Este documento describe la doble capa eléctrica que se forma en la interfase entre un metal y un electrolito. Explica que se produce una diferencia de potencial debido a que una fase adquiere carga positiva y la otra negativa. También resume los principales modelos propuestos para la estructura de la doble capa eléctrica, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern. Además, incluye representaciones esquemáticas de la variación del potencial y la distribución de iones a través de la
La doble capa eléctrica se produce en la interfase entre un metal y un electrolito, o entre dos fases. Esto genera una diferencia de potencial debido a que una fase adquiere carga positiva y la otra negativa. Existen varios modelos para explicar la estructura de la doble capa eléctrica, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern. La doble capa eléctrica tiene propiedades importantes como fenómenos electrocinéticos y procesos en membranas celulares.
La doble capa eléctrica se forma en la interfase electrodo-electrolito y permite explicar el comportamiento cinético de los procesos electroquímicos. Existen varios modelos para describir la doble capa, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman, Stern y Grahame. La separación de cargas en la interfase y los fenómenos de adsorción de iones dan lugar a fenómenos electrocapilares cuya dependencia con la tensión superficial puede usarse para caracterizar la densidad de carga en la interfase.
Este documento trata sobre electroquímica y la doble capa eléctrica. Explica conceptos fundamentales como soluciones de electrolitos, ácidos y bases. Luego describe procesos de transporte en electrolitos y el equilibrio de transferencia de carga en sistemas electroquímicos heterogéneos. Finalmente, se enfoca en la doble capa eléctrica, explicando las teorías de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern, y los métodos para estudiarla, como los fenómenos electrocinéticos.
Este documento introduce los métodos electroanalíticos, explicando que son menos utilizados que otros métodos analíticos debido a un menor conocimiento y menor automatización. Además, ofrecen ventajas como mayor especificidad y proporcionar información sobre actividad en lugar de concentración. Describe las reacciones electroquímicas y los procesos farádicos y no farádicos que ocurren en los electrodos. Finalmente, explica las etapas de un proceso electrodíco, incluyendo la transferencia de masa, reacciones químicas
Este documento describe la interfase entre un electrodo y una disolución. Explica que cuando se introduce un electrodo metálico en una disolución iónica, se crea una diferencia de potencial en la interfase debido a la redistribución de cargas. Luego, presenta diferentes modelos para describir la estructura de la doble capa eléctrica que se forma en la interfase, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern. Finalmente, analiza cómo medir experimentalmente la diferencia de potencial creada en la interf
Este documento describe los modelos de la doble capa eléctrica en la interfase electrodo-solución. Explica los modelos de Helmholtz-Perrin, Gouy-Chapman y Stern, donde la capa de Helmholtz-Perrin representa la primera fila de iones adsorbidos, el modelo de Gouy-Chapman describe la distribución exponencial de la carga en la capa difusa, y el modelo de Stern combina las capas de Helmholtz y Gouy-Chapman. También analiza las ecuaciones de Poisson-Bol
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosyuri2211
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son puros y solo tienen unos pocos electrones libres y huecos debido a la energía térmica. En los semiconductores dopados, se agregan pequeñas cantidades de impurezas para modificar la densidad de portadores de carga y el comportamiento eléctrico. Existen dos tipos de dopado: tipo n usa impurezas de la columna V y tipo p usa impurezas de la columna III.
La doble capa eléctrica se produce en la interfase entre un metal y un electrolito, o entre dos fases. Esto genera una diferencia de potencial debido a que una fase adquiere carga positiva y la otra negativa. Existen varios modelos para explicar la estructura de la doble capa eléctrica, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern. La doble capa eléctrica tiene propiedades importantes como fenómenos electrocinéticos y procesos en membranas celulares.
La doble capa eléctrica se forma en la interfase electrodo-electrolito y permite explicar el comportamiento cinético de los procesos electroquímicos. Existen varios modelos para describir la doble capa, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman, Stern y Grahame. La separación de cargas en la interfase y los fenómenos de adsorción de iones dan lugar a fenómenos electrocapilares cuya dependencia con la tensión superficial puede usarse para caracterizar la densidad de carga en la interfase.
