Transistores
TRANSISTORES
• En 1950 se construyo el primer transistor
Schokley
• Remplazaron a los voluminosos tubos al
vació, que necesitaban para su
funcionamiento de una resistencia de caldeo,
consumo de energía excesivo y acortaba la
vida de los mismos.
• Realizan la función de amplificación, control,
estabilización.
Transistores
• El propósito de un transistor es controlar
señales.
• Los transistores controlan una gran señal con
una pequeña.
TRANSISTORES
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• La palabra bipolar se deriva del hecho de que
internamente existe una doble circulación de
portadores de corriente electrones y huecos.
• Tiene tres capas semiconductores, con sus
respectivos contactos: Colector, Base y Emisor
C
E
B
BASE: Controla el
flujo de electrones
COLECTOR: Recibe los electrones
EMISOR: Emite cargas o electrones a la base
SÍMBOLO ESQUEMÁTICO
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• Se construyen con materiales semiconductores
de germanio y silicio, con tres regiones
semiconductores en forma alternada
SEMICONDUCTORES
TIPO N
JUNTURA
JUNTURA
SEMICONDUCTOR TIPO
P
E: se fabrica con un
grado de contaminación
alto. Área Standard
C: se fabrica con un
grado de contaminación
intermedio, area grande
B: Área muy delgada
ligeramente dopada
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• E: emisor, semiconductor muy contaminado,
exceso de electrones, emite los electrones a
la base
• B: base, dimensión extremadamente delgada
con un grado tenue de contaminación
• C: colector, fabricado con un grado tenue de
contaminación, recoge los electrones
enviados por el emisor. Área grande
comparado de los tres para disipar la mayor
cantidad de calor generado.
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• Los electrones emitidos por el emisor atraviesan,
prácticamente en su totalidad, a la base, para acabar
dirigiéndose al colector. La misión de la base
consistirá en controlar dicho flujo de electrones.
• El transistor NPN es el más utilizado actúa más
rápido y se adapta mejor a los sistemas donde se
conecta el negativo a masa o tierra.
N NP
E C
B
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• La cantidad de corriente que fluye a través de un
resistor (RL) puede regularse variando los voltajes
que se aplican a cada uno de los tres elementos
C
E
B RL
Al controlar la corriente electrónica se pueden
obtener aplicaciones útiles, como la amplificación,
la detección y la oscilación
VBE
VCE
VCB
IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo muy
versátil que se emplea como :
Amplificador: recibe una
pequeña corriente de señal en su
entrada y convierte en otra de
mayor señal en la salida
Oscilador: recibe una señal
proveniente de una fuente DC y
convierte en una salida CA
(circuito oscilador)
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR
• Circuito Amplificador
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR
• Circuito oscilador
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR
Modulador: se emplea transistores para
superponer una señal de audio frecuencia sobre
una portadora de rf en el proceso de modulación
Demodulador: o detector se emplean transistores
para separar la componente de audio de la
portadora de una señal recibida
Convertidor: se utiliza el transistor para cambiar la
forma de una onda; por ejemplo puede convertir
una onda senoidal en una onda cuadrada
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
• Se construyen con materiales semiconductores
de germanio y silicio, con tres regiones
semiconductores en forma alternada
• Estas tres regiones semiconductores se
configuran en dos tipos: PNP y NPN
P N P
EC
B
N P N
E
C
B
EC
B
EC
B
Símbolo esquemático
• Se le designa con la letra Q
Polarización de los transistores
• Suministrar las tensiones adecuadas para su
funcionamiento:
• La juntura Base – Emisor, polarización directa
• La juntura Colector – Base, polarización inversa
N NP
Polarización
Inversa
Polarización
directa
1.5 v 9v
E C
B
Transistor NPN
N
P
N
+
_
NPN
+
Negativo al emisor
IC IC
IB
IEVBE
VCE
