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Electrónica de potencia aplicada
Ingeniería Mecatrónica
Dr. Antonio Navarrete Guzmán
anavarrete@ittepic.edu.mx
Unidad 2.
Tiristores
Unidad 2. Tiristores.
1. Características y parámetros.
2. Rectificador controlado de silicio (SCR).
3. TRIAC.
4. DIAC.
5. UJT.
6. Circuitos de descarga.
7. Control de fase.
8. Relevadores de estado sólido.
9. Aplicaciones en sistema mecatrónicos.
10. Control de un motor de c.a. polifásicos.
11. Módulos de potencia para control de motores.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 2/59
Unidad 2.
Tiristores
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 3/59
Unidad 2.
Tiristores
Tiristores
Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna
para producir un nuevo tipo de conmutación. Los tiristores mas importantes
son los rectificadores controlados de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier)
y el triac. A1 igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden
conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicación de estos
dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores,
calentadores, sistemas de iluminación y otras cargas semejantes.
El funcionamiento del tiristor se puede explicar mediante el circuito
equivalente que se ve en la Figura ??. Obsérvese que el transistor superior,
Q1, es un dispositivo pnp, y el inferior, Q2, es un dispositivo npn. El colector
de Ql excita la base de Q2, y el de Q2 lo hace con la base de Q1.
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Unidad 2.
Tiristores Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro
capas de estructura pnpn con tres uniones pn. Tiene tres
terminales: ánodo, cátodo y compuerta. El símbolo del
tiristor y una sección recta de tres uniones pn
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 5/59
Unidad 2.
Tiristores
La compuerta de un SCR está conectada a la base de
un transistor interno, se necesitan al menos 0.7 V para
disparar un SCR.
Las hojas de datos indican esta tensión como tensión de
disparo, VGT .
Asi mismo indican la corriente de disparo, IGT .
Ejemplo, la hoja de caracteristicas de un C106D da una
tensión y una corriente de disparo de
VGT = 0,6 V
IGT = 15 µA
lo que significa que la fuente que alimenta la compuerta
del C106D tiene que proporcionar 15 µ A a 0.6 V para
activar el SCR.
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Unidad 2.
Tiristores
Tensión de entrada
Un SCR tiene una tensión de compuerta VG mayor que VGT , por lo
tanto el SCR conducirá y la tensión de salida caerá desde +Vcc a un
valor bajo.
La tensión de entrada que se necesita para disparar un SCR tiene
que,ser mayor que:
Vin = VGT + IGT RG (1)
VGT e IGT son la tensión y corriente de disparo necesarias para la
compuerta del dispositivo.
Cuando se tiene el valor de RG el cálculo de Vin, es directo. Si no se
satisface la ecuación , el SCR no se puede cerrar.
Estos valores se encuentran en las hojas de características.
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Unidad 2.
Tiristores
Activación del tiristor
Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se puede llevar
a cabo mediante una de las siguientes formas
1. Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habrá un aumento en el
número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga.
Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se
evita.
2. Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarán
los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de
tiristores por luz se logra al permitir que ésta llegue a los discos de silicio.
3. Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo cátodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activación regenerativa. Este ripo de activación puede resultar destructiva por
lo que se debe evitar.
4. dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la
corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para
activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor;
por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 8/59
Unidad 2.
Tiristores
Se deben de tomar en cuenta los siguientes puntos en el
diseño de un circuito de control de compuerta:
La señal de compuerta debe de eliminarse después de
activarse el tiristor. Una señal continua de compuerta
aumentaría la pérdida de potencia en la unión de la
compuerta.
Mientras el tiristor esté con polarización inversa, no
debe haber señal de compuerta; de lo contrario, el
tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga
incrementada.
El ancho de pulso de la compuerta tG debe ser mayor
que el tiempo requerido para que la corriente del ánodo
se eleve al valor de corriente de mantenimiento IH. En la
práctica, el ancho del pulso tG por lo general se diseña
mayor que el tiempo de activación ton del tiristor.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 9/59
Unidad 2.
Tiristores
Desactivación del Tiristor
Después de que el SCR se ha activado permanece así incluso
aunque se reduzca Vin, a cero. En este caso, la tensión de salida se
mantiene baja indefinidamente.
La única forma de reiniciar el SCR consiste en reducir su corriente a
un valor menor que la corriente de mantenimiento IH ; esto se hace
normalmente reduciendo Vcc a un valor bajo.
Como la comente de mantenimiento circula a través de la resistencia
de carga, la tensión de alimentación para que el SCR conduzca
tiene que ser menor que
Vcc = 0,7 V + IH RL
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 10/59
Unidad 2.
Tiristores
Problema
Tiene un voltaje de disparo de 0.75 V y una corriente de disparo 7 mA.
¿Cual es la tensión de entrada que cierre al SCR?.
Si la corriente de mantenimiento es de 6 mA, ¿Cuanto vale la tensión de
alimentación que lo abre?
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 11/59
Unidad 2.
Tiristores
Problema
Tiene un voltaje de disparo de 0.75 V y una corriente de disparo 7 mA.
¿Cual es la tensión de entrada que cierre al SCR?.
Si la corriente de mantenimiento es de 6 mA, ¿Cuanto vale la tensión de
alimentación que lo abre?
La mínima tensión de entrada necesaria para disparar el SCR es
Vi n = 0,75 V + (7 mA)(1 kΩ) = 7,75 V
la tensión de alimentación que abre el SCR:
Vcc = 0,7 + (6 mA)(100 Ω) = 1,3 V
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Unidad 2.
Tiristores
Protección contra dv/dt
Si el interruptor S1 se cierra en t = 0, se aplicará un escalón de voltaje
a través del tiristor T1 por lo que dv/dt puede ser lo suficientemente
alto para activar el dispositivo. El dv/dt se puede eliminar conectando
el capacitor Cs.
Cuando el tiristor T1 se active la corriente de descarga del capacitor
estará limitada por el resistor Rs.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 12/59
Unidad 2.
Tiristores
Implementando una red snubber, el voltaje a través del tiristor
se elevará en forma exponencial, como se muestra en la figura,
y el circuito dv/dt puede encontrarse aproximadamente a partir
de
dv
dt
=
0,632Vs
τ
=
0,632Vs
RsCs
El valor de la constante de tiempo de la red snubber τ se
puede determinar de la ecuación anterior a partir de un valor
conocido dv/dt, y proponiendo un valor de capacitor, por lo
general 22nF.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 13/59
Unidad 2.
Tiristores
Es posible utilizar más de una resistencia para dv/dt, (R1 + R2) limita
la corriente de descarga, de modo que
dv
dt
=
0,632Vs
τ
=
0,632Vs
(R1 + R2)Cs
Si la inductancia de la carga es alta:
Rs puede ser alto y Cs puede ser pequeño, para retener el valor
deseado de la relación de amortiguación.
Un valor alto de Rs reducirá la corriente de descarga y un valor bajo
de Cs reducirá la pérdida del circuito snubber.
Se utilizan tanto para la protección dv/dt como para suprimir el voltaje
transitorio debido al tiempo de recuperación inversa.
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Unidad 2.
Tiristores
El SCR como interruptor
La carga se protege por medio del diodo zener, la resistencia y
el SCR.
En condiciones normales, Vcc es inferior a la tensión de ruptura
del diodo zener.
En este caso, no hay tensión a través de R y el SCR
permanece abierto.
La carga recibe una tensión de Vcc y no se tiene ningún
problema.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 15/59
Unidad 2.
Tiristores
Si Vcc es demasiado grande, el diodo zener conduce y aparece una
tensión a través de R.
