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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO
“SANTIAGO MARIÑO”
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
EXTENSIÓN MATURÍN
ANÁLISIS ENMODELO HÍBRIDO DE TRNASISTORES BJT
ELECTRÓNICA I
Maturín, Marzo de 2017
AUTOR:
KENRRY MUÑOZ T. V-22.660.205
ASESOR DE MATERIA:
MARIANGELA POLLONAIS
ÍNDICE
INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................. 2
Modelo hibrido de un transistor (modelo en pequeña señal). ............................................................ 2
Análisis del transistor en Corriente Alterna(pequeña señal).............................................................. 2
Tipos de análisis en Modelo Hibrido del transistor BJT.................................................................... 5
Emisor común. ............................................................................................................................... 5
Valores a determinar en análisis en pequeña señal de transistores BJT............................................. 5
CONCLUSION.................................................................................................................................. 7
INTRODUCCIÓN
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:
continua y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de
trabajo localizado en la región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ,
IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce
pequeñas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor
del punto de trabajo.
Al igual que en el análisis en DC, tenemos varios tipos de análisis en CA, como Colector
común, base común, Emisor común, Emisor seguir, entre otros.
En este trabajo se estudiará el modelo hibrido, o análisis en pequeña señal den transistor,
donde se otorgarán las definiciones básicas, análisis y ejercicios del mismo.
Modelo hibrido de un transistor (modelo en pequeña señal).
El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que
puede ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros, los h (figura Nº1)
son los que mejor modelan al transistor porque relacionan las corrientes de entrada con las
de salida, sin olvidar que un transistor bipolar es un dispositivo controlado por
intensidad. La clave para el análisis de señal pequeña de un transistor es el uso de circuitos
equivalentes (modelos) donde se define técnicamente:
“Un modelo es una combinación de elementos de un circuito,
apropiadamente seleccionados, que simula de forma aproximada el
comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones
específicas de operación.”
Figura Nº1. Parámetros H en el modelo de pequeña
Señal del transistor de unión bipolar BJT.
Análisis del transistor en Corriente Alterna (pequeña señal).
En un esfuerzo por demostrar el efecto que el circuito equivalente de ca tendrá en el
análisis de os transistores, se considera que el circuito de la figura Nº2 por el momento se
determinó el circuito equivalente de ca de señal pequeña del transistor. Para explicar este
análisis se aplicará el tipo de análisis de emisor común de los transistores BJT.
Figura Nº2. Circuito del transistor en modo emisor común en CA.
Como sólo interesa la respuesta de ca del circuito, todas las fuentes de se reemplazan por
un equivalente de potencial cero (cortocircuito) porque determinan sólo el nivel de cd
(nivel quiescente) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida de ca.
Esto se demuestra claramente en la figura Nº3. Los niveles de cd simplemente fueron
importantes para determinar los valores que se analizan con corriente directa. Una vez
determinados, podemos ignorar los niveles de cd en el análisis de la red. Además, los
capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de puenteo C3 se seleccionaron para
que tuvieran una reactancia muy pequeña en la frecuencia de aplicación. Por consiguiente,
también, en la práctica pueden ser reemplazados por una ruta de baja de resistencia o un
cortocircuito. Observe que esto pondrá en “cortocircuito” al resistor de polarización de cd
RE. Recuerde que los capacitores se comportan como un equivalente de “circuito abierto”
en condiciones de estado estable de cd, lo que permite aislar las etapas para los niveles de
cd y las condiciones quiescentes.
Figura Nº3. Comportamiento de los capacitores en CA.
Es importante que a medida que se avance a través de las modificaciones de la red, defina
el equivalente de ca para que los parámetros de interés como Zi, Zo, Ii e Io, definidos por la
figura Nº4, se manejen correctamente. Aun cuando la apariencia de la red puede cambiar,
debe asegurarse que las cantidades que encuentre en la red reducida sean las mismas
definidas por la red original. En ambas redes la impedancia de entrada se define de base a
tierra, la corriente de entrada como la corriente de base del transistor, el voltaje de salida
como el voltaje del colector a tierra, y la corriente de salida como la corriente que fluye a
través del resistor de carga RC.
Los parámetros de la figura se pueden aplicar a cualquier sistema ya sea que tenga uno o
mil componentes. En todos los análisis, las direcciones de las corrientes, las polaridades de
los voltajes y la dirección de interés de los niveles de impedancia son como aparecen en la
figura Nº3, es decir, la corriente de entrada Ii y la de salida Io, se definen como de entrada
al sistema. Si, en un ejemplo particular, la corriente de salida sale del sistema en lugar de
entrar a él como se muestra en la figura Nº3, se le debe aplicar un signo menos. Las
polaridades definidas para los voltajes de entrada y salida también son como aparecen en la
figura Nª4, Si Vo tiene la polaridad opuesta, se debe aplicar el signo menos. Observe que
Zi es la impedancia “viendo hacia adentro” del sistema, en tanto que Zo es la impedancia
“viendo de vuelta hacia adentro” del sistema por el lado de salida. Seleccionando las
direcciones definidas para las corrientes y voltajes, la impedancia de entrada y la de salida
se definen como positivas.
Figura Nº4. Entradas y salidas en modelaje híbrido
del Transistor BJT en modo emisor común.
Examinando con más detenimiento la figura Nº5 se identifica las cantidades importantes
que se van a determinar para el sistema. Como se sabe que el transistor es un dispositivo
amplificador, podemos esperar una indicación de cómo se relaciona el voltaje de salida Vo
con el voltaje de entrada Vi —la ganancia de voltaje. Observe en la figura Nº5 para esta
configuración que la ganancia de corriente se define como Ai _ Io/Ii.