Transistor PNP
P
N
P
PNP
_
+
_ Positivo al emisor
VBE
+
+
IC
IE
IB
VCE
Funcionamiento del transistor
N NP
Polarización
Inversa
Polarización
directa
IC
IB
IE
1.5 v 9v
E C
b
a
B
Funcionamiento del transistor
• La principal barrera ab desaparece por la
polarización directa y los electrones serán atraídos
por los potenciales positivos de la base y el
colector, dado que el potencial positivo del colector
es mucho más elevado que el de la base, los
electrones serán más atraídos por el primero, lo
que se obtiene una elevada corriente de colector y
una corriente pequeña de base
• La corriente de colector varía en consonancia con
la corriente de base, podemos observar la
propiedad del transistor, la amplificación de
corriente
Intensidades de corriente en el transistor
N NP
IC
IB
IE
E C
B
• 99% de la corriente del emisor se dirige
directamente al colector
• 1% a la base
• Se establece una relación IE = IB + IC
Intensidades de corriente en el transistor
99.0
8
92.7




mA
mAC

100
08.0
8




C

• PARAMETRO ALFA DE UN TRANSISTOR
• PARAMETRO BETA DE UN TRANSISTOR O
GANACIA DE CORRIENTE – Hfe
• En manuales técnicos beta = hfe
Intensidades de corriente en el
transistor
• Alfa nunca excede a 1, el rango de valores
normales está entre 0.97 y 0.99.
• Los valores de beta son mayores que 1.
• Ib siempre es más pequeño que Ic.
• El rango de valores normales esta entre 20 y
400
Polarización de un transistor para una
buena amplificación
• Suministrar las tensiones adecuadas de
alimentación
• Conectar los resistores apropiados de forma
que la señal de entrada al circuito no resulte
deformada o distorsionada a la salida
• Los capacitores son acopladores de señales,
eliminan la componente de la corriente
continua que pudiera aparecer en la señal
Polarización de un transistor NPN
• Polarización directa en la base: voltaje
positivo pequeño en la base y voltaje
negativo en el emisor.
• Polarización inversa en el colector: Voltaje
positivo grande en el colector, voltaje
negativo en el emisor.
Polarización de un transistor PNP
• Polarización directa en la base: voltaje negativo
pequeño en la base y voltaje positivo en el
emisor.
• Polarización inversa en el colector: Voltaje
negativo grande en el colector, voltaje positivo
en el emisor.
Polarización directa en la base
• La cantidad de corriente del colector depende
del voltaje de polarización en la base o la
corriente de base dentro de ciertos limites.
• La polarización directa en la base debe ser de
0.7 V. Para el silicio y 0.3 V. para el germanio
Polarización inversa en el
emisor
• La polarización inversa en el colector debe ser
mucho mayor que la polarización en la base, y
corriente empieza a fluir
Corte y saturación
• De acuerdo a la polarización directa a la base
se produce el corte o saturación del transistor
Corte y saturación
• La cantidad de corriente de colector depende del voltaje
de polarización en la base o la corriente de base dentro
de ciertos limites.
• Recuerde que la base es delgada y ligeramente dopada.
La mayoría de los portadores de corriente pasan por el
colector. La corriente de base es pequeña, sin embargo
la corriente de colector es grande. Recuerde que el
colector es grande y moderadamente dopado, y que la
mayoría de los portadores de corriente del emisor son
atraídos por el colector
• Debido al número limitado de portadores de corriente en
la base, incrementado la polarización en la base solo se
tiene un ligero incremento en la corriente de base
Corte y saturación
• El emisor esta altamente dopado y un incremento en el
voltaje de base genera mas portadores de corriente a la
entrada de base. Esto causa que la corriente de colector
se incremente significativamente.
• Incrementando la polarización de base demasiado
genera que la corriente de colector permanezca
constante. Todos los portadores de corriente disponibles
en el emisor se están usando.
• El punto cuando no hay mayor incremento de la Ic
aunque el voltaje de polarización de base se incremente,
se le conoce como saturación. El transistor actúa como
un corto entre el colector y el emisor.