Si esta tensión es mayor que la tensión de disparo del SCR
(generalmente 0.7 V), el SCR se activará y conducirá.
La acción es similar a cortocircuitar los terminales de carga.
Debido a que el SCR entra en conducción muy rápido, la carga se
protege rápidamente contra daños ocasionados por una gran
sobretensión. La sobretensión que dispara el SCR es:
Vcc = Vz + VGT
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 16/59
Unidad 2.
Tiristores
Circuitos de control de compuerta
El circuito típico de control de compuerta mas simple o circuito de
disparo, se muestra en la figura.
Si la fuente es ac,el funcionamiento es la siguiente:
1 Cuando SW está abierto, no hay circulación de corriente hacia la
compuerta. El SCR no pasa ha conducción de modo que es un corto
circuito abierto en serie con la carga. Por lo tanto, la carga está
desenergizada.
2 Se cierra SW habrá corriente hacía la puerta cuando la fuente de
voltaje sea positiva. El ángulo de disparo está determinado por la
posición de R2.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 17/59
Unidad 2.
Tiristores
Si R2 es baja, la corriente de compuerta será lo suficientemente
grande para activar el SCR cuando la magnitud de la fuente de
voltaje sea bajo.
Por tanto, el ángulo de disparo será pequeño y la magnitud del
promedio de la corriente por la carga sera grande.
Si R2 es alta, la fuente de voltaje debe subir a un valor alto para
poder entregar suficiente corriente de compuerta para alimentar el
SCR.
Esto aumenta el ángulo de disparo y reduce la magnitud del
promedio de la corriente de carga.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 18/59
Unidad 2.
Tiristores
El propósito de R1 es el de mantener algún valor fijo de resistencia
en el terminal en caso que R2 sea puesta en cero. Esto es necesario
para proteger la compuerta de sobrecorrientes.
R1 determina también el mínimo ángulo de disparo. En algunos
casos se inserta un diodo en serie con la puerta para proteger la
unión compuerta-cátodo.
Una desventaja de este circuito de disparo simple es que el ángulo
de disparo puede ajustarse solamente de 0◦
a 90◦
.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 19/59
Unidad 2.
Tiristores
La corriente de compuerta tiende a ser una onda senoidal en fase con
el voltaje. IG apenas si alcanza a IGT , la corriente de compuerta
necesaria para activar el SCR. Bajo esta circunstancia el SCR se
activa a los 90◦
del ciclo. Por tanto, ángulos de disparo mayores a 90◦
no son posibles con este circuito de control de compuerta.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 20/59
Unidad 2.
Tiristores
ejercicio
Considerando un circuito de control y el voltaje de la
fuente es 115 Vrms, IGT = 15 mA, y R1 = 3 KΩ. Se
desea un ángulo de disparo de 90◦. ¿A que valor se
debe ajustar R2?.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 21/59
Unidad 2.
Tiristores
ejercicio
Considerando un circuito de control y el voltaje de la
fuente es 115 Vrms, IGT = 15 mA, y R1 = 3 KΩ. Se
desea un ángulo de disparo de 90◦. ¿A que valor se
debe ajustar R2?.
Solución: A 90◦, el valor instantaneo del voltaje de la
fuente es: Vrms = 1
√
2
Vp entonces (115)(
√
2) = 162 V
Despreciando la caída de voltaje en la carga y los 0,7 V
que caen en la unión compuerta-cátodo(despreciables a
162 V), la resistencia del circuito es:
162
15 mA
= 10,8 KΩ
Por tanto,
R2 = 10,8 − 3 = 7,8 KΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 21/59
Unidad 2.
Tiristores
Retardos en el disparo usando capacitores
Adicionando un capacitor en el extremo inferior de la resistencia del
terminal de compuerta. La ventaja es que el ángulo de disparo puede
ajustarse a más de 90◦
.
La fuente ac es negativa, el voltaje inverso a través del SCR es
aplicado al circuito de disparo RC, cargando a C.
La fuente entra en su ciclo positivo, el voltaje directo a través del
SCR tiende a cargar C en la polaridad opuesta.
La formación de voltaje en la dirección opuesta es retardada hasta
cuando la carga negativa sea removida de C.
Con esto se puede extender mas allá de 90◦
.
Cuanto mayor sea la magnitud de la resistencia del potenciómetro,
mas tiempo toma en cargar C, y mas tarde se alimentará el SCR.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 22/59
Unidad 2.
Tiristores
Si se ha añade una resistencia en la terminal de
compuerta y se requiere por tanto que C se cargue por
encima de 0.7 V para disparar al SCR. Dado que C ahora
se carga a un voltaje mas alto, el disparo es aún mas
retardado.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 23/59
Unidad 2.
Tiristores
Una red RC doble para el control de compuerta, el voltaje retardado
de C1 es utilizado para cargar C2, resultando aún más retardo en la
formación del voltaje de compuerta.
Los capacitores estan en el rango de 0,01 a 1µF.
El mínimo ángulo de disparo, se determina por medio de las
resistencias R1 y R3 y el máximo ángulo de disparo, se determina
por la magnitud de la resistencia variable R2.
La constante de tiempo RC de un circuito a 60 Hz debe estar en el
rango de 1 a 30 ms. Es decir el producto (R1 + R2)C debe estar en
el rango 1 × 10−3
a 30 × 10−3
lo mismo que R3C2
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 24/59
Unidad 2.
Tiristores
Suponga que para el circuito de control de red doble y se
ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy
C2 = 0,033µF. Determine
R1, R2 y R3.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
Unidad 2.
Tiristores
Suponga que para el circuito de control de red doble y se
ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy
C2 = 0,033µF. Determine
R1, R2 y R3.
Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
Unidad 2.
Tiristores
Suponga que para el circuito de control de red doble y se
ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy
C2 = 0,033µF. Determine
R1, R2 y R3.
Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ
(R1 + R2)C = 25 × 10−3tiempo
máximo= (R2+29,4K Ω)(0,068µ) = 25×10−3 = 340 KΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
Unidad 2.
Tiristores
Suponga que para el circuito de control de red doble y se
ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy
C2 = 0,033µF. Determine
R1, R2 y R3.
Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ
(R1 + R2)C = 25 × 10−3tiempo
máximo= (R2+29,4K Ω)(0,068µ) = 25×10−3 = 340 KΩ
R3C2 debe ser cercana al menor valor del rango de
ajuste
R3(0,033µ) = 5 × 10−3
= 150 KΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
Unidad 2.
Tiristores
El TRIAC
El comportamiento de los TRIACs es semejante al de
los SCRs, con la excepción que pueden conducir en
cualquiera de las dos direcciónes.
Es un dispositivo de tres terminales utilizado para
controlar el valor promedio de la corriente que fluye a
una carga.
El símbolo esquemático de un triac se muestra, junto
con los nombres y abreviaturas de sus terminales.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 26/59
Unidad 2.
Tiristores
Cuando el triac es bloqueado, no puede fluir corriente
entre sus terminales principales independiente de la
polaridad de la fuente externa aplicada. Por tanto, el
triac actúa como un interruptor abierto.
Cuando el triac es llevado a conducción, presenta una
resistencia muy baja al paso de la corriente en el camino
de un terminal principal al otro, donde el sentido del flujo
depende de la polaridad de la fuente externa aplicada.
Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente
fluye de MT2 a MT1. Cuando el voltaje es mas positivo
en MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En cualquier
caso el triac actúa como un interruptor cerrado.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 27/59
Unidad 2.
Tiristores El triac esta conectado en serie con la carga al igual que un SCR.
