Descripcion y ejemplos de semiconductores intrinsicos y dopados, dejados por el docente de fisica eletronica

1. VEGA MELGAREJO JESUS WILLIAMS
semiconductores intrínsecos y
los semiconductores dopados

2. Es un elemento que se comporta como
un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores.
Ejemplo: El campo eléctrico o magnético,
la presión, la radicación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
El elemento mas usado es el silicio, el
segundo el germanio. posteriormente se
ha comenzado a emplear también el
azufre. la características común a todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el
silicio una configuración electrónica 𝑠2 𝑝2.
Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

3. SEMICONDUCTORES
INTRINSECOS
SEMICONDUCTORES DOPADOS
Semiconductor Intrínsecos
Semiconductor Dopado

4. Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo
pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores
puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al
alterar la densidad de portadores de carga libres.
Ejemplos de valores de ni a temperatura
ambiente (27ºc):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 1.72 1013cm-3
Cuando se eleva la temperatura de la red
cristalina de un elemento semiconductor
intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se
rompen y varios electrones pertenecientes a la
banda de valencia se liberan de la atracción que
ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos.

5. La característica fundamental de los cuerpos semiconductores es la de
poseer 4 electrones en su órbita de valencia.
Cada átomo de silicio (si), ocupa siempre el centro de un cubo que
posee otros 4 átomos de silicio en cuatro de sus vértices. Esta
estructura cristalina obliga al átomo a estar rodeado por otros cuatro
iguales, formándose los llamados enlaces covalentes, en los que
participa cada electrón en dos átomos contiguos.

6. Si aplicamos una diferencia de tensión a un semiconductor como el
germanio o el silicio puros, el borne positivo atraerá los electrones libres
creados por la agitación térmica, mientras que el borne negativo lo hará
con los huecos, que tienen carga positiva.
Por cada electrón que absorba el polo positivo aparecerá un hueco en la
estructura del semiconductor, mientras que el polo negativo absorbe un
hueco y deja en la estructura una carga negativa. Se mantendrán por tanto
las concentraciones de las cargas de los portadores

7. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar
impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco)
con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo
de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los
conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos.
Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un
semiconductor es llamado degenerado.

8. Son los que están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (as,
P, sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco
electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina,
un electrón quede fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivel
superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de
la formación de los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.

9. En este caso son los que están dopados con elementos
trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace
que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una
vacante con un nivel energético ligeramente superior al de
la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrón que lo
rellenaría.

11. • http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
• http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke
http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
• http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
• http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29
• http://www.sabelotodo.org/materia/enlaces.html
• http://www.ifent.org/Lecciones/semiconductor/tipo-P.asp
• http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.html#c4
• http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf
• http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp