Practica de Laboratorio Electrónica

1. Electrónica Análoga y de Potencia
Informe de laboratorio
1
Laboratorio No.3 Mosfet´s
Resumen
1. INTRODUCCIÓN
Alejandro Blandon & Maria
Fernanda Saavedra Grimaldo
Universidad Escuela de Ingeniería de Antioquia
Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-
Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, que en
español significan transistor de efecto de campo
metal-óxido semiconductor. En otras palabras, un
MOSFET es un transistor, un componente eléctrico
que se encarga de regular la salida de voltaje a partir
de una tensión de entrada dada.
.
Fig. 1. Esquema de transistores formados por dos
diodos.
¿Qué es un transistor Mosfet?
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos
basados en la estructura MOS. Los primeros son los
MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la
creación de un canal entre el drenador y la fuente, al
aplicar una tensión en la puerta. El término
enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la región
correspondiente al canal.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen
un canal conductor en su estado de reposo, que se
debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una
disminución de la cantidad de portadores de carga y
una disminución respectiva de la conductividad.
Fig. 2- Transistor mosfet.
Funcionamiento
el Mosfet controla el paso de la corriente entre
una entrada o terminal llamado fuente
(source) y una salida o terminal llamado
drenador (drain), mediante la aplicación de
una tensión (con un valor mínimo llamada
tensión umbral) en el terminal llamado puerta
(gate).dicho de otra manera mas cotidiana es
un interruptor controlado por tensión.

2. Electrónica Análoga y de Potencia
Informe de laboratorio
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2. PREINFORME
2.1 Cálculos
.
.
Fig. 4 .En este primer circuito lo que se
buscas es ejecutar un detector de agua en un
tanque por medio de un Mosfet.
Fig.5 Circuito arrancador suave de motor
de CD utilizando un MOSFET.
1. Simulaciones
Fig.6 Circuito de la Fig 4. Simulado
con el software de Proteus
Vgs Vds Id
5,97 V 0,70 V 0,94 A
Fig 7. Circuito de la Fig 5. Simulado
en el software de Proteus.
Vgs Vds Id
3,99V 0,74V 1,19V
Para obtener los datos de esta
simulación, se cambiaron los datos de
las resistencias y la fuente para que
fuese similar al circuito montado en la
práctica y así obtener un mejor punto de
comparación.
En esta práctica de laboratorio no fue
necesario realizar ningún calculo matemático
ya que la guía entregada por el docente incluía
las resistencias necesarias y el montaje general
del circuito.

3. Electrónica Análoga y de Potencia
Fig. 7
3
Informe de laboratorio
Montajes
Observación: es esta practica usó la proboard y no la
baquela soldada, ya que presentó errores por mal
contacto.
Fig. 8 Circuito de la Fig 5. Circuito para arrancar un
motor de manera suave.
Fig.9 Circuito de la Fig 4. Circuito pare medir nivel de
agua.
INFORME
Datos obtenidos
En el circuito de la Fig 4 alimentado el circuito con
10v se obtuvieron los siguientes resultados
Vgs Vds Id A
6,70 0,65 1,15
El circuito de la Fig 5, fue alimentado con 15v y la
resistencia de 100k se cambiaron por resistencias de
200k del cual se obtuvieron los siguientes resultados.
Vgs Vds Id
3,77 V 1,437 V 1,35 A
Los tiempos de arranque y apagado del motor con un
capacitor de 10uF y una fuente de alimentación de 33v
fueron aproximadamente:
10 uF
Encendido Apagado
0,5 seg 9 seg
Los tiempos de arranque y apagado del motor con un
capacitor de 47uF y una fuente de alimentación de 33v
fueron aproximadamente:
47 uF
Encendido Apagado
2:32 seg 12:62 seg
Los tiempos de arranque y apagado del motor con un
capacitor de 47uF, una fuente de alimentación de 33v y
una resistencia re ohm fueron aproximadamente:
47 uF/ Re= 0
ohm
Encendido Apagado
1:72 seg 12:22 seg
Observacion: En el circuito de encendido de un motor
de manera suave se observó que al aumentar la
capacitancia del circuito de 10 a 47( uF), la velocidad
con qué se encendía y apagaba el motor aumentaba,
además de eso se menciona que al exponer el mosfet a
una tensión de 33v, este se quemaba, por lo cual se debió
cambiar este dispositivo al tomar las diferentes medidas
del tiempo de arranque.
Por otro lado al eliminar la resistencia Re y
reemplazarlo por un cable el tiempo de encendido y
apagado apenas cambiaba, pero el Mosfet se veía
mucho más
Fig.10. Mosfet al someterlo a 33v retirando su
resistencia de gate.

4. Electrónica Análoga y de Potencia
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forme de laboratorio
.
Tabla 1. Comparación de datos circuito 1
Vgs Vds Id
Simulado 5,97 0,7 0,94
Medido 6,79 0,65 1,15
Error 14% 7% 22%
Tabla 2 Comparación datos del circuito II
Vgs Vds Id
Simulado 3,99 0,74 1,19
Medido 3,77 1,42 1,35
Error 6% 92% 13%
Como se observa en la tabla 2, el voltaje
drain source tiene demasiada desviación,
del cual se podría concluir que fue
ocasionado por un error en el momento de
hacer la medida en los contactos del
mosfet.
Materiales
• 200k ohms
• 470k ohms
• 220k ohms
• Motor 12v
• Transistor IRF630
• Fuente de Alimentacion DC
• Osciloscopio Gwinstek
Conclusiones
• Se puede concluir es que los
mosfet son elementos que soportan
mayores corrientes y voltajes por
ende estos tienden a ser mas
usados comercialmente ya que no
se limitan tanto, comparando con
los otros tipos de transistores.
• Se puede afirmar que la corriente
que entra al gate es muy bajita por
ende el voltaje que entra en el gate
es muy similar al voltaje que entra
en el gate y source,
• Se observó que al cambiar el
capacitor se tiene un mayor tiempo
de descarga por el cual se deja
pasar mayor voltaje lo que puede
quemar el mosfet , por ende es muy
importante conocer el valor
indicado de ruptura, ya que esto
me servirá tanto para el tiempo
adecuado de descarga como para el
buen funcionamiento del circuito.