El valor promedio de la corriente que se entrega a la carga puede
afectarse variando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac
permanece en estado de conducción.
Un triac no esta limitado a 180◦
de conducción por ciclo. Con el
adecuado arreglo de disparo, puede conducir por la totalidad de los
360◦
por ciclo.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 28/59
Unidad 2.
Tiristores
La forma de onda de la figura 1 muestra al triac en corte
durante los primeros 30◦ de cada semiciclo; durante
estos 30◦ el triac esta actuando como un interruptor
abierto.
Durante este tiempo la totalidad del voltaje de línea cae
a través de las terminales principales del triac y no se
aplica voltaje a la carga.
Entonces no hay flujo de corriente por el triac o por la
carga. La porción del semiciclo durante el cual existe
esta situación se denomina ángulo de disparo.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 29/59
Unidad 2.
Tiristores
Después de transcurridos los 30◦, el triac conduce, y
actúa como un interruptor cerrado.
La porción del semiciclo durante la cual el triac está en
conducción se denomina ángulo de conducción.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 30/59
Unidad 2.
Tiristores
Características eléctricas de los triacs
Cuando un triac está polarizado con un voltaje externo mas
postivo en MT2 (directa o polarización de terminal principal
positivo), generalmente se dispara por una corriente que fluye
de la puerta a MT1.
Cuando está polarizad, el disparo del triac es idéntico al
disparo de un SCR. El terminal G es positivo con respecto a
MT1, lo cual hace que la corriente de disparo fluya hacia el
dispositivo por el terminal MT1.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 31/59
Unidad 2.
Tiristores
El voltaje de compuerta necesario para disparar el triac
está simbolizado por VGT .
La corriente de compuerta necesaria para el disparo
está simbolizada por IGT .
La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen un
VGT del orden de 0.6 V a 2.0 V y una IGT de 0.1 a 20
mA.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 32/59
Unidad 2.
Tiristores
Cuando el triac está polarizado más positivo en MT1
(inversa o polarización de terminal principal negativo).
El disparo generalmente se ejecuta enviando corriente
de compuerta al triac por el terminal MT1 y hacia afuera
del triac por el terminal G.
El voltaje de puerta será negativo con respecto a MT1.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 33/59
Unidad 2.
Tiristores
En la mayoría de los triacs, la IGT para polarización
directa será igual a la IGT de polarización inversa.
Un triac, al igual que un SCR, no requiere que continúe
circulando corriente de compuerta una vez que ha sido
activado.
El triac permanece en conducción hasta que cambie la
polaridad de sus terminales principales o hasta que la
corriente principal caiga por debajo de la corriente de
mantenimiento IHO.
La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen una
IHO del orden de 100 mA o menos.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 34/59
Unidad 2.
Tiristores Otras características eléctricas importantes las cuales se
aplican a los triacs son:
Valor rms de la máxima corriente principal permitida
IT(rms).
Voltaje de ruptura VDrom, es el voltaje máximo de pico
aplicado entre los terminales principales que puede
bloquear el triac en cualquier dirección.
Si el voltaje instantáneo aplicado entre los terminales
MT2 y MT1 excediera VDrom, el triac se rompe y
comienza a dejar circular corriente por los terminales
principales.
Esto no daña el triac, pero significa una pérdida del
control de compuerta.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 35/59
Unidad 2.
Tiristores
Circuitos RC de control de puerta
El circuito de disparo más simple para un TRIAC.
El condensador C se carga a través de R1 y R2 durante la porción del
semiciclo correspondiente al ángulo de disparo.
Durante el semiciclo positivo MT2 es positivo respecto a MT1, y C se
carga con el positivo en su placa superior.
Cuando el voltaje en C es lo suficientemente grande para entregar a
través de R3 la corriente de puerta IGT necesaria para disparar el triac,
el triac se activa.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 36/59
Unidad 2.
Tiristores
Durante el semiciclo negativo, C se carga con el negativo en su
placa superior y el voltaje a través del capacitor es lo suficiente para
entregar a través de R3 la corriente necesaria de compuerta en la
dirección inversa para disparar el triac, el triac se activa.
La velocidad de carga del condensador C se ajusta por medio de la
resistencia R2. Con una R2 grande, la velocidad de carga es lenta,
produciendo un ángulo de disparo grande y un promedio de
corriente pequeño.
Con una R2 pequeña, la velocidad de carga es rápida, el ángulo de
disparo es pequeño, y la corriente de carga es grande.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 37/59
Unidad 2.
Tiristores
Al igual que los circuitos de disparo de los SCR, una red
RC simple no puede retardar el disparo del TRIAC muy
por encima de 90◦.
Para establecer un rango de ajuste amplio del ángulo de
disparo, la red RC doble, es generalmente la utilizada.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 38/59
Unidad 2.
Tiristores
Disparo por pulsos
El circuito de control de compuerta puede mejorarse adicionando un
dispostivo de disparo en el terminal de compuerta.
La utilización de un dispositivo de disparo en el circuito de disparo
de puerta de un triac presenta algunas ventajas importantes sobre
los circuitos de control de compuerta con RC simple.
Estas ventajas parten del hecho que un dispostivo de disparo
entrega un pulso de corriente de compuerta en lugar de una
corriente de compuerta sinusoidal.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 39/59
Unidad 2.
Tiristores
El diac
La curva del diac muestra que para voltajes aplicados en sentido
directo menores que el voltaje de ruptura directo +VB0 el diac
prácticamente no permite el flujo de corriente
Una vez alcanzado el voltaje de ruptura directo, el diac conmuta a
conducción y la corriente aumenta rápidamente a la vez que el
voltaje a través de los terminales disminuye.
En la región de voltaje negativo. cuando el voltaje aplicado en
sentido inverso es menor que el voltaje inverso de ruptura −VB0
eldiac no permite flujo de corriente.
Cuando el voltaje aplicado alcanza −VB0, el diac conmuta a
conducción en la dirección opuesta.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 40/59
Unidad 2.
Tiristores
Los diacs se fabrican de manera que son relativamente
estables con temperatura y tienen una pequeña
tolerancia en los voltajes de ruptura.
El valor más popular de voltaje de ruptura para los diacs
es 32 V (+VB0 = +32V − VB0 = −32V).
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 41/59
Unidad 2.
Tiristores
Circuito de disparo con diac
En el circuito se observa, cuando el voltaje en el capacitor
alcanza 32 V, en cualquiera de las polaridades, el diac se
dispara, entregando el pulso de corriente para
conducción a la compuerta del triac.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 42/59
Unidad 2.
Tiristores
Transistor monounion
El transistor monojuntura (UJT, unijunction transistor) es
un dispositivo de conmutación del tipo ruptura.
Sus características lo hacen muy útil en muchos
circuitos industriales, incluyendo temporizadores,
osciladores, generadores de onda, y más importante
aún, en circuitos de control de puerta para SCR y triacs
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 43/59
Unidad 2.
Tiristores
Disparo del UJT
El UJT es un dispositivo de tres terminales, los cuales se
denominan emisor, base 1, y base 2. La Figura ??
muestra el símbolo esquemático y la localización de los
terminales.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 44/59
Unidad 2.
Tiristores
Funcionamiento del UJT
El UJT funciona como sigue
a. Cuando el voltaje entre emisor y base 1, VEB1 < VP , el UJT está en corto, y
no puede fluir corriente de E a B1 (IE = 0).
b. En el tiempo en el cual se carga el capacitor C a través de la resistencia R,
dado que el circuito emisor del UJT esta en estado abierto.
c. Cuando VEB1 > VP en una pequeña cantidad, el UJT se dispara o
CONDUCE. El circuito E a B1 es prácticamente un cortocircuito, y la
corriente fluye instantáneamente de un terminal a otro.
d. Y el capacitor se descarga a través de RB1
En la mayoría de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de
corta duración, y el UJT rápidamente regresa al estado de CORTE.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 45/59
Unidad 2.
