anterior UN EJEMPLO Se creó una workstation utilizando chips ASICs que permite:  Manipular y crear imágenes 3D. Cambiar textura y color en imágenes. Revolucionar el mercado de aceleradores gráficos. Incorporar esta tecnología en un PC común.
  • 45. Siguiente Anterior En el Futuro Se espera que en el futuro las nuevas aplicaciones sean casi tan grandes como las que hoy se conocen en la tecnología computacional permitiendo un amplio desarrollo de la nueva generación de chips.