Este documento trata sobre electroquímica y la doble capa eléctrica. Explica conceptos fundamentales como soluciones de electrolitos, ácidos y bases. Luego describe procesos de transporte en electrolitos y el equilibrio de transferencia de carga en sistemas electroquímicos heterogéneos. Finalmente, se enfoca en la doble capa eléctrica, explicando las teorías de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern, y los métodos para estudiarla, como los fenómenos electrocinéticos.
Este documento introduce los métodos electroanalíticos, explicando que son menos utilizados que otros métodos analíticos debido a un menor conocimiento y menor automatización. Además, ofrecen ventajas como mayor especificidad y proporcionar información sobre actividad en lugar de concentración. Describe las reacciones electroquímicas y los procesos farádicos y no farádicos que ocurren en los electrodos. Finalmente, explica las etapas de un proceso electrodíco, incluyendo la transferencia de masa, reacciones químicas
Este documento describe la interfase entre un electrodo y una disolución. Explica que cuando se introduce un electrodo metálico en una disolución iónica, se crea una diferencia de potencial en la interfase debido a la redistribución de cargas. Luego, presenta diferentes modelos para describir la estructura de la doble capa eléctrica que se forma en la interfase, incluyendo los modelos de Helmholtz, Gouy-Chapman y Stern. Finalmente, analiza cómo medir experimentalmente la diferencia de potencial creada en la interf
Este documento describe los modelos de la doble capa eléctrica en la interfase electrodo-solución. Explica los modelos de Helmholtz-Perrin, Gouy-Chapman y Stern, donde la capa de Helmholtz-Perrin representa la primera fila de iones adsorbidos, el modelo de Gouy-Chapman describe la distribución exponencial de la carga en la capa difusa, y el modelo de Stern combina las capas de Helmholtz y Gouy-Chapman. También analiza las ecuaciones de Poisson-Bol
Semiconductores intrinsecos y semiconductores dopadosyuri2211
Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son puros y solo tienen unos pocos electrones libres y huecos debido a la energía térmica. En los semiconductores dopados, se agregan pequeñas cantidades de impurezas para modificar la densidad de portadores de carga y el comportamiento eléctrico. Existen dos tipos de dopado: tipo n usa impurezas de la columna V y tipo p usa impurezas de la columna III.
El documento describe los principios básicos del dopaje en semiconductores. Explica que el dopaje implica agregar pequeñas cantidades de impurezas que donan electrones extra (dopaje tipo N) o huecos extra (dopaje tipo P), lo que modifica las propiedades eléctricas del semiconductor. Los dopantes comunes para el silicio son el fósforo y el arsénico (tipo N) y el boro (tipo P). El dopaje permite controlar si los electrones o los huecos son los portadores mayoritarios de corriente en el material.
El documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos tienen electrones que pueden absorber energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores extrínsecos son dopados intencionalmente con impurezas que donan electrones (tipo N) o aceptan electrones (tipo P), creando portadores de carga mayoritarios que mejoran la conducción eléctrica. El dopaje leve usa una impureza cada 100 mill
Este documento contiene información sobre enlaces químicos, incluyendo diferentes tipos de enlaces como iónicos, metálicos y covalentes. También presenta tablas sobre electronegatividad y configuraciones electrónicas de los elementos.
Este documento diferencia entre celdas electroquímicas, galvánicas y electrolíticas. Explica que las celdas electroquímicas constan de dos electrodos sumergidos en soluciones electrolíticas separadas. Las celdas galvánicas almacenan energía eléctrica a través de reacciones espontáneas, mientras que las electrolíticas requieren una fuente externa de energía. También describe la representación esquemática de celdas y los mecanismos de conducción de carga en celdas galv
Aquí están las definiciones solicitadas:
- Voltaje de Celda: Diferencia de potencial entre los electrodos de una celda electroquímica.
- Potencial de electrodo: Diferencia de potencial entre un electrodo y un electrodo de referencia medida a través de un electrolito.
- Electrodo de referencia: Electrodo con potencial químicamente e independiente del potencial del electrodo de trabajo, usado para medir el potencial de este último.
- Electrodo de trabajo: Electrodo cuya reacción electroquímica se estudia y sobre el que se mide
Este documento describe los semiconductores, incluyendo que son elementos con conductividad eléctrica inferior a los metales pero superior a los aislantes. Explica que el silicio es el semiconductor más común y describe los semiconductores intrínsecos formados solo por átomos de silicio. También describe cómo los semiconductores pueden doparse agregando pequeñas cantidades de impurezas para crear semiconductores tipo P o tipo N.
El documento trata sobre los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica que los enlaces químicos determinan las propiedades de las sustancias como su punto de fusión, solubilidad y conductividad eléctrica. Los enlaces iónicos se forman entre metales y no metales, los enlaces metálicos entre átomos de metales, y los enlaces covalentes entre no metales que comparten electrones.
Este documento presenta un resumen de los temas centrales de la asignatura "Corrosión y Sistemas de Protección Catódica", incluyendo potenciales electroquímicos, series galvánicas, corrosión microscópica en celdas galvánicas, cinética de corrosión, diagramas de Evans, y reacciones de corrosión como la polarización, pasividad y transpasividad. El profesor José David Mestizo Granados impartirá la clase en el Instituto Técnico Central en 2020.
Este documento trata sobre los diferentes tipos de enlaces químicos. Explica que los átomos se unen para alcanzar una situación de mínima energía. Describe los enlaces iónico, covalente y metálico, y las teorías de Lewis y la teoría del enlace de valencia para explicarlos. También analiza las propiedades y estructuras de los compuestos iónicos.
Este documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos y moléculas, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica cómo los enlaces determinan las propiedades de las sustancias, como puntos de fusión, solubilidad y conductividad eléctrica. También describe las fuerzas intermoleculares como enlaces de hidrógeno y fuerzas de Van der Waals que actúan entre moléculas.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El más común es el silicio, que forma una estructura cristalina tetraédrica. A temperatura ambiente, algunos electrones en el silicio absorben energía y saltan a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto crea pares electrón-hueco que transportan corriente eléctrica. Los semiconductores intrínsecos solo contienen silicio, mientras que los dopados contienen pequeñas cantidades de imp
Este documento presenta conceptos básicos de electroquímica y potenciometría directa. Explica que una reacción electroquímica involucra la ganancia o pérdida de electrones en la interfase electrodo-solución. También describe los tipos de celdas electroquímicas, electrodos de referencia e indicadores, y aplicaciones analíticas de la potenciometría directa como la medición de pH y concentraciones iónicas.
El documento explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen pequeñas cantidades de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen impurezas añadidas que aumentan la cantidad de portadores de carga y mejoran la conductividad eléctrica. El dopaje leve usa una impureza por cada 100 millones de átomos, mientras que el dopaje pesado usa una impureza por cada 10,000 átomos.
Este documento describe la naturaleza de las soluciones electrolíticas y el transporte a través de membranas. Explica que las soluciones electrolíticas conducen la corriente eléctrica a través del movimiento de iones cargados, y que la velocidad de los iones depende de factores como la carga, el tamaño del ion y la viscosidad de la solución. También resume los principios básicos de la electrólisis, incluido que los iones se depositan en los electrodos al neutralizar sus cargas.
Este documento describe los modelos de la doble capa electroquímica, incluyendo el modelo de Helmholtz, Gouy-Chapman, Stern, Grahame y el modelo de Bockris, Devanathan y Muller. Explica que la doble capa electroquímica permite entender el comportamiento cinético de los procesos del electrodo y cómo la velocidad de la reacción depende del potencial en la interfase y de las especies electroactivas presentes.
Este documento explica los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos, dopados tipo N y tipo P. Los semiconductores intrínsecos tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. Los semiconductores dopados se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas, llamadas dopantes, que alteran la densidad de portadores de carga. Los dopantes de tipo N añaden electrones, mientras que los de tipo P añaden huecos. El dopaje permite controlar si los electrones o los
La polarografía es un método electroquímico desarrollado en 1922 que utiliza un electrodo de gotas de mercurio para medir la corriente producida por reacciones redox cuando se aplica un voltaje. El electrodo de mercurio se renueva periódicamente y permite determinar especies químicas en concentraciones muy bajas. La polarografía ha sido usada ampliamente en análisis químico, incluyendo de iones metálicos, compuestos orgánicos y farmacéuticos.
El documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica cómo se forman cada uno y las propiedades características de los compuestos que contienen cada tipo de enlace. También cubre las fuerzas intermoleculares como los enlaces de hidrógeno y las fuerzas de London.
El documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica que los enlaces se forman debido a la tendencia de los átomos a alcanzar una configuración electrónica estable como la del gas noble más cercano, según la regla del octeto. Los diferentes tipos de enlaces dan lugar a propiedades distintas en las sustancias.
