RADIOLOGÍA
DIGITAL
Presentado por: MILUSCA TORRES
TIPOS DE RADIOLOGÍA
DIGITAL
Radiología digital directa
Radiología digital indirecta
RADIOLOGÍA DIGITAL INDIRECTA
Componentes de la CR:
A. PANTALLAS DE FOSFORO
B.DIGITALIZADOR
C.CONSOLA DE VISUALIZACION
RADIOLOGIA DIGITAL DIRECTA
La radiografía digital directa a diferencia de
la radiografía digitalizada, utiliza sensores
electrónicos sensibles a los rayos-x que son
colocados de manera similar a la película
común. El sensor electrónico va conectado a
una computadora, creando una imagen
radiológica que será visualizada
inmediatamente en el monitor
DETECTORES DE PANEL PLANO DE
SELENIO
• Estos Detectores son de Conversión Directa porque no
hay centelleo con fosforo.
• Tienen una capa de Selenio de Amorfo o matriz TFT
• El haz de rayos x formador de la imagen interactúa
directamente con el selenio de amorfo
• La capa de selenio de Amorfo tiene un grosor aprox. de
200um y se encuentran entre los electrodos cargados.
• La carga creada(pixel) se recoge en un condensador de
almacenamiento y se mantiene allí hasta que se lea la señal
correspondiente.
DETECTORES DE PANEL PLANO
DE SELENIO
ELECTRODO DE SELENIO DE AMORFO
DETECTOR DE FDP SILICIO DE AMORFO
DETECCIÓN INDIRECTA
DETECTOR PANEL PLANO DE SILICIO AMORFO
• Estos son Detectores de Detección Indirecta porque los fotones de
rayos x se convierten primero en luz y luego señal eléctrica.
• Una de las primeras aplicaciones de la RD consistió en usar CsI para
capturar los rx.
• El elemento de recogida consiste en una doble capa de SILICIO
organizada como un TFT.
• El CsI tiene una captura fotoeléctrica alta porque el numero atómico
del cesio es 55 y del yodo es 53.Por lo tanto la interacción de los Rx
con el CsI es alta , por lo que el paciente recibe baja radiación.
FOSFORO DE YODURO DE CESIO
Fosforo de yoduro de cesio es receptor de radiografía digital, el fosforo se
puede encontrar en forma de filamentos para mejorar la absorción de los rx
y reducir la dispersión de la luz
MATRIZ DE SILICIO DE AMORFO
 El Silicio es un
semiconductor.
 El receptor de imagen
RD se fabrica en cada
uno de los pixeles.
 Cada pixel tiene una
cara sensible a la luz
elaborada con a-Si, un
condensador y un TFT
incluido .
 Los pixeles de a-si
también es llamada
fotodiodo.
FOTODIODO DE SILICIODE AMORFO
El Factor de ocupación
es aproximadamente el
80% , es decir, el 20% del
haz de Rx no contribuye a
la imagen.
Cada pixel tiene una
cara sensible a la luz
elaborada con a-Si, un
condensador y un TFT
incluido
VENTAJAS:
Disminuye la dosis radiante
al paciente respecto a la
convencional
Posibilidad de modificar
Mayor resolución de
contraste
Acceso rápido a cualquier
radiografia
DESVENTAJA:
1. Costo inicial de las
instalaciones
2. Menor resolución espacial
con respecto a la
convencional
3. Degradación progresiva de
los fósforos
4. Errores de los sistemas de
lectura
GRACIAS
bibliografías
 S. webb, ed. The physics of medical imaging. Adam Hilger, 1988.
 Art. Boltevnoes salud

Digital

  • 1.
  • 3.
    TIPOS DE RADIOLOGÍA DIGITAL Radiologíadigital directa Radiología digital indirecta
  • 4.
  • 5.
    Componentes de laCR: A. PANTALLAS DE FOSFORO B.DIGITALIZADOR C.CONSOLA DE VISUALIZACION
  • 7.
    RADIOLOGIA DIGITAL DIRECTA Laradiografía digital directa a diferencia de la radiografía digitalizada, utiliza sensores electrónicos sensibles a los rayos-x que son colocados de manera similar a la película común. El sensor electrónico va conectado a una computadora, creando una imagen radiológica que será visualizada inmediatamente en el monitor
  • 9.
    DETECTORES DE PANELPLANO DE SELENIO • Estos Detectores son de Conversión Directa porque no hay centelleo con fosforo. • Tienen una capa de Selenio de Amorfo o matriz TFT • El haz de rayos x formador de la imagen interactúa directamente con el selenio de amorfo
  • 10.
    • La capade selenio de Amorfo tiene un grosor aprox. de 200um y se encuentran entre los electrodos cargados. • La carga creada(pixel) se recoge en un condensador de almacenamiento y se mantiene allí hasta que se lea la señal correspondiente. DETECTORES DE PANEL PLANO DE SELENIO
  • 11.
  • 12.
    DETECTOR DE FDPSILICIO DE AMORFO DETECCIÓN INDIRECTA
  • 13.
    DETECTOR PANEL PLANODE SILICIO AMORFO • Estos son Detectores de Detección Indirecta porque los fotones de rayos x se convierten primero en luz y luego señal eléctrica. • Una de las primeras aplicaciones de la RD consistió en usar CsI para capturar los rx. • El elemento de recogida consiste en una doble capa de SILICIO organizada como un TFT. • El CsI tiene una captura fotoeléctrica alta porque el numero atómico del cesio es 55 y del yodo es 53.Por lo tanto la interacción de los Rx con el CsI es alta , por lo que el paciente recibe baja radiación.
  • 14.
    FOSFORO DE YODURODE CESIO Fosforo de yoduro de cesio es receptor de radiografía digital, el fosforo se puede encontrar en forma de filamentos para mejorar la absorción de los rx y reducir la dispersión de la luz
  • 15.
    MATRIZ DE SILICIODE AMORFO  El Silicio es un semiconductor.  El receptor de imagen RD se fabrica en cada uno de los pixeles.  Cada pixel tiene una cara sensible a la luz elaborada con a-Si, un condensador y un TFT incluido .  Los pixeles de a-si también es llamada fotodiodo.
  • 16.
    FOTODIODO DE SILICIODEAMORFO El Factor de ocupación es aproximadamente el 80% , es decir, el 20% del haz de Rx no contribuye a la imagen. Cada pixel tiene una cara sensible a la luz elaborada con a-Si, un condensador y un TFT incluido
  • 19.
    VENTAJAS: Disminuye la dosisradiante al paciente respecto a la convencional Posibilidad de modificar Mayor resolución de contraste Acceso rápido a cualquier radiografia DESVENTAJA: 1. Costo inicial de las instalaciones 2. Menor resolución espacial con respecto a la convencional 3. Degradación progresiva de los fósforos 4. Errores de los sistemas de lectura
  • 21.
  • 22.
    bibliografías  S. webb,ed. The physics of medical imaging. Adam Hilger, 1988.  Art. Boltevnoes salud