Tiristores Una fuente de externa está aplicada entre B2 y Bl,
siendo B2 el terminal más positivo.
Como se indica, el voltaje entre los dos terminales de
base se simboliza por VBB.
Para un tipo dado de UJT, el voltaje de pico VP es un
cierto porcentaje fijo del valor VBB, más 0, 7 V. Este
porcentaje fijo se denomina la relación intrínseca entre
contactos, o simplemente la relación entre contactos,
del UJT, y se simboliza por η.
Por tanto, el voltaje de pico de un UJT puede escribirse
como:
Vp = ηVBB + 0,7V lo que es igual a VP ≈ ηVs + 0,7V
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 46/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejercicio
Si el UJT de la Figura tiene una relación entre contactos
η = 0, 55 y un voltaje externo VBB de 20 V, ¿cuál es el
voltaje de pico?
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 47/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejercicio
Si el UJT de la Figura tiene una relación entre contactos
η = 0, 55 y un voltaje externo VBB de 20 V, ¿cuál es el
voltaje de pico?
Solución. Vp = 0,55(20V) + 0, 7V = 11, 7V. En este
caso, VEB1 deberá ser mayor que 11.7 V para poder
disparar el UJT.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 47/59
Unidad 2.
Tiristores
Hay una cierta resistencia interna que existe entre los terminales de base B2
y B1. Esta resistencia es del orden de 5 a 10 kΩ en la mayoría de los UJT y
se representa por rBB .
En la estructura física de un UJT, el terminal de emisor toca el cuerpo del
UJT en un sitio entre el terminal B2 y el terminal B1.
Por consiguiente, se forma un divisor de voltaje, dado que rBB queda dividido
en dos partes, rB2 y rB1 .
El diodo en esta figura indica que el emisor es material tipo p, mientras que el
cuerpo del UJT es material tipo n.
Por tanto entre el terminal de emisor y el cuerpo del UJT se forma una unión
pn.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 48/59
Unidad 2.
Tiristores
El condensador comenzará a cargarse a través de R.
Dado que el condensador está conectado entre E y B1, cuando su voltaje
alcance 11,7 V el UJT disparará (asumiendo η = 0,55 como en el problema
anterior).
Esto permitirá que la carga almacenada en las placas de e E se descargue
rápidamente a través del UJT.
En la mayoría de las aplicaciones con UJT, este pulso de corriente de E a B1
representa la salida del circuito
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 49/59
Unidad 2.
Tiristores
La forma de onda del voltaje de disparo VB1 es idéntica a
la corriente de descarga del capacitor C1. El voltaje de
disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande
como para activar al SCR. El período de oscilación, T, es
totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y
está dado por
T =
1
f
≈ RC ln

1
1 − η

donde el parámetro η se conoce como la relación
intrínseca de equilibrio. El valor de η está entre 0.51 y
0.82.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 50/59
Unidad 2.
Tiristores
La resistencia R está limitada a un valor entre 3 kΩ y 3
MΩ.
Si la recta de carga no cae a la derecha del punto de
pico, el UJT no se activa. Esto es
R 
Vs − Vp
Ip
En el punto de valle IE = Iv y VE = Vv de tal forma que
la condición del límite inferior de R para asegurar la
desactivación es
R 
Vs − Vv
Iv
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 51/59
Unidad 2.
Tiristores El rango recomendado de voltaje de alimentación Vs es
de 10 a 35 V. Para valores fijos de η, el voltaje pico Vp
varía con el voltaje entre las dos bases, VBB, Vp está
dado por
Vp = ηVBB + VD (= 0,7V) ≈ ηVs + VD (= 0,7V)
Donde VD es la caída de voltaje directa de un diodo. El
ancho tg del pulso de disparo es
tg = RB1C
En general RB1 está limitado a un valor por debajo de 100
Ω, aunque en algunas aplicaciones es posible tener
valores de 2 a 3 kΩ.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 52/59
Unidad 2.
Tiristores
Por lo general, una resistencia RB2 se conecta en serie
con la base dos, para compensar la reducción de Vp
debida al aumento de la temperatura, y para proteger al
UJT de un posible desbocamiento térmico. La resistencia
RB2 tiene un valor de 100 Ω o mayor, y se puede
determinar en forma aproximada a partir de
RB2 =
104
ηVs
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 53/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejemplo
Diseñe el circuito de disparo de un UJT. Los parámetros del UJT son Vs = 30
V, η = 0,51, Ip = 10 µA, Vv = 3,5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de
oscilación es f = 60 Hz y el ancho del pulso de disparo tg = 50 µs.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 54/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejemplo
Diseñe el circuito de disparo de un UJT. Los parámetros del UJT son Vs = 30
V, η = 0,51, Ip = 10 µA, Vv = 3,5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de
oscilación es f = 60 Hz y el ancho del pulso de disparo tg = 50 µs.
solución: T = 1
f
= 1/60 Hz = 16,67 ms, Vp = 0,51 ∗ 30 + 0,7 = 16 V. Si
suponemos que C = 0,5 µF. Los valores limitantes de R son
R 
30 − 16
10 µA
= 1,4 MΩ
R 
30 − 3,5
10 mA
= 2,65 kΩ
16,67 ms = R ∗ 0,5 µF ∗ ln(1/(1 − 0,5)), lo que da un valor de R ≈ 48 kΩ,
que cae dentro de los valores limitantes. El voltaje de compuerta pico
VB1 = Vp = 16V.
RB1 =
tg
C
=
50 µs
0,5 µF
= 100Ω
y
RB2 =
104
0,51 ∗ 30
= 6,53kΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 54/59
Unidad 2.
Tiristores
Transistor Monounión Programable
El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor y se
puede utilizar como un oscilador de relajación.
El voltaje de compuerta VG se mantiene constante desde la
alimentación mediante el divisor resistivo de voltaje R1 y R2, y
determina el voltaje de punto de pico Vp.
El Vp de un PUT puede variar al modificar el valor del divisor
resistivo R1 y R2.
Si el voltaje del ánodo VA  VG, el dispositivo se conservará en su
estado inactivo.
Si VA excede el voltaje de compuerta en una caída de voltaje de
diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 55/59
Unidad 2.
Tiristores
La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv
dependen de la impedancia equivalente en la compuerta
RG = R1R2
R1+R2
y del voltaje de alimentación de cd.
Vp está dado por
Vp =
R2
R1 + R2
Vs
que da la relación intríseca como
η =
Vp
Vs
=
R2
R1 + R2
R y C controlan la frecuencia, junto con R1 y R2. El
período de oscilación T esta dado en forma aproximada
por
T =
1
f
≈ RC ln

Vs
Vs − Vp

= RC ln

1 +
R2
R1

Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 56/59
Unidad 2.
Tiristores
La corriente de compuerta IG en el valle está dada por
IG = (1 − η)
Vs
RG
donde RG = R1R2
R1+R2
. R1 y R2 se pueden determinar a partir
de
R1 =
RG
η
R2 =
RG
1 − η
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 57/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejemplo
Diseñe un circuito de disparo del PUT, con los siguientes
parámetros, Vs = 30 V e IG = 1 mA. La frecuencia de oscilación es
f = 60 Hz. El ancho del pulso es tg = 50µ s y el voltaje de disparo
es VRk = 10 V.
