El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido que se usa ampliamente en dispositivos electrónicos modernos. Funciona controlando el flujo de corriente entre tres terminales (emisor, base y colector) mediante una pequeña señal aplicada a la base. Existen dos tipos principales de transistores: los transistores bipolares de unión, que usan dos uniones PN, y los transistores de efecto de campo, que usan una puerta para controlar el flujo entre el drenador y la fuente. Dentro de cada tipo hay varias variant

1. REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO
“SANTIAGO MARIÑO”.
EXTENSION- MATURÍN
AUTORES:
KENRY TAMAYO
ASESOR CATEDRÁTICO:
ING. MARIANGELA POLLONAIS
MATURÍN, FEBRERO 2017

2. EL TRANSISTOR
DEFINICIÓN
Es un dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de funcionamiento se basa en
la física de los semiconductores. Este cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término “transistor” es la contracción en inglés de transfer
resistor (“resistencia de transferencia”).
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos,
ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc. Este dispositivo semiconductor
permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña.

3. EL TRANSISTOR
CARACTERÍSTICAS
El transistor tiene tres partes, como el tríodo. Una que emite electrones (emisor), otra que los recibe
o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una pequeña
señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula la corriente que circula entre emisor y
receptor.
Polarización de un Transistor
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP. Generalmente podemos decir que la
unión base - emisor se polariza directamente y la unión base - colector inversamente.
Zonas de Trabajo:
Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es
nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor abierto. IB es igual a IC es igual a IE es igual a 0; VCE es igual a Vbat
Saturación: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la
carga conectada en el Colector.
Activa: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente. Cuando trabaja en la
zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un
interruptor. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya
que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de
base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la
denominación hFE.

4. EL TRANSISTOR
TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de Unión Bipolar
Colector Común:
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de
tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración
multiplica la impedancia de salida por 1/β.
Emisor común
La construcción interna de un transistor como todo crcuito necesita de
dos terminales de entrada y dos de salida, pero al contar en su fabricación
solo con tres terminales, se hace necesario adoptar una de las siguientes
configuraciones: Emisor común, Base común, Colector común.
Base común
Emisor común: La señal se
aplica a la base del transistor y
se extrae por el colector. El
emisor se conecta a las masas
tanto de la señal de entrada
como a la de salida. En esta
configuración se tiene
ganancia tanto de tensión
como de corriente y alta
impedancia de entrada. Como
la base está conectada al
emisor por un diodo en
directo, entre ellos podemos
suponer una tensión
constante, Vg. También
supondremos que β es
constante. Entonces tenemos
que la tensión de emisor es:
VE = VB − Vg
Base Común: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el
colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como
a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que
uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base.
Configuraciones:
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junctiontransistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales

5. EL TRANSISTOR
TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de Efecto de Campo
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales denominadas puerta (o gate)
a la equivalente a la base del BJT, y que regula el paso de corriente por las otras
dos terminales, llamadas drenador (drain) y fuente (source).
Tipos de Transistores FET
los TFT hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-
n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también
denominado HFET (heterostructure FET), la banda de
material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect
Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un
dispositivo para control de potencia. Son comúnmente
usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está
entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET
todavía son los dispositivos más utilizados en el rango
de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseñado para
otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa
como biosensor, usando una puerta fabricada de
moléculas de ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales