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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
PROCESO DE FABRICACIÓN
ÍNDICE
I. Fabricación de la oblea
II. Oxidación térmica
III. Proceso de dopado
IV. Fotolitografía
V. Eliminación de película delgada
VI. Deposición de película delgada
VII. Secuencia de procesos CMOS (flujo de procesos)
FABRICACIÓN DE LA OBLEA
La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos:
• Refinado del silicio.
• Crecimiento del cristal: Método de Czochralski.
• Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede
incrementarse con el diámetro de la oblea).
ÍNDICE
OXIDACIÓN TÉRMICA
Al exponer silicio en presencia de un oxidante a
elevada temperatura se formará una capa delgada
de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie
expuesta.
ÍNDICE
PROCESO DE DOPADO
La difusión de impurezas que se obtiene es
directamente proporcional al gradiente de la
concentración de dopantes presentes y a la energía
térmica del proceso
ÍNDICE
FOTOLITOGRAFÍA
Proceso usado para seleccionar las zonas de una
oblea que deben ser afectadas por un proceso de
fabricación determinado.
ÍNDICE
ELIMINACIÓN DE PELÍCULA DELGADA
ÍNDICE
DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA
Son los métodos utilizados para depositar películas
delgadas de materiales como aislante, conductor o
semiconductor en la superficie de la oblea
ÍNDICE
SECUENCIA DE PROCESOS CMOS (FLUJO DE PROCESOS)
ALEJANDRA JUÁREZ SANTIAGO
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Los circuitos integrados

  • 2. ÍNDICE I. Fabricación de la oblea II. Oxidación térmica III. Proceso de dopado IV. Fotolitografía V. Eliminación de película delgada VI. Deposición de película delgada VII. Secuencia de procesos CMOS (flujo de procesos)
  • 3. FABRICACIÓN DE LA OBLEA La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos: • Refinado del silicio. • Crecimiento del cristal: Método de Czochralski. • Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede incrementarse con el diámetro de la oblea). ÍNDICE
  • 4. OXIDACIÓN TÉRMICA Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se formará una capa delgada de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie expuesta. ÍNDICE
  • 5. PROCESO DE DOPADO La difusión de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al gradiente de la concentración de dopantes presentes y a la energía térmica del proceso ÍNDICE
  • 6. FOTOLITOGRAFÍA Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que deben ser afectadas por un proceso de fabricación determinado. ÍNDICE
  • 7. ELIMINACIÓN DE PELÍCULA DELGADA ÍNDICE
  • 8. DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA Son los métodos utilizados para depositar películas delgadas de materiales como aislante, conductor o semiconductor en la superficie de la oblea ÍNDICE
  • 9. SECUENCIA DE PROCESOS CMOS (FLUJO DE PROCESOS)