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 58/59
Unidad 2.
Tiristores
Ejemplo
Diseñe un circuito de disparo del PUT, con los siguientes
parámetros, Vs = 30 V e IG = 1 mA. La frecuencia de oscilación es
f = 60 Hz. El ancho del pulso es tg = 50µ s y el voltaje de disparo
es VRk = 10 V.
Solución T = 1/f, Hz = 16,67 ms. El voltaje pico de disparo
VRk = Vp = 10 V. sea C = 0,5µF.
Rk = tg/C = 50µs/0,5µF = 100Ω, η = Vp/Vs = 10/30 = 1/3.
16,67 ms = R × 0,5 µF × ln(30/(30 − 10)) lo que da R = 82,2 KΩ.
Para IG = 1 mA RG = (1 − 1/3) × 30/1 mA = 20 kΩ
R1 =
RG
η
= 20kΩ ×
3
1
= 60kΩ
R2 =
RG
1 − η
= 20kΩ ×
3
2
= 30kΩ
Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 58/59
Gracias por su atención
Dr. Antonio Navarrete Guzmán

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  • 3. Unidad 2. Tiristores Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 3/59
  • 4. Unidad 2. Tiristores Tiristores Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna para producir un nuevo tipo de conmutación. Los tiristores mas importantes son los rectificadores controlados de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) y el triac. A1 igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicación de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminación y otras cargas semejantes. El funcionamiento del tiristor se puede explicar mediante el circuito equivalente que se ve en la Figura ??. Obsérvese que el transistor superior, Q1, es un dispositivo pnp, y el inferior, Q2, es un dispositivo npn. El colector de Ql excita la base de Q2, y el de Q2 lo hace con la base de Q1. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 4/59
  • 5. Unidad 2. Tiristores Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn. Tiene tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta. El símbolo del tiristor y una sección recta de tres uniones pn Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 5/59
  • 6. Unidad 2. Tiristores La compuerta de un SCR está conectada a la base de un transistor interno, se necesitan al menos 0.7 V para disparar un SCR. Las hojas de datos indican esta tensión como tensión de disparo, VGT . Asi mismo indican la corriente de disparo, IGT . Ejemplo, la hoja de caracteristicas de un C106D da una tensión y una corriente de disparo de VGT = 0,6 V IGT = 15 µA lo que significa que la fuente que alimenta la compuerta del C106D tiene que proporcionar 15 µ A a 0.6 V para activar el SCR. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 6/59
  • 7. Unidad 2. Tiristores Tensión de entrada Un SCR tiene una tensión de compuerta VG mayor que VGT , por lo tanto el SCR conducirá y la tensión de salida caerá desde +Vcc a un valor bajo. La tensión de entrada que se necesita para disparar un SCR tiene que,ser mayor que: Vin = VGT + IGT RG (1) VGT e IGT son la tensión y corriente de disparo necesarias para la compuerta del dispositivo. Cuando se tiene el valor de RG el cálculo de Vin, es directo. Si no se satisface la ecuación , el SCR no se puede cerrar. Estos valores se encuentran en las hojas de características. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 7/59
  • 8. Unidad 2. Tiristores Activación del tiristor Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas 1. Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habrá un aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita. 2. Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarán los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por luz se logra al permitir que ésta llegue a los discos de silicio. 3. Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una activación regenerativa. Este ripo de activación puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. 4. dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor; por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 8/59
  • 9. Unidad 2. Tiristores Se deben de tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseño de un circuito de control de compuerta: La señal de compuerta debe de eliminarse después de activarse el tiristor. Una señal continua de compuerta aumentaría la pérdida de potencia en la unión de la compuerta. Mientras el tiristor esté con polarización inversa, no debe haber señal de compuerta; de lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada. El ancho de pulso de la compuerta tG debe ser mayor que el tiempo requerido para que la corriente del ánodo se eleve al valor de corriente de mantenimiento IH. En la práctica, el ancho del pulso tG por lo general se diseña mayor que el tiempo de activación ton del tiristor. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 9/59
  • 10. Unidad 2. Tiristores Desactivación del Tiristor Después de que el SCR se ha activado permanece así incluso aunque se reduzca Vin, a cero. En este caso, la tensión de salida se mantiene baja indefinidamente. La única forma de reiniciar el SCR consiste en reducir su corriente a un valor menor que la corriente de mantenimiento IH ; esto se hace normalmente reduciendo Vcc a un valor bajo. Como la comente de mantenimiento circula a través de la resistencia de carga, la tensión de alimentación para que el SCR conduzca tiene que ser menor que Vcc = 0,7 V + IH RL Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 10/59
  • 11. Unidad 2. Tiristores Problema Tiene un voltaje de disparo de 0.75 V y una corriente de disparo 7 mA. ¿Cual es la tensión de entrada que cierre al SCR?. Si la corriente de mantenimiento es de 6 mA, ¿Cuanto vale la tensión de alimentación que lo abre? Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 11/59
  • 12. Unidad 2. Tiristores Problema Tiene un voltaje de disparo de 0.75 V y una corriente de disparo 7 mA. ¿Cual es la tensión de entrada que cierre al SCR?. Si la corriente de mantenimiento es de 6 mA, ¿Cuanto vale la tensión de alimentación que lo abre? La mínima tensión de entrada necesaria para disparar el SCR es Vi n = 0,75 V + (7 mA)(1 kΩ) = 7,75 V la tensión de alimentación que abre el SCR: Vcc = 0,7 + (6 mA)(100 Ω) = 1,3 V Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 11/59
  • 13. Unidad 2. Tiristores Protección contra dv/dt Si el interruptor S1 se cierra en t = 0, se aplicará un escalón de voltaje a través del tiristor T1 por lo que dv/dt puede ser lo suficientemente alto para activar el dispositivo. El dv/dt se puede eliminar conectando el capacitor Cs. Cuando el tiristor T1 se active la corriente de descarga del capacitor estará limitada por el resistor Rs. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 12/59
  • 14. Unidad 2. Tiristores Implementando una red snubber, el voltaje a través del tiristor se elevará en forma exponencial, como se muestra en la figura, y el circuito dv/dt puede encontrarse aproximadamente a partir de dv dt = 0,632Vs τ = 0,632Vs RsCs El valor de la constante de tiempo de la red snubber τ se puede determinar de la ecuación anterior a partir de un valor conocido dv/dt, y proponiendo un valor de capacitor, por lo general 22nF. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 13/59
  • 15. Unidad 2. Tiristores Es posible utilizar más de una resistencia para dv/dt, (R1 + R2) limita la corriente de descarga, de modo que dv dt = 0,632Vs τ = 0,632Vs (R1 + R2)Cs Si la inductancia de la carga es alta: Rs puede ser alto y Cs puede ser pequeño, para retener el valor deseado de la relación de amortiguación. Un valor alto de Rs reducirá la corriente de descarga y un valor bajo de Cs reducirá la pérdida del circuito snubber. Se utilizan tanto para la protección dv/dt como para suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperación inversa. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 14/59
  • 16. Unidad 2. Tiristores El SCR como interruptor La carga se protege por medio del diodo zener, la resistencia y el SCR. En condiciones normales, Vcc es inferior a la tensión de ruptura del diodo zener. En este caso, no hay tensión a través de R y el SCR permanece abierto. La carga recibe una tensión de Vcc y no se tiene ningún problema. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 15/59