Corte y saturación
• Disminuyendo la polarización de base se obtiene el
efecto opuesto.
• Disminuyendo la polarización de base por debajo del
nivel de polarización directa de la unión emisor base
paraliza el flujo de corriente en su conjunto.
• Ya que la base es mas negativa que el emisor, la
corriente Ib para. Ic para por que los portadores de
corriente no pueden ingresar a la base.
• El punto donde Ib e Ic paran se llama corte. El transistor
actúa como un circuito abierto entre el colector y el
emisor.
Polarización con una fuente de
alimentación
• En la polarización estamos utilizando dos
fuentes de alimentación.
Polarización con una fuente de
alimentación
• Existen tres tipos de circuitos básicos de
polarización usando una sola fuente
Polarización fija
• Rb resistor que se
conecta directamente
a Vcc y polariza a la
base.
• RL resistor de carga.
• Rb y RL bajan el
valor de +Vcc de
modo que EB se
polarice directamente
y CB inversamente
Polarización fija
• Desventaja: pequeños
cambios de la corriente de
base, debido a los cambios
de temperatura, afectan en el
colector.
• Pequeños cambios de voltaje
en la base causan grandes
cambios en la corriente del
colector.
• En un transistor PNP la
polarización : -Vcc
Autopolarizazión
• Rb resistor de
polarización de base y
esta conectado
directamente al colector.
• RL resistor de carga.
• Usando auto polarización
se supera la desventaja
de la temperatura de la
polarización fija.
Autopolarización
• Si Ic se incrementa
debido a la temperatura,
el voltaje en RL se
incrementa, el voltaje en
Rb disminuye.
• Esto reduce la
polarización de base
que reduce a Ic
regresando a su valor
normal.
Autopolarización
• Desventaja: reducir el
control de la
polarización de base
sobre la corriente de
colector.
• En un transistor PNP la
polarización: -Vcc
Polarización combinada
• Existen muchos tipos
de polarización.
• El divisor de voltaje es
uno de los más usado
• La desventaja de la
polarización fija y auto
polarización se supera
con la polarización
combinada.
Polarización combinada
• R1 y R2 forman un
divisor de voltaje que
fija la polarización de
la base.
• R3 auto polariza al
emisor.
• RL resistor de carga.
Polarización combinada
• El voltaje de emisor se
determina por la cantidad de
corriente que fluye a través de
R3, que es controlado por el
voltaje de base.
• C1 se usa para asegurar que
ninguna señal AC ingrese al
emisor, Esto estabiliza los
voltajes de polarización DC
• Transistor NPN: -Vcc
Configuraciones básicas
• Las tres configuraciones básicas de circuitos
para amplificadores a transistores son:
• Emisor común, colector común y base
común.
• El termino común se usa para denotar el
elemento que es común a la entrada y a la
salida.
• Cada configuración tiene características
particulares que lo hacen útiles para
aplicaciones específicas
Configuraciones básicas
Emisor Común
• Es la más usada en amplificadores.
• Provee buena amplificación de corriente,
voltaje y potencia.
• La señal de entrada se aplica a la base y el
emisor y la salida se toma del colector y el
emisor.
Emisor Común
La configuración de emisor común tiene:
• Impedancia de entrada: baja (500 – 1000
ohm) -Polarizacion directa
• Impedancia de salida: media-alta (30-50
Kohm)- Polarización inversa
• Ganancia de corriente: media-alta
• Ganancia de voltaje: media- alta
• Ganancia de potencia: Alta
• Fase entrada/salida: 180°
Emisor Común
La señal de salida esta desfasada 180º con la señal de
entrada.
C1 provee un camino para cualquier señal AC no
deseada. Esto asegura que la señal de salida no se afecte
Emisor Común
C2 es capacitor de acople que previene que cualquier
voltaje DC de la entrada, sea tomado por la base del
transistor.