Este documento describe la teoría de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen dos bandas de energía, la de valencia y la de conducción, que están separadas por una pequeña brecha. Esto permite que algunos electrones se muevan libremente y conduzcan la corriente eléctrica cuando se aplica un voltaje. También introduce los conceptos de semiconductores intrínsecos y extrínsecos, que son dopados con impurezas para aumentar la cantidad de portadores de carga libres.
El documento describe los principios básicos del dopaje en semiconductores. Explica que el dopaje implica agregar pequeñas cantidades de impurezas que donan electrones extra (dopaje tipo N) o huecos extra (dopaje tipo P), lo que modifica las propiedades eléctricas del semiconductor. Los dopantes comunes para el silicio son el fósforo y el arsénico (tipo N) y el boro (tipo P). El dopaje permite controlar si los electrones o los huecos son los portadores mayoritarios de corriente en el material.
El documento explica los conceptos básicos de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos tienen electrones que pueden absorber energía para saltar a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Los semiconductores extrínsecos son dopados intencionalmente con impurezas que donan electrones (tipo N) o aceptan electrones (tipo P), creando portadores de carga mayoritarios que mejoran la conducción eléctrica. El dopaje leve usa una impureza cada 100 mill
Este documento contiene información sobre enlaces químicos, incluyendo diferentes tipos de enlaces como iónicos, metálicos y covalentes. También presenta tablas sobre electronegatividad y configuraciones electrónicas de los elementos.
Este documento diferencia entre celdas electroquímicas, galvánicas y electrolíticas. Explica que las celdas electroquímicas constan de dos electrodos sumergidos en soluciones electrolíticas separadas. Las celdas galvánicas almacenan energía eléctrica a través de reacciones espontáneas, mientras que las electrolíticas requieren una fuente externa de energía. También describe la representación esquemática de celdas y los mecanismos de conducción de carga en celdas galv
Aquí están las definiciones solicitadas:
- Voltaje de Celda: Diferencia de potencial entre los electrodos de una celda electroquímica.
- Potencial de electrodo: Diferencia de potencial entre un electrodo y un electrodo de referencia medida a través de un electrolito.
- Electrodo de referencia: Electrodo con potencial químicamente e independiente del potencial del electrodo de trabajo, usado para medir el potencial de este último.
- Electrodo de trabajo: Electrodo cuya reacción electroquímica se estudia y sobre el que se mide
Este documento describe los semiconductores, incluyendo que son elementos con conductividad eléctrica inferior a los metales pero superior a los aislantes. Explica que el silicio es el semiconductor más común y describe los semiconductores intrínsecos formados solo por átomos de silicio. También describe cómo los semiconductores pueden doparse agregando pequeñas cantidades de impurezas para crear semiconductores tipo P o tipo N.
El documento trata sobre los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica que los enlaces químicos determinan las propiedades de las sustancias como su punto de fusión, solubilidad y conductividad eléctrica. Los enlaces iónicos se forman entre metales y no metales, los enlaces metálicos entre átomos de metales, y los enlaces covalentes entre no metales que comparten electrones.
Este documento presenta un resumen de los temas centrales de la asignatura "Corrosión y Sistemas de Protección Catódica", incluyendo potenciales electroquímicos, series galvánicas, corrosión microscópica en celdas galvánicas, cinética de corrosión, diagramas de Evans, y reacciones de corrosión como la polarización, pasividad y transpasividad. El profesor José David Mestizo Granados impartirá la clase en el Instituto Técnico Central en 2020.
Este documento trata sobre los diferentes tipos de enlaces químicos. Explica que los átomos se unen para alcanzar una situación de mínima energía. Describe los enlaces iónico, covalente y metálico, y las teorías de Lewis y la teoría del enlace de valencia para explicarlos. También analiza las propiedades y estructuras de los compuestos iónicos.
Este documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos y moléculas, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica cómo los enlaces determinan las propiedades de las sustancias, como puntos de fusión, solubilidad y conductividad eléctrica. También describe las fuerzas intermoleculares como enlaces de hidrógeno y fuerzas de Van der Waals que actúan entre moléculas.
