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1. TRANSISTORES

2. TRANSISTOR NPN MMBT2369AL
Conectar un transistor NPN en un
circuito amplificador permitirá que
una señal de AC (corriente alterna)
se amplifique. La cantidad de
amplificación puede variar
dependiendo de los valores de
resistencia de las resistencias
eléctricas utilizadas en el circuito.
En un circuito de amplificación de
Clase A, la amplificación se
consigue mediante la aplicación
de una señal de CA a la conexión
de base de un transistor. La señal
amplificada se obtiene al hacer
una conexión eléctrica en la
conexión del colector.

3. TRANSISTOR JFET 2N5485
El JFET de canal n está constituido por una
barra de silicio de material semiconductor de
tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p
situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y
puerta (gate).
En el JFET intervienen como parámetros: ID
(intensidad drain o drenador a source o
fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o
fuente) y VDS (tensión drain o drenador a
source o fuente). Se definen cuatro regiones
básicas de operación: corte, lineal, saturación
y ruptura.

4. TRANSISTOR PNP MPQ3906
Un transistor PNP en un radio aumenta la
señal relativamente pequeña de una
antena, lo que te permite sintonizar
emisoras a muchos kilómetros de distancia.
Los transistores de los amplificadores de
potencia transmiten a los altavoces que
requieren grandes cantidades de
corriente. En los circuitos de computación,
rápidamente intercambian corrientes de
encendido y apagado de manera
completa. Los transistores también generan
señales estables de alta frecuencia
utilizadas en radio y televisión.

5. TRANSISTOR UNIJUNTURA 2N6027
Una de las aplicaciones del UJT más
común es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos
resultan muy útiles para controlar el
disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

6. TRANSISTOR MOSFET IRF510S
El transistor MOSFET, está basado en la
estructura MOS. En los MOSFET
de enriquecimiento, una diferencia de tensión
entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos
de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de
campo. El término enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad
de portadores de carga en la región
correspondiente al canal, que también es
conocida como la zona de inversión.

7. Fuentes:
 http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/5/IRF510S
.shtml
 http://www.ehowenespanol.com/definicion-transistor-pnp-
info_247918/
 http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-entrada-salida-
transistor-npn-sobre_257127/
 http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp
 http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html