C3 es capacitor de acople de salida para prevenir que la
polarización DC en el colector vaya ser tomada en la
salida
Colector común
• Se usan para acoplar impedancias, entradas de
alta impedancia se acoplan a cargas de baja
impedancia
Colector común
• La señal de entrada se aplica entre la base y el
colector y la salida entre el emisor y el colector.
• La señal de salida esta en fase.
Colector común
• Impedancia de entrada es alta: 2K a 500k
(polarización inversa)
• Impedancia de salida es baja: 50 a 1500 ohmios
(polarización directa)
Colector común
La configuración de colector común tiene:
• Impedancia de entrada: alta
• Impedancia de salida: baja
• Ganancia de corriente: alta
• Ganancia de voltaje: baja
• Ganancia de potencia: media
• Fase entrada/salida: 0°
Colector común
• La señal de salida esta determinada por el
resistor de carga R3.
• La señal de salida es una replica de la señal de
entrada
Colector común
• C1 capacitor de entrada previene que un voltaje DC
llegue a la base del transistor; también acopla a la
señal AC de la etapa previa con la base del
transistor. C2 capacitor de acople de salida y
previene que la polarización DC en el emisor sea
tomado de la salida
Base común
• Se utilizan para acoplar impedancia, acopla una
baja impedancias de entrada, con una
impedancia de carga alta.
• la señal de entrada se aplica entre el emisor y
la base y la señal de salida entre el colector y la
base
Base común
• La señal de salida esta en fase con la entrada.
• Impedancia de entrada es baja: 30 a 160
ohmios (polarización directa)
• Impedancia de salida es alta: 250 a 550 K
(polarización inversa)
Base común
La configuración de base común tiene:
• Impedancia de entrada: baja
• Impedancia de salida: alta
• Ganancia de corriente: baja
• Ganancia de voltaje: alta
• Ganancia de potencia: baja
• Fase entrada/salida: 0°
Base común
• La señal de salida es una replica grande de la
señal de entrada
Base común
• C2 es un capacitor de acople de entrada que
previene que el voltaje DC sea tomado desde el
emisor al transistor
• C3 es un capacitor de acople de salida y previene
que la polarización DC en el colector sea tomada por
la salida
Propiedades del transistor
• El emisor común es la mejor configuración de
amplificador por sus altas propiedades.
• Las configuraciones de CC y CB son más
adecuados para acoplamiento.
CLASIFICACION
1) Por disposición de sus capas: Transistor PNP y
NPN
2) Por el material semiconductor empleado: Silicio y
Germanio
3) Por la frecuencia de trabajo: Baja frecuencia y alta
frecuencia
4) Por la disposición de potencia: baja potencia,
mediana potencia y alta potencia
Alta Potencia
Mediana Potencia Baja Potencia
Identificación de los terminales
• Están marcados con número de
identificación
Identificación de los terminales
• La mayoría de los pines de los transistores
forman un circulo. La base está en el medio
Identificación de los terminales
• El emisor está a la izquierda o al costado de la
muesca cuando el semicírculo apunta hacia
arriba
Identificación de los terminales
• El colector está al costado o a la derecha
de la muesca
Transistores de potencia
• El colector esta
conectado a la
cubierta del metal
del transistor (case)
Identificación del transistor
• Identificar si el transistor es tipo NPN o tipo PNP
e identificar los pines: Base, colector y emisor
Identificación de los pines del
transistor
1. Tomar un terminal como punto común de prueba y medir este punto con los
dos restantes de manera independiente tal como se muestra la figura.
2. Al medir obtendremos una lectura de bajo valor ohmico muy similar,
diremos entonces que el punto común es la base.
3. Una vez identificada la base, podemos identificar si es PNP / NPN
• Es NPN, si el punto de prueba conectada a la base es la punta positiva
(roja)
• Es PNP, si el punto de prueba conectada a la base es la punta negativa
(negra)
4. La más baja resistencia de las dos lecturas es el colector y el otro será el
emisor.
Operatividad de los Transistores
• El transistor se prueba como dos diodos, esto significa que la resistencia en
cada diodo tiene una lectura de alta y baja resistencia.