Los semiconductores son elementos con conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. El más común es el silicio, que forma una estructura cristalina tetraédrica. A temperatura ambiente, algunos electrones en el silicio absorben energía y saltan a la banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia. Esto crea pares electrón-hueco que transportan corriente eléctrica. Los semiconductores intrínsecos solo contienen silicio, mientras que los dopados contienen pequeñas cantidades de imp
Este documento presenta conceptos básicos de electroquímica y potenciometría directa. Explica que una reacción electroquímica involucra la ganancia o pérdida de electrones en la interfase electrodo-solución. También describe los tipos de celdas electroquímicas, electrodos de referencia e indicadores, y aplicaciones analíticas de la potenciometría directa como la medición de pH y concentraciones iónicas.
El documento explica que los semiconductores intrínsecos como el silicio y el germanio tienen pequeñas cantidades de electrones y huecos a temperatura ambiente. Los semiconductores dopados tienen impurezas añadidas que aumentan la cantidad de portadores de carga y mejoran la conductividad eléctrica. El dopaje leve usa una impureza por cada 100 millones de átomos, mientras que el dopaje pesado usa una impureza por cada 10,000 átomos.
Este documento describe la naturaleza de las soluciones electrolíticas y el transporte a través de membranas. Explica que las soluciones electrolíticas conducen la corriente eléctrica a través del movimiento de iones cargados, y que la velocidad de los iones depende de factores como la carga, el tamaño del ion y la viscosidad de la solución. También resume los principios básicos de la electrólisis, incluido que los iones se depositan en los electrodos al neutralizar sus cargas.
Este documento describe los modelos de la doble capa electroquímica, incluyendo el modelo de Helmholtz, Gouy-Chapman, Stern, Grahame y el modelo de Bockris, Devanathan y Muller. Explica que la doble capa electroquímica permite entender el comportamiento cinético de los procesos del electrodo y cómo la velocidad de la reacción depende del potencial en la interfase y de las especies electroactivas presentes.
Este documento explica los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos, dopados tipo N y tipo P. Los semiconductores intrínsecos tienen una conductividad eléctrica intermedia entre conductores y aislantes. Los semiconductores dopados se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas, llamadas dopantes, que alteran la densidad de portadores de carga. Los dopantes de tipo N añaden electrones, mientras que los de tipo P añaden huecos. El dopaje permite controlar si los electrones o los
La polarografía es un método electroquímico desarrollado en 1922 que utiliza un electrodo de gotas de mercurio para medir la corriente producida por reacciones redox cuando se aplica un voltaje. El electrodo de mercurio se renueva periódicamente y permite determinar especies químicas en concentraciones muy bajas. La polarografía ha sido usada ampliamente en análisis químico, incluyendo de iones metálicos, compuestos orgánicos y farmacéuticos.
El documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica cómo se forman cada uno y las propiedades características de los compuestos que contienen cada tipo de enlace. También cubre las fuerzas intermoleculares como los enlaces de hidrógeno y las fuerzas de London.
El documento describe los diferentes tipos de enlaces químicos entre átomos, incluyendo enlaces iónicos, metálicos y covalentes. Explica que los enlaces se forman debido a la tendencia de los átomos a alcanzar una configuración electrónica estable como la del gas noble más cercano, según la regla del octeto. Los diferentes tipos de enlaces dan lugar a propiedades distintas en las sustancias.
Este documento describe la teoría de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen dos bandas de energía, la de valencia y la de conducción, que están separadas por una pequeña brecha. Esto permite que algunos electrones se muevan libremente y conduzcan la corriente eléctrica cuando se aplica un voltaje. También introduce los conceptos de semiconductores intrínsecos y extrínsecos, que son dopados con impurezas para aumentar la cantidad de portadores de carga libres.
Fijación, transporte en camilla e inmovilización de columna cervical II.pptxjanetccarita
Explora los fundamentos y las mejores prácticas en fijación, transporte en camilla e inmovilización de la columna cervical en este presentación dinámica. Desde técnicas básicas hasta consideraciones avanzadas, este conjunto de diapositivas ofrece una visión completa de los protocolos cruciales para garantizar la seguridad y estabilidad del paciente en situaciones de emergencia. Útil para profesionales de la salud y equipos de respuesta ante emergencias, esta presentación ofrece una guía visualmente impactante y fácil de entender.
Esta exposición tiene como objetivo educar y concienciar al público sobre la dualidad del oxígeno en la biología humana. A través de una mezcla de ciencia, historia y tecnología, se busca inspirar a los visitantes a apreciar la complejidad del oxígeno y a adoptar estilos de vida que promuevan un equilibrio saludable entre sus beneficios y sus potenciales riesgos.
