El documento describe el transistor bipolar (BJT), incluyendo su historia, ventajas, parámetros, construcción y regiones de operación. El BJT es un dispositivo de tres terminales (base, colector y emisor) donde la corriente de colector está relacionada con la corriente de base a través de la ganancia del transistor. Funciona en tres regiones principales: zona activa, zona de corte y zona de saturación.

1. BJT

2. IDEAS PREVIAS Bulbo mas utilizado entre 1904 y 1947. Fleming 1904- Lee De Forest 1906. 1947: Walter H Brattain y Joseph Bardeen Industrias Bell Telephone Laboratories. William Shockley (1987) John Bardeen (1991) Dos premios Nobel Walter Brattain (1987)

3. VENTAJAS Mas pequeño y ligero No requerimiento de calentamiento No disipación de calor. Resistente. Consume menos potencia. Voltajes de operación más bajos. Dispositivos de tres o mas terminales.

4. NPN PNP

5. PARAMETROS

6. PARAMETROS

8. CONSTRUCCION Transistor de Unión Bipolar- Bipolar Junction Transistor. El Transistor es un dispositivo de 3 patillas: base (B), colector (C) y emisor (E). Base (B):ligeramente dopada Colector (C): muy poco dopada. Emisor (E): fuertemente dopada. Diferentes espesores

9. CONSTRUCCION

10. IDEAS PREVIAS

11. IDEAS PREVIAS

13. ZONA ACTIVA Activa : Esta regi ó n de operaci ó n se considera de corriente constante , se cumple aproximadamente la relaci ó n : Ic = hFE . Ib (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcci ó n del transistor.) Aunque en la pr a ctica Ic var í a levemente para diferentes valores de Vce , para esta regi ó n se puede pensar que: la corriente Ic es una versi ó n amplificada de la corriente Ib .

14. ZONA DE CORTE Corte: Cuando Ib es muy peque ñ a o nula, implicar á adem á s Ic = 0 . Lo que equivale a decir que no hay conducci ó n entre colector y emisor. En esta regi ó n se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “ como una llave abierta ” .

15. ZONA DE SATURACION Saturaci ó n: Si Vce es demasiado peque ñ o, Ic ya no es proporcional a Ib , es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib La tensi ó n Vce permanece pr á cticamente constante en un valor llamado Vsat , para esta regi ó n se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “ como una llave cerrada ” .

16. REGIONES DE OPERACION

17. BASE COMUN I E = I C + I B

18. BASE COMUN

19. COLECTOR COMUN

20. EMISOR COMUN

21. EMISOR COMUN

22. LIMITES DE OPERACION

23. PRUEBA DEL TRANSISTOR