Operatividad de los Transistores

transistor bipolar

  • 1.
  • 2.
    TRANSISTORES • En 1950se construyo el primer transistor Schokley • Remplazaron a los voluminosos tubos al vació, que necesitaban para su funcionamiento de una resistencia de caldeo, consumo de energía excesivo y acortaba la vida de los mismos. • Realizan la función de amplificación, control, estabilización.
  • 4.
    Transistores • El propósitode un transistor es controlar señales. • Los transistores controlan una gran señal con una pequeña.
  • 5.
  • 6.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •La palabra bipolar se deriva del hecho de que internamente existe una doble circulación de portadores de corriente electrones y huecos. • Tiene tres capas semiconductores, con sus respectivos contactos: Colector, Base y Emisor C E B BASE: Controla el flujo de electrones COLECTOR: Recibe los electrones EMISOR: Emite cargas o electrones a la base SÍMBOLO ESQUEMÁTICO
  • 7.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •Se construyen con materiales semiconductores de germanio y silicio, con tres regiones semiconductores en forma alternada SEMICONDUCTORES TIPO N JUNTURA JUNTURA SEMICONDUCTOR TIPO P E: se fabrica con un grado de contaminación alto. Área Standard C: se fabrica con un grado de contaminación intermedio, area grande B: Área muy delgada ligeramente dopada
  • 8.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •E: emisor, semiconductor muy contaminado, exceso de electrones, emite los electrones a la base • B: base, dimensión extremadamente delgada con un grado tenue de contaminación • C: colector, fabricado con un grado tenue de contaminación, recoge los electrones enviados por el emisor. Área grande comparado de los tres para disipar la mayor cantidad de calor generado.
  • 9.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •Los electrones emitidos por el emisor atraviesan, prácticamente en su totalidad, a la base, para acabar dirigiéndose al colector. La misión de la base consistirá en controlar dicho flujo de electrones. • El transistor NPN es el más utilizado actúa más rápido y se adapta mejor a los sistemas donde se conecta el negativo a masa o tierra. N NP E C B
  • 10.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •La cantidad de corriente que fluye a través de un resistor (RL) puede regularse variando los voltajes que se aplican a cada uno de los tres elementos C E B RL Al controlar la corriente electrónica se pueden obtener aplicaciones útiles, como la amplificación, la detección y la oscilación VBE VCE VCB IE = IC + IB VCB = VCE - VBE
  • 11.
    CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR Eltransistor es un dispositivo muy versátil que se emplea como : Amplificador: recibe una pequeña corriente de señal en su entrada y convierte en otra de mayor señal en la salida Oscilador: recibe una señal proveniente de una fuente DC y convierte en una salida CA (circuito oscilador)
  • 12.
  • 13.
  • 14.
    CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR Modulador:se emplea transistores para superponer una señal de audio frecuencia sobre una portadora de rf en el proceso de modulación Demodulador: o detector se emplean transistores para separar la componente de audio de la portadora de una señal recibida Convertidor: se utiliza el transistor para cambiar la forma de una onda; por ejemplo puede convertir una onda senoidal en una onda cuadrada
  • 15.
    TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) •Se construyen con materiales semiconductores de germanio y silicio, con tres regiones semiconductores en forma alternada • Estas tres regiones semiconductores se configuran en dos tipos: PNP y NPN P N P EC B N P N E C B EC B EC B
  • 16.
    Símbolo esquemático • Sele designa con la letra Q
  • 17.
    Polarización de lostransistores • Suministrar las tensiones adecuadas para su funcionamiento: • La juntura Base – Emisor, polarización directa • La juntura Colector – Base, polarización inversa N NP Polarización Inversa Polarización directa 1.5 v 9v E C B
  • 18.
  • 19.
    Transistor PNP P N P PNP _ + _ Positivoal emisor VBE + + IC IE IB VCE
  • 20.
    Funcionamiento del transistor NNP Polarización Inversa Polarización directa IC IB IE 1.5 v 9v E C b a B
  • 21.
    Funcionamiento del transistor •La principal barrera ab desaparece por la polarización directa y los electrones serán atraídos por los potenciales positivos de la base y el colector, dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la base, los electrones serán más atraídos por el primero, lo que se obtiene una elevada corriente de colector y una corriente pequeña de base • La corriente de colector varía en consonancia con la corriente de base, podemos observar la propiedad del transistor, la amplificación de corriente
  • 22.
    Intensidades de corrienteen el transistor N NP IC IB IE E C B • 99% de la corriente del emisor se dirige directamente al colector • 1% a la base • Se establece una relación IE = IB + IC
  • 23.
    Intensidades de corrienteen el transistor 99.0 8 92.7     mA mAC  100 08.0 8     C  • PARAMETRO ALFA DE UN TRANSISTOR • PARAMETRO BETA DE UN TRANSISTOR O GANACIA DE CORRIENTE – Hfe • En manuales técnicos beta = hfe
  • 24.
    Intensidades de corrienteen el transistor • Alfa nunca excede a 1, el rango de valores normales está entre 0.97 y 0.99. • Los valores de beta son mayores que 1. • Ib siempre es más pequeño que Ic. • El rango de valores normales esta entre 20 y 400
  • 25.
    Polarización de untransistor para una buena amplificación • Suministrar las tensiones adecuadas de alimentación • Conectar los resistores apropiados de forma que la señal de entrada al circuito no resulte deformada o distorsionada a la salida • Los capacitores son acopladores de señales, eliminan la componente de la corriente continua que pudiera aparecer en la señal
  • 26.
    Polarización de untransistor NPN • Polarización directa en la base: voltaje positivo pequeño en la base y voltaje negativo en el emisor. • Polarización inversa en el colector: Voltaje positivo grande en el colector, voltaje negativo en el emisor.
  • 27.
    Polarización de untransistor PNP • Polarización directa en la base: voltaje negativo pequeño en la base y voltaje positivo en el emisor. • Polarización inversa en el colector: Voltaje negativo grande en el colector, voltaje positivo en el emisor.
  • 28.
    Polarización directa enla base • La cantidad de corriente del colector depende del voltaje de polarización en la base o la corriente de base dentro de ciertos limites. • La polarización directa en la base debe ser de 0.7 V. Para el silicio y 0.3 V. para el germanio
  • 29.
    Polarización inversa enel emisor • La polarización inversa en el colector debe ser mucho mayor que la polarización en la base, y corriente empieza a fluir
  • 30.
    Corte y saturación •De acuerdo a la polarización directa a la base se produce el corte o saturación del transistor
  • 31.
    Corte y saturación •La cantidad de corriente de colector depende del voltaje de polarización en la base o la corriente de base dentro de ciertos limites. • Recuerde que la base es delgada y ligeramente dopada. La mayoría de los portadores de corriente pasan por el colector. La corriente de base es pequeña, sin embargo la corriente de colector es grande. Recuerde que el colector es grande y moderadamente dopado, y que la mayoría de los portadores de corriente del emisor son atraídos por el colector • Debido al número limitado de portadores de corriente en la base, incrementado la polarización en la base solo se tiene un ligero incremento en la corriente de base
  • 32.
    Corte y saturación •El emisor esta altamente dopado y un incremento en el voltaje de base genera mas portadores de corriente a la entrada de base. Esto causa que la corriente de colector se incremente significativamente. • Incrementando la polarización de base demasiado genera que la corriente de colector permanezca constante. Todos los portadores de corriente disponibles en el emisor se están usando. • El punto cuando no hay mayor incremento de la Ic aunque el voltaje de polarización de base se incremente, se le conoce como saturación. El transistor actúa como un corto entre el colector y el emisor.
  • 33.