¡Únete a nosotros para descubrir cómo el oxígeno puede ser tanto un salvador como un destructor, y qué podemos hacer para maximizar sus beneficios y minimizar sus daños!
Los enigmáticos priones en la naturales, características y ejemplosalexandrajunchaya3
Durante este trabajo de la doctora Mar junto con la coordinadora Hidalgo, se presenta un didáctico documento en donde repasaremos la definición de este misterio de la biología y medicina. Proteinas que al tener una estructura incorrecta, pueden esparcir esta estructura no adecuada, generando huecos en el cerebro, de esta manera creando el tejido espongiforme.
Procedimientos para aplicar un inyectable y todo lo que tenemos que hacer antes de aplicarlo, también tenemos los pasos a seguir para realzar una venoclisis.
Esta presentación nos informa sobre los pólipos nasales, estos son crecimientos benignos en el revestimiento de los senos paranasales o fosas nasales, causados por inflamación crónica debido a alergias, infecciones o asma.
2. Doble Capa Eléctrica
Aparece también
en la superficie de
separación de dos
metales
Entre dos
disoluciones de
electrolitos
inmiscibles
Entre membranas
semipermeables que separan
soluciones de distinta
concentración
En la superficie
entre una sal
sólida y una
disolución
El contacto entre un metal y un electrolito
Produce una DIFERENCIA DE
POTENCIAL en la interfase de
separación que depende de la
naturaleza y composición de las dos
fases
3. Se debe a una doble capa
eléctrica.
Una fase adquiere carga
positiva y la otra una carga
negativa
Propiedades debidas a la DOBLE
CAPAELÉCTRICA
Fenómenos
electrocinéticos
Procesos que ocurren en las
membranas de las células
vivas
Floculación de coloides
hidrófobos
La diferencia de potencial
4. Doble Capa Eléctrica ó
Interfase Electrificada
Presenta un grosor
entre 10 y 100Aͦ
La estructura de esta región
difiere significativamente de la
que prevalece en el seno de la
solución
Existen también gradientes
de concentración grandes,
puesto que los reactivos se
han agotado por la reacción
de electrodo
Existen campos eléctricos
muy grandes que a menudo
exceden los 107 voltios/cm
5. Modelos propuestos para la Estructura de la Doble
Capa Eléctrica ( DCE).
Helmholtz. La diferencia de potencial se establece entre
dos capas de cargas eléctricas de signos opuestos. En el
caso de una interface metal/electrolito , una capa de cargas
estará sobre el metal, y si el electrodo está cargado
negativamente con respecto a la solución, del lado de la
solución de la interfaz habrá una capa de iones
positivamente cargados. Tal sistema es similar a un
condensador de placas paralelas. Sin embargo, las
mediciones de capacitancia de la DCE y su dependencia de
la concentración del electrolito, demostraron que este
modelo era inadecuado.
6. Modelos propuestos para la Estructura de la Doble
Capa Eléctrica ( DCE).
Gouy y Chapman sugirieron que la estructura de la DCE
no es rígida como lo propuso Helmholtz, sino difusa debido a
la agitación térmica de los iones en solución y a las fuerzas
eléctricas entre estos iones.
Stern. La teoría de la DC difusa no explicó las capacitancias
de la DCE por lo que este investigador propuso que la DC es
una combinación de una capa rígida (en la cual las sustancias
se adsorben sobre el metal) y una capa difusa.
7. Modelos propuestos para la Estructura de la Doble Capa
Eléctrica ( DCE).
Graham propuso lo que ahora se considera el
moderno esquema cualitativo de la DCE en una
interfaz metal/solución:
a) La fase metálica tiene una carga eléctrica neta debida a un
exceso ó a un déficit de electrones.
b) La carga está confinada a una capa tan delgada en la
superficie del metal que puede considerarse bidimensional.
c) La capa de Helmholtz sobre el lado de la solución de la
interfase existen moléculas de disolvente y algunas veces
de otras moléculas neutras que están adsorbidas sobre el
metal.
