El documento describe el transistor bipolar (BJT), incluyendo su historia, ventajas, parámetros, construcción y regiones de operación. El BJT es un dispositivo de tres terminales (base, colector y emisor) donde la corriente de colector está relacionada con la corriente de base a través de la ganancia del transistor. Funciona en tres regiones principales: zona activa, zona de corte y zona de saturación.
13. ZONA ACTIVA Activa : Esta regi ó n de operaci ó n se considera de corriente constante , se cumple aproximadamente la relaci ó n : Ic = hFE . Ib (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcci ó n del transistor.) Aunque en la pr a ctica Ic var í a levemente para diferentes valores de Vce , para esta regi ó n se puede pensar que: la corriente Ic es una versi ó n amplificada de la corriente Ib .
14. ZONA DE CORTE Corte: Cuando Ib es muy peque ñ a o nula, implicar á adem á s Ic = 0 . Lo que equivale a decir que no hay conducci ó n entre colector y emisor. En esta regi ó n se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “ como una llave abierta ” .
15. ZONA DE SATURACION Saturaci ó n: Si Vce es demasiado peque ñ o, Ic ya no es proporcional a Ib , es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib La tensi ó n Vce permanece pr á cticamente constante en un valor llamado Vsat , para esta regi ó n se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “ como una llave cerrada ” .
![IDEAS PREVIAS ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],William Shockley (1987) John Bardeen (1991) Dos premios Nobel Walter Brattain (1987)](data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAIAAAAAAAP///yH5BAEAAAAALAAAAAABAAEAAAIBRAA7)