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emparedada entre dos capas de
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emparedada entre dos de tipo P.
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base, mientras que el colector es bastante amplio y dotado con una
alta concentración de portadores minoritarios en relación a la base y
pocos mayoritarios respecto al emisor. En el caso de un NPN, la base
no posee la suficiente cantidad de huecos para combinarse con
todos los electrones que puede suministrar el emisor, por lo que la
mayoria de electrones atraviezan la base en direccion al colector.
Debido a como se alternan las capas P y N,
existen 2 uniones PN (emisor-base EB y
colector-base CB) y estas deben
polarizarse de modo que se polarize la
union EB directamente y CB inversamente,
en este caso, la polarización de la unión EB
la provee el voltaje Vbb y la de la union CB
el voltaje Vcc.
Por esto, en un transistor NPN la base
debe ser positiva con respecto al emisor
ynegativa con el colector. Analogamente,
en un transistor PNP la base debe ser
negativa respecto al emisor y positiva para
el colector.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN
en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
La principal del transistor es su funcionamiento como
amplificador. Para ello es preciso polarizar una de las uniones en
sentido directo y la otra en sentido inverso. La zona exterior de la
unión polarizada en sentido directo se denomina emisor,
mientras que la zona exterior de la unión polarizada en sentido
inverso se denomina colector. La parte central recibe el nombre
de base.
Cuando la unión emisor base está polarizada en sentido directo y la
unión base colector lo está en sentido inverso, se dice que el
transistor está funcionando en el modo activo.
Este tipo de funcionamiento presenta propiedades de amplificación,
ya que la corriente del colector puede experimentar grandes cambios
con pequeñas variaciones en la tensión emisor-base.
En efecto, al polarizar en sentido directo la unión emisor-base, se
inyecta un exceso de huecos en la base, exceso que se difunde hacia
el colector. Si el espesor de la base es muy pequeño (menor que una
longitud de difusión) una gran parte de los huecos inyectados desde el
emisor llega hasta la unión base-colector por lo que la corriente que
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Transistores Bipolares

  • 2. Son dispositivos controlados por corriente, estos se forman por una capa de material tipo P emparedada entre dos capas de material tipo N, o una de tipo N emparedada entre dos de tipo P. En el primer caso se tiene un transistor NPN y en el segundo un transistor PNP.
  • 3. La región central se denomina base (B) y los dos extremos emisor (E) y colector (C), la base es sumamente estrecha y poco dopada en relación con el emisor y colector, por lo que tiene muy baja concentración de portadores. El emisor esta fuertemente dopado, y la concentracion de portadores mayoritarios disponibles supera ampliamente los de la base, mientras que el colector es bastante amplio y dotado con una alta concentración de portadores minoritarios en relación a la base y pocos mayoritarios respecto al emisor. En el caso de un NPN, la base no posee la suficiente cantidad de huecos para combinarse con todos los electrones que puede suministrar el emisor, por lo que la mayoria de electrones atraviezan la base en direccion al colector.
  • 4. Debido a como se alternan las capas P y N, existen 2 uniones PN (emisor-base EB y colector-base CB) y estas deben polarizarse de modo que se polarize la union EB directamente y CB inversamente, en este caso, la polarización de la unión EB la provee el voltaje Vbb y la de la union CB el voltaje Vcc. Por esto, en un transistor NPN la base debe ser positiva con respecto al emisor ynegativa con el colector. Analogamente, en un transistor PNP la base debe ser negativa respecto al emisor y positiva para el colector.
  • 5. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. • Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. • Colector, de extensión mucho mayor.
  • 6. La principal del transistor es su funcionamiento como amplificador. Para ello es preciso polarizar una de las uniones en sentido directo y la otra en sentido inverso. La zona exterior de la unión polarizada en sentido directo se denomina emisor, mientras que la zona exterior de la unión polarizada en sentido inverso se denomina colector. La parte central recibe el nombre de base.
  • 7. Cuando la unión emisor base está polarizada en sentido directo y la unión base colector lo está en sentido inverso, se dice que el transistor está funcionando en el modo activo. Este tipo de funcionamiento presenta propiedades de amplificación, ya que la corriente del colector puede experimentar grandes cambios con pequeñas variaciones en la tensión emisor-base. En efecto, al polarizar en sentido directo la unión emisor-base, se inyecta un exceso de huecos en la base, exceso que se difunde hacia el colector. Si el espesor de la base es muy pequeño (menor que una longitud de difusión) una gran parte de los huecos inyectados desde el emisor llega hasta la unión base-colector por lo que la corriente que atraviesa esta unión es mucho más intensa que la corriente inversa correspondiente a una unión p-n aislada.