SISTEMA DIGITALES I

   LA FAMILIA LÓGICA CMOS
Introducción
 Los transistores de la tecnología MOS
 son transistores de efecto de campo
 llamados MOSFET.
 El MOSFET tiene varias ventajas:
   Es relativamente simple
   Poco costoso de fabricar
   Es pequeño
   Consume muy poca energía
Introduccion(2)
 Los dispositivos MOS ocupan menos
 espacio que los transistores Bipolares
 (BJT) porque normalmente no usan los
 elementos resistivos que ocupan los CI
 bipolares. Esta ventaja se llama mayor
 densidad de integración (o de
 empaquetamiento)
Tipos de MOSFET




ID                       ID




            VGS               VGS
     +Vth         -Vth
Características de
Transferencia
 La corriente circula por el MOSFET de
 canal N solo cuando el voltaje de
 entrada VGS es positivo y mayor que el
 voltaje de umbral Vth.
 Para hacer conducir al MOSFET de canal
 P se requiere aplicar a la entrada un
 voltaje negativo y menor que el voltaje
 de umbral.
Inversor CMOS
                In   Out
                L    H
                H    L
Opercación del Inversor CMOS
 Cuando en la entrada se aplica un voltaje de
 entrada bajo:
   El voltaje VGS del Q1 es apropiado para que pueda
   conducir         Ron = 1KΩ
   El voltaje VGS del Q2 es igual a cero por lo tanto
   Q2 no puede conducir         Roff = 10G Ω
   Por lo que Vout = Vdd (+5V)
 Cuando el voltaje de la entrada es alto el
 Vout = 0V
Características Generales de
los CI de la Familia CMOS
 40: fue la primera introducida por RCA
 40xxB: La B significa buffer, tiene mayor
 capacidad de corriente en sus salidas
 74Cxx: compatible con los CI TTL, las
 características son casi las mismas de 40xx
 74HC: CMOS de alta velocidad, aumento de
 la velocidad de conmutación en 10 veces. La
 velocidad es comparable con la serie 74LS de
 TTL
Más Características
  Voltaje de Salida             Voltaje de Entrada

        VoL 0V                  ViL     ≤30% Vdd
        VoH Vdd                 ViH     ≥70% Vdd

  Voltaje de Alimentación       Margen de Ruido
Serie         Voltaje                 30% Vdd
40, 40xxB, 74C +3V hasta +15V
74HC, 74HCT   +3V hasta +6V
Más Características
Al aumentar el voltaje de alimentación también se aumentará el
consumo de potencia y más grande será la disipación de
potencia.
En estado estático la disipación de potencia es
extremadamente baja (nW)
Cada vez que una salida CMOS pasa de Bajo a Alto, tiene que
suministrar una corriente a la capacitancia de carga
Una entrada CMOS tiene una resistencia extremadamente
grande y una capacitancia parásita de 5 pF
Los CI CMOS tienen un Fan-Out máximo de 50 para las
operaciones a frecuencias no mayor a 1 MHz, para las
frecuencias más altas el Fan-Out será menor
El retardo de propagación de los CMOS (tpd) es mayor que el
de los TTL
Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas
Susceptibilidad a la carga
estática
 La alta impedancia de entrada de la familia
 lógica CMOS la hace muy susceptible a la
 carga estática.
 Precauciones de manejo:
   Conecte el chasís de todos los instrumentos de
   prueba a tierra física.
   Conéctese Ud. a tierra física con una pulsera
   especial.
   Mantenga los CI en una esponja conductora o
   papel aluminio.

Sd4(2)

  • 1.
    SISTEMA DIGITALES I LA FAMILIA LÓGICA CMOS
  • 2.
    Introducción Los transistoresde la tecnología MOS son transistores de efecto de campo llamados MOSFET. El MOSFET tiene varias ventajas: Es relativamente simple Poco costoso de fabricar Es pequeño Consume muy poca energía
  • 3.
    Introduccion(2) Los dispositivosMOS ocupan menos espacio que los transistores Bipolares (BJT) porque normalmente no usan los elementos resistivos que ocupan los CI bipolares. Esta ventaja se llama mayor densidad de integración (o de empaquetamiento)
  • 4.
    Tipos de MOSFET ID ID VGS VGS +Vth -Vth
  • 5.
    Características de Transferencia Lacorriente circula por el MOSFET de canal N solo cuando el voltaje de entrada VGS es positivo y mayor que el voltaje de umbral Vth. Para hacer conducir al MOSFET de canal P se requiere aplicar a la entrada un voltaje negativo y menor que el voltaje de umbral.
  • 6.
    Inversor CMOS In Out L H H L
  • 7.
    Opercación del InversorCMOS Cuando en la entrada se aplica un voltaje de entrada bajo: El voltaje VGS del Q1 es apropiado para que pueda conducir Ron = 1KΩ El voltaje VGS del Q2 es igual a cero por lo tanto Q2 no puede conducir Roff = 10G Ω Por lo que Vout = Vdd (+5V) Cuando el voltaje de la entrada es alto el Vout = 0V
  • 8.
    Características Generales de losCI de la Familia CMOS 40: fue la primera introducida por RCA 40xxB: La B significa buffer, tiene mayor capacidad de corriente en sus salidas 74Cxx: compatible con los CI TTL, las características son casi las mismas de 40xx 74HC: CMOS de alta velocidad, aumento de la velocidad de conmutación en 10 veces. La velocidad es comparable con la serie 74LS de TTL
  • 9.
    Más Características Voltaje de Salida Voltaje de Entrada VoL 0V ViL ≤30% Vdd VoH Vdd ViH ≥70% Vdd Voltaje de Alimentación Margen de Ruido Serie Voltaje 30% Vdd 40, 40xxB, 74C +3V hasta +15V 74HC, 74HCT +3V hasta +6V
  • 10.
    Más Características Al aumentarel voltaje de alimentación también se aumentará el consumo de potencia y más grande será la disipación de potencia. En estado estático la disipación de potencia es extremadamente baja (nW) Cada vez que una salida CMOS pasa de Bajo a Alto, tiene que suministrar una corriente a la capacitancia de carga Una entrada CMOS tiene una resistencia extremadamente grande y una capacitancia parásita de 5 pF Los CI CMOS tienen un Fan-Out máximo de 50 para las operaciones a frecuencias no mayor a 1 MHz, para las frecuencias más altas el Fan-Out será menor El retardo de propagación de los CMOS (tpd) es mayor que el de los TTL Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas
  • 11.
    Susceptibilidad a lacarga estática La alta impedancia de entrada de la familia lógica CMOS la hace muy susceptible a la carga estática. Precauciones de manejo: Conecte el chasís de todos los instrumentos de prueba a tierra física. Conéctese Ud. a tierra física con una pulsera especial. Mantenga los CI en una esponja conductora o papel aluminio.