2. ÍNDICE
I. Fabricación de la oblea
II. Oxidación térmica
III. Proceso de dopado
IV. Fotolitografía
V. Eliminación de película delgada
VI. Deposición de película delgada
VII. Secuencia de procesos CMOS (flujo de procesos)
3. FABRICACIÓN DE LA OBLEA
La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos:
• Refinado del silicio.
• Crecimiento del cristal: Método de Czochralski.
• Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede
incrementarse con el diámetro de la oblea).
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4. OXIDACIÓN TÉRMICA
Al exponer silicio en presencia de un oxidante a
elevada temperatura se formará una capa delgada
de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie
expuesta.
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5. PROCESO DE DOPADO
La difusión de impurezas que se obtiene es
directamente proporcional al gradiente de la
concentración de dopantes presentes y a la energía
térmica del proceso
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6. FOTOLITOGRAFÍA
Proceso usado para seleccionar las zonas de una
oblea que deben ser afectadas por un proceso de
fabricación determinado.
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8. DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA
Son los métodos utilizados para depositar películas
delgadas de materiales como aislante, conductor o
semiconductor en la superficie de la oblea
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