  • 17. Unidad 2. Tiristores Si Vcc es demasiado grande, el diodo zener conduce y aparece una tensión a través de R. Si esta tensión es mayor que la tensión de disparo del SCR (generalmente 0.7 V), el SCR se activará y conducirá. La acción es similar a cortocircuitar los terminales de carga. Debido a que el SCR entra en conducción muy rápido, la carga se protege rápidamente contra daños ocasionados por una gran sobretensión. La sobretensión que dispara el SCR es: Vcc = Vz + VGT Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 16/59
  • 18. Unidad 2. Tiristores Circuitos de control de compuerta El circuito típico de control de compuerta mas simple o circuito de disparo, se muestra en la figura. Si la fuente es ac,el funcionamiento es la siguiente: 1 Cuando SW está abierto, no hay circulación de corriente hacia la compuerta. El SCR no pasa ha conducción de modo que es un corto circuito abierto en serie con la carga. Por lo tanto, la carga está desenergizada. 2 Se cierra SW habrá corriente hacía la puerta cuando la fuente de voltaje sea positiva. El ángulo de disparo está determinado por la posición de R2. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 17/59
  • 19. Unidad 2. Tiristores Si R2 es baja, la corriente de compuerta será lo suficientemente grande para activar el SCR cuando la magnitud de la fuente de voltaje sea bajo. Por tanto, el ángulo de disparo será pequeño y la magnitud del promedio de la corriente por la carga sera grande. Si R2 es alta, la fuente de voltaje debe subir a un valor alto para poder entregar suficiente corriente de compuerta para alimentar el SCR. Esto aumenta el ángulo de disparo y reduce la magnitud del promedio de la corriente de carga. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 18/59
  • 20. Unidad 2. Tiristores El propósito de R1 es el de mantener algún valor fijo de resistencia en el terminal en caso que R2 sea puesta en cero. Esto es necesario para proteger la compuerta de sobrecorrientes. R1 determina también el mínimo ángulo de disparo. En algunos casos se inserta un diodo en serie con la puerta para proteger la unión compuerta-cátodo. Una desventaja de este circuito de disparo simple es que el ángulo de disparo puede ajustarse solamente de 0◦ a 90◦ . Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 19/59
  • 21. Unidad 2. Tiristores La corriente de compuerta tiende a ser una onda senoidal en fase con el voltaje. IG apenas si alcanza a IGT , la corriente de compuerta necesaria para activar el SCR. Bajo esta circunstancia el SCR se activa a los 90◦ del ciclo. Por tanto, ángulos de disparo mayores a 90◦ no son posibles con este circuito de control de compuerta. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 20/59
  • 22. Unidad 2. Tiristores ejercicio Considerando un circuito de control y el voltaje de la fuente es 115 Vrms, IGT = 15 mA, y R1 = 3 KΩ. Se desea un ángulo de disparo de 90◦. ¿A que valor se debe ajustar R2?. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 21/59
  • 23. Unidad 2. Tiristores ejercicio Considerando un circuito de control y el voltaje de la fuente es 115 Vrms, IGT = 15 mA, y R1 = 3 KΩ. Se desea un ángulo de disparo de 90◦. ¿A que valor se debe ajustar R2?. Solución: A 90◦, el valor instantaneo del voltaje de la fuente es: Vrms = 1 √ 2 Vp entonces (115)( √ 2) = 162 V Despreciando la caída de voltaje en la carga y los 0,7 V que caen en la unión compuerta-cátodo(despreciables a 162 V), la resistencia del circuito es: 162 15 mA = 10,8 KΩ Por tanto, R2 = 10,8 − 3 = 7,8 KΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 21/59
  • 24. Unidad 2. Tiristores Retardos en el disparo usando capacitores Adicionando un capacitor en el extremo inferior de la resistencia del terminal de compuerta. La ventaja es que el ángulo de disparo puede ajustarse a más de 90◦ . La fuente ac es negativa, el voltaje inverso a través del SCR es aplicado al circuito de disparo RC, cargando a C. La fuente entra en su ciclo positivo, el voltaje directo a través del SCR tiende a cargar C en la polaridad opuesta. La formación de voltaje en la dirección opuesta es retardada hasta cuando la carga negativa sea removida de C. Con esto se puede extender mas allá de 90◦ . Cuanto mayor sea la magnitud de la resistencia del potenciómetro, mas tiempo toma en cargar C, y mas tarde se alimentará el SCR. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 22/59
  • 25. Unidad 2. Tiristores Si se ha añade una resistencia en la terminal de compuerta y se requiere por tanto que C se cargue por encima de 0.7 V para disparar al SCR. Dado que C ahora se carga a un voltaje mas alto, el disparo es aún mas retardado. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 23/59
  • 26. Unidad 2. Tiristores Una red RC doble para el control de compuerta, el voltaje retardado de C1 es utilizado para cargar C2, resultando aún más retardo en la formación del voltaje de compuerta. Los capacitores estan en el rango de 0,01 a 1µF. El mínimo ángulo de disparo, se determina por medio de las resistencias R1 y R3 y el máximo ángulo de disparo, se determina por la magnitud de la resistencia variable R2. La constante de tiempo RC de un circuito a 60 Hz debe estar en el rango de 1 a 30 ms. Es decir el producto (R1 + R2)C debe estar en el rango 1 × 10−3 a 30 × 10−3 lo mismo que R3C2 Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 24/59
  • 27. Unidad 2. Tiristores Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy C2 = 0,033µF. Determine R1, R2 y R3. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
  • 28. Unidad 2. Tiristores Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy C2 = 0,033µF. Determine R1, R2 y R3. Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
  • 29. Unidad 2. Tiristores Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy C2 = 0,033µF. Determine R1, R2 y R3. Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ (R1 + R2)C = 25 × 10−3tiempo máximo= (R2+29,4K Ω)(0,068µ) = 25×10−3 = 340 KΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
  • 30. Unidad 2. Tiristores Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µFy C2 = 0,033µF. Determine R1, R2 y R3. Solución: (R1 + R2)C = 2 × 10−3tiempo mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 KΩ (R1 + R2)C = 25 × 10−3tiempo máximo= (R2+29,4K Ω)(0,068µ) = 25×10−3 = 340 KΩ R3C2 debe ser cercana al menor valor del rango de ajuste R3(0,033µ) = 5 × 10−3 = 150 KΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 25/59
  • 31. Unidad 2. Tiristores El TRIAC El comportamiento de los TRIACs es semejante al de los SCRs, con la excepción que pueden conducir en cualquiera de las dos direcciónes. Es un dispositivo de tres terminales utilizado para controlar el valor promedio de la corriente que fluye a una carga. El símbolo esquemático de un triac se muestra, junto con los nombres y abreviaturas de sus terminales. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 26/59
  • 32. Unidad 2. Tiristores Cuando el triac es bloqueado, no puede fluir corriente entre sus terminales principales independiente de la polaridad de la fuente externa aplicada. Por tanto, el triac actúa como un interruptor abierto. Cuando el triac es llevado a conducción, presenta una resistencia muy baja al paso de la corriente en el camino de un terminal principal al otro, donde el sentido del flujo depende de la polaridad de la fuente externa aplicada. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1. Cuando el voltaje es mas positivo en MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En cualquier caso el triac actúa como un interruptor cerrado. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 27/59
  • 33. Unidad 2. Tiristores El triac esta conectado en serie con la carga al igual que un SCR. El valor promedio de la corriente que se entrega a la carga puede afectarse variando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en estado de conducción. Un triac no esta limitado a 180◦ de conducción por ciclo. Con el adecuado arreglo de disparo, puede conducir por la totalidad de los 360◦ por ciclo. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 28/59