    Corte y saturación •Disminuyendo la polarización de base se obtiene el efecto opuesto. • Disminuyendo la polarización de base por debajo del nivel de polarización directa de la unión emisor base paraliza el flujo de corriente en su conjunto. • Ya que la base es mas negativa que el emisor, la corriente Ib para. Ic para por que los portadores de corriente no pueden ingresar a la base. • El punto donde Ib e Ic paran se llama corte. El transistor actúa como un circuito abierto entre el colector y el emisor.
  • 34.
    Polarización con unafuente de alimentación • En la polarización estamos utilizando dos fuentes de alimentación.
  • 35.
    Polarización con unafuente de alimentación • Existen tres tipos de circuitos básicos de polarización usando una sola fuente
  • 36.
    Polarización fija • Rbresistor que se conecta directamente a Vcc y polariza a la base. • RL resistor de carga. • Rb y RL bajan el valor de +Vcc de modo que EB se polarice directamente y CB inversamente
  • 37.
    Polarización fija • Desventaja:pequeños cambios de la corriente de base, debido a los cambios de temperatura, afectan en el colector. • Pequeños cambios de voltaje en la base causan grandes cambios en la corriente del colector. • En un transistor PNP la polarización : -Vcc
  • 38.
    Autopolarizazión • Rb resistorde polarización de base y esta conectado directamente al colector. • RL resistor de carga. • Usando auto polarización se supera la desventaja de la temperatura de la polarización fija.
  • 39.
    Autopolarización • Si Icse incrementa debido a la temperatura, el voltaje en RL se incrementa, el voltaje en Rb disminuye. • Esto reduce la polarización de base que reduce a Ic regresando a su valor normal.
  • 40.
    Autopolarización • Desventaja: reducirel control de la polarización de base sobre la corriente de colector. • En un transistor PNP la polarización: -Vcc
  • 41.
    Polarización combinada • Existenmuchos tipos de polarización. • El divisor de voltaje es uno de los más usado • La desventaja de la polarización fija y auto polarización se supera con la polarización combinada.
  • 42.
    Polarización combinada • R1y R2 forman un divisor de voltaje que fija la polarización de la base. • R3 auto polariza al emisor. • RL resistor de carga.
  • 43.
    Polarización combinada • Elvoltaje de emisor se determina por la cantidad de corriente que fluye a través de R3, que es controlado por el voltaje de base. • C1 se usa para asegurar que ninguna señal AC ingrese al emisor, Esto estabiliza los voltajes de polarización DC • Transistor NPN: -Vcc
  • 44.
    Configuraciones básicas • Lastres configuraciones básicas de circuitos para amplificadores a transistores son: • Emisor común, colector común y base común. • El termino común se usa para denotar el elemento que es común a la entrada y a la salida. • Cada configuración tiene características particulares que lo hacen útiles para aplicaciones específicas
  • 45.
  • 46.
    Emisor Común • Esla más usada en amplificadores. • Provee buena amplificación de corriente, voltaje y potencia. • La señal de entrada se aplica a la base y el emisor y la salida se toma del colector y el emisor.
  • 47.
    Emisor Común La configuraciónde emisor común tiene: • Impedancia de entrada: baja (500 – 1000 ohm) -Polarizacion directa • Impedancia de salida: media-alta (30-50 Kohm)- Polarización inversa • Ganancia de corriente: media-alta • Ganancia de voltaje: media- alta • Ganancia de potencia: Alta • Fase entrada/salida: 180°
  • 48.
    Emisor Común La señalde salida esta desfasada 180º con la señal de entrada. C1 provee un camino para cualquier señal AC no deseada. Esto asegura que la señal de salida no se afecte
  • 49.
    Emisor Común C2 escapacitor de acople que previene que cualquier voltaje DC de la entrada, sea tomado por la base del transistor. C3 es capacitor de acople de salida para prevenir que la polarización DC en el colector vaya ser tomada en la salida
  • 50.
    Colector común • Seusan para acoplar impedancias, entradas de alta impedancia se acoplan a cargas de baja impedancia
  • 51.
    Colector común • Laseñal de entrada se aplica entre la base y el colector y la salida entre el emisor y el colector. • La señal de salida esta en fase.
  • 52.
    Colector común • Impedanciade entrada es alta: 2K a 500k (polarización inversa) • Impedancia de salida es baja: 50 a 1500 ohmios (polarización directa)
  • 53.
    Colector común La configuraciónde colector común tiene: • Impedancia de entrada: alta • Impedancia de salida: baja • Ganancia de corriente: alta • Ganancia de voltaje: baja • Ganancia de potencia: media • Fase entrada/salida: 0°
  • 54.
    Colector común • Laseñal de salida esta determinada por el resistor de carga R3. • La señal de salida es una replica de la señal de entrada
  • 55.
    Colector común • C1capacitor de entrada previene que un voltaje DC llegue a la base del transistor; también acopla a la señal AC de la etapa previa con la base del transistor. C2 capacitor de acople de salida y previene que la polarización DC en el emisor sea tomado de la salida
  • 56.
    Base común • Seutilizan para acoplar impedancia, acopla una baja impedancias de entrada, con una impedancia de carga alta. • la señal de entrada se aplica entre el emisor y la base y la señal de salida entre el colector y la base
  • 57.
    Base común • Laseñal de salida esta en fase con la entrada. • Impedancia de entrada es baja: 30 a 160 ohmios (polarización directa) • Impedancia de salida es alta: 250 a 550 K (polarización inversa)
  • 58.
    Base común La configuraciónde base común tiene: • Impedancia de entrada: baja • Impedancia de salida: alta • Ganancia de corriente: baja • Ganancia de voltaje: alta • Ganancia de potencia: baja • Fase entrada/salida: 0°
  • 59.
    Base común • Laseñal de salida es una replica grande de la señal de entrada
  • 60.
    Base común • C2es un capacitor de acople de entrada que previene que el voltaje DC sea tomado desde el emisor al transistor • C3 es un capacitor de acople de salida y previene que la polarización DC en el colector sea tomada por la salida
  • 61.
    Propiedades del transistor •El emisor común es la mejor configuración de amplificador por sus altas propiedades. • Las configuraciones de CC y CB son más adecuados para acoplamiento.
  • 62.
    CLASIFICACION 1) Por disposiciónde sus capas: Transistor PNP y NPN 2) Por el material semiconductor empleado: Silicio y Germanio 3) Por la frecuencia de trabajo: Baja frecuencia y alta frecuencia 4) Por la disposición de potencia: baja potencia, mediana potencia y alta potencia Alta Potencia Mediana Potencia Baja Potencia
  • 63.
    Identificación de losterminales • Están marcados con número de identificación
  • 64.
    Identificación de losterminales • La mayoría de los pines de los transistores forman un circulo. La base está en el medio
  • 65.
    Identificación de losterminales • El emisor está a la izquierda o al costado de la muesca cuando el semicírculo apunta hacia arriba
  • 66.
    Identificación de losterminales • El colector está al costado o a la derecha de la muesca
  • 67.
    Transistores de potencia •El colector esta conectado a la cubierta del metal del transistor (case)
  • 68.
    Identificación del transistor •Identificar si el transistor es tipo NPN o tipo PNP e identificar los pines: Base, colector y emisor
  • 69.
    Identificación de lospines del transistor 1. Tomar un terminal como punto común de prueba y medir este punto con los dos restantes de manera independiente tal como se muestra la figura. 2. Al medir obtendremos una lectura de bajo valor ohmico muy similar, diremos entonces que el punto común es la base. 3. Una vez identificada la base, podemos identificar si es PNP / NPN • Es NPN, si el punto de prueba conectada a la base es la punta positiva (roja) • Es PNP, si el punto de prueba conectada a la base es la punta negativa (negra) 4. La más baja resistencia de las dos lecturas es el colector y el otro será el emisor.
  • 70.
    Operatividad de losTransistores • El transistor se prueba como dos diodos, esto significa que la resistencia en cada diodo tiene una lectura de alta y baja resistencia.
  • 71.
    Operatividad de losTransistores