8. d) Si estas moléculas presentan dipolos (ej. agua), éstos
estarán orientados de acuerdo a la carga del metal.
e) Hay además algunos iones (usualmente una monocapa
de aniones) adsorbidas sobre la superficie del
metal. Las fuerzas involucradas en esta adsorción no
son claras, sin embargo, antes de que el anión se
adsorba debe perder (parcial o totalmente) sus
moléculas de solvatación. A estos aniones se les
llama iones específicamente adsorbidos y al plano
que pasa a través de estos iones se le llama
plano interno de Helmholtz (IHP).
9. f) Lejos del electrodo hay una capa de iones solvatados,
éstos son iones no-específicamente adsorbidos. Al
plano que pasa a través de los centros de los iones
más cercanos al electrodo se le llama plano externo de
Helmholtz (OHP), el cual marca la frontera de la capa
de Helmholtz y el inicio de la capa difusa la cual
contiene otros iones no específicamente adsorbidos.
10. Representación Esquemática de la Doble Capa
Eléctrica
-
-
-
-
Capa de agua secundaria
Cationes solvatados
Capa de agua primaria
Estructura normal del agua
Aniones específicamente adsorbidos
Plano Interno de Helmholtz
Plano Externo de Helmholtz
Plano del
Metal
11. LA INTERFASE ELECTRIFICADA
Representación esquemática de la orientación aleatoria de
los dipolos de agua en el interior del electrolito (la estructura
de red del agua se ignora en el diagrama).
12. Electroneutralidad en el interior de un electrolito
Representación esquemática de la electroneutralidad en el interior de un
electrolito. (A) Lámina en el seno del electrolito. (b) Teoría de la lámina que
muestra que contiene una cantidad igual de carga positiva y negativa y, por
lo tanto, tiene una carga neta cero.
13. Interfase
Diagrama esquemático para ilustrar que, en la región de interfase (indicada por
sombreado), generalmente hay una orientación dipolar neta y una densidad de
carga neta o en exceso.
14. Carga del lado de la solución en la interfase
Representación esquemática de la carga del lado de la solución en la interfase.
(A) El sombreado indica un exceso de densidad de carga en la región de
interfase. (B) teoría que muestra que la carga positiva en una lámina en la
interfase excede la carga negativa y hay una densidad neta o en exceso de carga
positiva en la lámina.
15. La Interfase Electrificada
La interfase electrificada. El exceso de densidad de carga en qS en el lado de la
solución de la interfase es igual y opuesta a la del metal qM.
16. La capa de moléculas de agua orientadas
sobre un electrodo cargado.
La capa de moléculas de agua orientadas en un electrodo cargado. Debido al
exceso de carga negativa en el electrodo, hay un exceso de dipolos de agua con
sus extremos positivos de hidrógeno (las puntas de flecha) apuntando hacia el
metal. Para mayor claridad, la estructura del resto de la solución no se dibuja.
17. Una capa de iones solvatados sobre la capa
de la primera columna de agua
Capa de iones solvatados en la capa de agua de la primera fila. El lugar
geométrico de los centros de estos iones solvatados define el OHP.
18. DOBLE CAPA
(a) Una doble capa, un tipo hipotético simple de interfaz electrificada en la que
una capa de iones en el OHP constituye el exceso total de carga qS en la solución.
Las capa de solvatación de estos iones y la primera fila de moléculas de agua en
el electrodo no se muestran en el diagrama. (b) El equivalente eléctrico de dicha
doble capa es un condensador de placa paralela.
19. Variación lineal de potencial de la doble capa
Variación lineal del potencial correspondiente a la doble capa.
20. Atmósfera iónica
Una situación en la que la densidad de carga en exceso en el OHP es
menor en magnitud que la carga en el metal, qS = qM qSOHP. La
carga restante se distribuye en la solución. Las capas de solvatación de
los iones y las moléculas de agua no se muestran en el diagrama.
21. Variación de potencial a partir de la atmósfera
iónica
Variación del potencial correspondiente a la atmósfera iónica.
22. Adsorción por contacto
El proceso de adsorción por contacto en el que los iones del OHP
desplazan las moléculas de agua de la primera fila y se adsorben en
contacto con el electrodo.
23. Los iones negativos pueden adsorberse por contacto
en un electrodo cargado negativamente.
24. Estructura de la interfase electrificada
Representación esquemática de la estructura de una interfaz electrificada.
Los iones positivos pequeños tienden a estar solvatados, mientras que los
iones negativos más grandes generalmente no están solvatados.