  • 34. Unidad 2. Tiristores La forma de onda de la figura 1 muestra al triac en corte durante los primeros 30◦ de cada semiciclo; durante estos 30◦ el triac esta actuando como un interruptor abierto. Durante este tiempo la totalidad del voltaje de línea cae a través de las terminales principales del triac y no se aplica voltaje a la carga. Entonces no hay flujo de corriente por el triac o por la carga. La porción del semiciclo durante el cual existe esta situación se denomina ángulo de disparo. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 29/59
  • 35. Unidad 2. Tiristores Después de transcurridos los 30◦, el triac conduce, y actúa como un interruptor cerrado. La porción del semiciclo durante la cual el triac está en conducción se denomina ángulo de conducción. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 30/59
  • 36. Unidad 2. Tiristores Características eléctricas de los triacs Cuando un triac está polarizado con un voltaje externo mas postivo en MT2 (directa o polarización de terminal principal positivo), generalmente se dispara por una corriente que fluye de la puerta a MT1. Cuando está polarizad, el disparo del triac es idéntico al disparo de un SCR. El terminal G es positivo con respecto a MT1, lo cual hace que la corriente de disparo fluya hacia el dispositivo por el terminal MT1. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 31/59
  • 37. Unidad 2. Tiristores El voltaje de compuerta necesario para disparar el triac está simbolizado por VGT . La corriente de compuerta necesaria para el disparo está simbolizada por IGT . La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen un VGT del orden de 0.6 V a 2.0 V y una IGT de 0.1 a 20 mA. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 32/59
  • 38. Unidad 2. Tiristores Cuando el triac está polarizado más positivo en MT1 (inversa o polarización de terminal principal negativo). El disparo generalmente se ejecuta enviando corriente de compuerta al triac por el terminal MT1 y hacia afuera del triac por el terminal G. El voltaje de puerta será negativo con respecto a MT1. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 33/59
  • 39. Unidad 2. Tiristores En la mayoría de los triacs, la IGT para polarización directa será igual a la IGT de polarización inversa. Un triac, al igual que un SCR, no requiere que continúe circulando corriente de compuerta una vez que ha sido activado. El triac permanece en conducción hasta que cambie la polaridad de sus terminales principales o hasta que la corriente principal caiga por debajo de la corriente de mantenimiento IHO. La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen una IHO del orden de 100 mA o menos. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 34/59
  • 40. Unidad 2. Tiristores Otras características eléctricas importantes las cuales se aplican a los triacs son: Valor rms de la máxima corriente principal permitida IT(rms). Voltaje de ruptura VDrom, es el voltaje máximo de pico aplicado entre los terminales principales que puede bloquear el triac en cualquier dirección. Si el voltaje instantáneo aplicado entre los terminales MT2 y MT1 excediera VDrom, el triac se rompe y comienza a dejar circular corriente por los terminales principales. Esto no daña el triac, pero significa una pérdida del control de compuerta. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 35/59
  • 41. Unidad 2. Tiristores Circuitos RC de control de puerta El circuito de disparo más simple para un TRIAC. El condensador C se carga a través de R1 y R2 durante la porción del semiciclo correspondiente al ángulo de disparo. Durante el semiciclo positivo MT2 es positivo respecto a MT1, y C se carga con el positivo en su placa superior. Cuando el voltaje en C es lo suficientemente grande para entregar a través de R3 la corriente de puerta IGT necesaria para disparar el triac, el triac se activa. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 36/59
  • 42. Unidad 2. Tiristores Durante el semiciclo negativo, C se carga con el negativo en su placa superior y el voltaje a través del capacitor es lo suficiente para entregar a través de R3 la corriente necesaria de compuerta en la dirección inversa para disparar el triac, el triac se activa. La velocidad de carga del condensador C se ajusta por medio de la resistencia R2. Con una R2 grande, la velocidad de carga es lenta, produciendo un ángulo de disparo grande y un promedio de corriente pequeño. Con una R2 pequeña, la velocidad de carga es rápida, el ángulo de disparo es pequeño, y la corriente de carga es grande. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 37/59
  • 43. Unidad 2. Tiristores Al igual que los circuitos de disparo de los SCR, una red RC simple no puede retardar el disparo del TRIAC muy por encima de 90◦. Para establecer un rango de ajuste amplio del ángulo de disparo, la red RC doble, es generalmente la utilizada. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 38/59
  • 44. Unidad 2. Tiristores Disparo por pulsos El circuito de control de compuerta puede mejorarse adicionando un dispostivo de disparo en el terminal de compuerta. La utilización de un dispositivo de disparo en el circuito de disparo de puerta de un triac presenta algunas ventajas importantes sobre los circuitos de control de compuerta con RC simple. Estas ventajas parten del hecho que un dispostivo de disparo entrega un pulso de corriente de compuerta en lugar de una corriente de compuerta sinusoidal. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 39/59
  • 45. Unidad 2. Tiristores El diac La curva del diac muestra que para voltajes aplicados en sentido directo menores que el voltaje de ruptura directo +VB0 el diac prácticamente no permite el flujo de corriente Una vez alcanzado el voltaje de ruptura directo, el diac conmuta a conducción y la corriente aumenta rápidamente a la vez que el voltaje a través de los terminales disminuye. En la región de voltaje negativo. cuando el voltaje aplicado en sentido inverso es menor que el voltaje inverso de ruptura −VB0 eldiac no permite flujo de corriente. Cuando el voltaje aplicado alcanza −VB0, el diac conmuta a conducción en la dirección opuesta. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 40/59
  • 46. Unidad 2. Tiristores Los diacs se fabrican de manera que son relativamente estables con temperatura y tienen una pequeña tolerancia en los voltajes de ruptura. El valor más popular de voltaje de ruptura para los diacs es 32 V (+VB0 = +32V − VB0 = −32V). Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 41/59
  • 47. Unidad 2. Tiristores Circuito de disparo con diac En el circuito se observa, cuando el voltaje en el capacitor alcanza 32 V, en cualquiera de las polaridades, el diac se dispara, entregando el pulso de corriente para conducción a la compuerta del triac. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 42/59
  • 48. Unidad 2. Tiristores Transistor monounion El transistor monojuntura (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y más importante aún, en circuitos de control de puerta para SCR y triacs Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 43/59
  • 49. Unidad 2. Tiristores Disparo del UJT El UJT es un dispositivo de tres terminales, los cuales se denominan emisor, base 1, y base 2. La Figura ?? muestra el símbolo esquemático y la localización de los terminales. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 44/59
  • 50. Unidad 2. Tiristores Funcionamiento del UJT El UJT funciona como sigue a. Cuando el voltaje entre emisor y base 1, VEB1 < VP , el UJT está en corto, y no puede fluir corriente de E a B1 (IE = 0). b. En el tiempo en el cual se carga el capacitor C a través de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT esta en estado abierto. c. Cuando VEB1 > VP en una pequeña cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. El circuito E a B1 es prácticamente un cortocircuito, y la corriente fluye instantáneamente de un terminal a otro. d. Y el capacitor se descarga a través de RB1 En la mayoría de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta duración, y el UJT rápidamente regresa al estado de CORTE. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 45/59
  • 51. Unidad 2. Tiristores Una fuente de externa está aplicada entre B2 y Bl, siendo B2 el terminal más positivo. Como se indica, el voltaje entre los dos terminales de base se simboliza por VBB. Para un tipo dado de UJT, el voltaje de pico VP es un cierto porcentaje fijo del valor VBB, más 0, 7 V. Este porcentaje fijo se denomina la relación intrínseca entre contactos, o simplemente la relación entre contactos, del UJT, y se simboliza por η. Por tanto, el voltaje de pico de un UJT puede escribirse como: Vp = ηVBB + 0,7V lo que es igual a VP ≈ ηVs + 0,7V Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 46/59
  • 52. Unidad 2. Tiristores Ejercicio Si el UJT de la Figura tiene una relación entre contactos η = 0, 55 y un voltaje externo VBB de 20 V, ¿cuál es el voltaje de pico? Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 47/59
  • 53. Unidad 2. Tiristores Ejercicio Si el UJT de la Figura tiene una relación entre contactos η = 0, 55 y un voltaje externo VBB de 20 V, ¿cuál es el voltaje de pico? Solución. Vp = 0,55(20V) + 0, 7V = 11, 7V. En este caso, VEB1 deberá ser mayor que 11.7 V para poder disparar el UJT. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 47/59
  • 54. Unidad 2. Tiristores Hay una cierta resistencia interna que existe entre los terminales de base B2 y B1. Esta resistencia es del orden de 5 a 10 kΩ en la mayoría de los UJT y se representa por rBB . En la estructura física de un UJT, el terminal de emisor toca el cuerpo del UJT en un sitio entre el terminal B2 y el terminal B1. Por consiguiente, se forma un divisor de voltaje, dado que rBB queda dividido en dos partes, rB2 y rB1 . El diodo en esta figura indica que el emisor es material tipo p, mientras que el cuerpo del UJT es material tipo n. Por tanto entre el terminal de emisor y el cuerpo del UJT se forma una unión pn. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 48/59
  • 55. Unidad 2. Tiristores El condensador comenzará a cargarse a través de R. Dado que el condensador está conectado entre E y B1, cuando su voltaje alcance 11,7 V el UJT disparará (asumiendo η = 0,55 como en el problema anterior). Esto permitirá que la carga almacenada en las placas de e E se descargue rápidamente a través del UJT. En la mayoría de las aplicaciones con UJT, este pulso de corriente de E a B1 representa la salida del circuito Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 49/59
  • 56. Unidad 2. Tiristores La forma de onda del voltaje de disparo VB1 es idéntica a la corriente de descarga del capacitor C1. El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar al SCR. El período de oscilación, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y está dado por T = 1 f ≈ RC ln 1 1 − η donde el parámetro η se conoce como la relación intrínseca de equilibrio. El valor de η está entre 0.51 y 0.82. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 50/59
  • 57. Unidad 2. Tiristores La resistencia R está limitada a un valor entre 3 kΩ y 3 MΩ. Si la recta de carga no cae a la derecha del punto de pico, el UJT no se activa. Esto es R Vs − Vp Ip En el punto de valle IE = Iv y VE = Vv de tal forma que la condición del límite inferior de R para asegurar la desactivación es R Vs − Vv Iv Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 51/59
  • 58. Unidad 2. Tiristores El rango recomendado de voltaje de alimentación Vs es de 10 a 35 V. Para valores fijos de η, el voltaje pico Vp varía con el voltaje entre las dos bases, VBB, Vp está dado por Vp = ηVBB + VD (= 0,7V) ≈ ηVs + VD (= 0,7V) Donde VD es la caída de voltaje directa de un diodo. El ancho tg del pulso de disparo es tg = RB1C En general RB1 está limitado a un valor por debajo de 100 Ω, aunque en algunas aplicaciones es posible tener valores de 2 a 3 kΩ. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 52/59
  • 59. Unidad 2. Tiristores Por lo general, una resistencia RB2 se conecta en serie con la base dos, para compensar la reducción de Vp debida al aumento de la temperatura, y para proteger al UJT de un posible desbocamiento térmico. La resistencia RB2 tiene un valor de 100 Ω o mayor, y se puede determinar en forma aproximada a partir de RB2 = 104 ηVs Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 53/59
  • 60. Unidad 2. Tiristores Ejemplo Diseñe el circuito de disparo de un UJT. Los parámetros del UJT son Vs = 30 V, η = 0,51, Ip = 10 µA, Vv = 3,5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz y el ancho del pulso de disparo tg = 50 µs. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 54/59
  • 61. Unidad 2. Tiristores Ejemplo Diseñe el circuito de disparo de un UJT. Los parámetros del UJT son Vs = 30 V, η = 0,51, Ip = 10 µA, Vv = 3,5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz y el ancho del pulso de disparo tg = 50 µs. solución: T = 1 f = 1/60 Hz = 16,67 ms, Vp = 0,51 ∗ 30 + 0,7 = 16 V. Si suponemos que C = 0,5 µF. Los valores limitantes de R son R 30 − 16 10 µA = 1,4 MΩ R 30 − 3,5 10 mA = 2,65 kΩ 16,67 ms = R ∗ 0,5 µF ∗ ln(1/(1 − 0,5)), lo que da un valor de R ≈ 48 kΩ, que cae dentro de los valores limitantes. El voltaje de compuerta pico VB1 = Vp = 16V. RB1 = tg C = 50 µs 0,5 µF = 100Ω y RB2 = 104 0,51 ∗ 30 = 6,53kΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 54/59
  • 62. Unidad 2. Tiristores Transistor Monounión Programable El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor y se puede utilizar como un oscilador de relajación. El voltaje de compuerta VG se mantiene constante desde la alimentación mediante el divisor resistivo de voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. El Vp de un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el voltaje del ánodo VA VG, el dispositivo se conservará en su estado inactivo. Si VA excede el voltaje de compuerta en una caída de voltaje de diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 55/59
  • 63. Unidad 2. Tiristores La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2 R1+R2 y del voltaje de alimentación de cd. Vp está dado por Vp = R2 R1 + R2 Vs que da la relación intríseca como η = Vp Vs = R2 R1 + R2 R y C controlan la frecuencia, junto con R1 y R2. El período de oscilación T esta dado en forma aproximada por T = 1 f ≈ RC ln Vs Vs − Vp = RC ln 1 + R2 R1 Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 56/59
  • 64. Unidad 2. Tiristores La corriente de compuerta IG en el valle está dada por IG = (1 − η) Vs RG donde RG = R1R2 R1+R2 . R1 y R2 se pueden determinar a partir de R1 = RG η R2 = RG 1 − η Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 57/59
  • 65. Unidad 2. Tiristores Ejemplo Diseñe un circuito de disparo del PUT, con los siguientes parámetros, Vs = 30 V e IG = 1 mA. La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz. El ancho del pulso es tg = 50µ s y el voltaje de disparo es VRk = 10 V. Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 58/59
  • 66. Unidad 2. Tiristores Ejemplo Diseñe un circuito de disparo del PUT, con los siguientes parámetros, Vs = 30 V e IG = 1 mA. La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz. El ancho del pulso es tg = 50µ s y el voltaje de disparo es VRk = 10 V. Solución T = 1/f, Hz = 16,67 ms. El voltaje pico de disparo VRk = Vp = 10 V. sea C = 0,5µF. Rk = tg/C = 50µs/0,5µF = 100Ω, η = Vp/Vs = 10/30 = 1/3. 16,67 ms = R × 0,5 µF × ln(30/(30 − 10)) lo que da R = 82,2 KΩ. Para IG = 1 mA RG = (1 − 1/3) × 30/1 mA = 20 kΩ R1 = RG η = 20kΩ × 3 1 = 60kΩ R2 = RG 1 − η = 20kΩ × 3 2 = 30kΩ Dr. Antonio Navarrete Guzmán Electrónica de potencia aplicada 58/59
  • 67. Gracias por su atención Dr. Antonio Navarrete Guzmán