En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de una red se obtiene como sigue:
1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazándolas por un equivalente de
cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito
introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma más conveniente y lógica.
Figura Nº 5. Circuito Equivalente de una red transistorial emisor común en CA.
Donde el transistor se representa de la siguiente forma:
Figura Nº6. Representación equivalente del Transistor BJT en modo Emisor común.
Tipos de análisis en Modelo Hibrido del transistor BJT.
Emisor común. En el apartado anterior, para explicar el análisis de transistores se aplicó
este tipo de modelaje. Quedando el transistor como en la figura Nº6.
Configuración base común. El circuito equivalente de base común se desarrollará casi del
mismo modo en que se aplicó a la configuración en emisor común. Las características
generales del circuito de entrada y salida generarán un circuito equivalente que simulará de
forma aproximada el comportamiento real del dispositivo.
Figura Nº7. Modelo hibrido del transistor BJT.
Valores a determinar en análisis en pequeña señal de transistores BJT.
Para explicar de forma sencilla los valores a determinar en este análisis, se aplicará una
configuración emisor común (figura Nº8).
Figura Nº8. Modelo hibrido en Configuración emisor seguidor de transistor BJT.
Donde se calculará los valores determinantes con las siguientes ecuaciones:
Ejemplo.
CONCLUSION
 Este análisis de transistores se usa solo cuando se quiere amplificar señales, debido
a su margen de ganancia (Av.).
 Existen capacitadores de acoplo y desacoplo para permitirle el paso del corriente
alterna y negar el paso de la corriente continua.
 La configuración principal para estos modelajes en AC es la de Emisor común, al
igual que en el análisis en DC.

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ANÁLISIS DE TRANSISTORES BJT EN PEQUEÑA SEÑAL

  • 1. REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO “SANTIAGO MARIÑO” ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA EXTENSIÓN MATURÍN ANÁLISIS ENMODELO HÍBRIDO DE TRNASISTORES BJT ELECTRÓNICA I Maturín, Marzo de 2017 AUTOR: KENRRY MUÑOZ T. V-22.660.205 ASESOR DE MATERIA: MARIANGELA POLLONAIS
  • 2. ÍNDICE INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................. 2 Modelo hibrido de un transistor (modelo en pequeña señal). ............................................................ 2 Análisis del transistor en Corriente Alterna(pequeña señal).............................................................. 2 Tipos de análisis en Modelo Hibrido del transistor BJT.................................................................... 5 Emisor común. ............................................................................................................................... 5 Valores a determinar en análisis en pequeña señal de transistores BJT............................................. 5 CONCLUSION.................................................................................................................................. 7
  • 3. INTRODUCCIÓN En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones: continua y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Al igual que en el análisis en DC, tenemos varios tipos de análisis en CA, como Colector común, base común, Emisor común, Emisor seguir, entre otros. En este trabajo se estudiará el modelo hibrido, o análisis en pequeña señal den transistor, donde se otorgarán las definiciones básicas, análisis y ejercicios del mismo. Modelo hibrido de un transistor (modelo en pequeña señal). El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que puede ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros, los h (figura Nº1) son los que mejor modelan al transistor porque relacionan las corrientes de entrada con las de salida, sin olvidar que un transistor bipolar es un dispositivo controlado por intensidad. La clave para el análisis de señal pequeña de un transistor es el uso de circuitos equivalentes (modelos) donde se define técnicamente: “Un modelo es una combinación de elementos de un circuito, apropiadamente seleccionados, que simula de forma aproximada el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones específicas de operación.” Figura Nº1. Parámetros H en el modelo de pequeña Señal del transistor de unión bipolar BJT. Análisis del transistor en Corriente Alterna (pequeña señal). En un esfuerzo por demostrar el efecto que el circuito equivalente de ca tendrá en el análisis de os transistores, se considera que el circuito de la figura Nº2 por el momento se determinó el circuito equivalente de ca de señal pequeña del transistor. Para explicar este análisis se aplicará el tipo de análisis de emisor común de los transistores BJT.
  • 4. Figura Nº2. Circuito del transistor en modo emisor común en CA. Como sólo interesa la respuesta de ca del circuito, todas las fuentes de se reemplazan por un equivalente de potencial cero (cortocircuito) porque determinan sólo el nivel de cd (nivel quiescente) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida de ca. Esto se demuestra claramente en la figura Nº3. Los niveles de cd simplemente fueron importantes para determinar los valores que se analizan con corriente directa. Una vez determinados, podemos ignorar los niveles de cd en el análisis de la red. Además, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de puenteo C3 se seleccionaron para que tuvieran una reactancia muy pequeña en la frecuencia de aplicación. Por consiguiente, también, en la práctica pueden ser reemplazados por una ruta de baja de resistencia o un cortocircuito. Observe que esto pondrá en “cortocircuito” al resistor de polarización de cd RE. Recuerde que los capacitores se comportan como un equivalente de “circuito abierto” en condiciones de estado estable de cd, lo que permite aislar las etapas para los niveles de cd y las condiciones quiescentes. Figura Nº3. Comportamiento de los capacitores en CA. Es importante que a medida que se avance a través de las modificaciones de la red, defina el equivalente de ca para que los parámetros de interés como Zi, Zo, Ii e Io, definidos por la figura Nº4, se manejen correctamente. Aun cuando la apariencia de la red puede cambiar, debe asegurarse que las cantidades que encuentre en la red reducida sean las mismas definidas por la red original. En ambas redes la impedancia de entrada se define de base a tierra, la corriente de entrada como la corriente de base del transistor, el voltaje de salida como el voltaje del colector a tierra, y la corriente de salida como la corriente que fluye a través del resistor de carga RC. Los parámetros de la figura se pueden aplicar a cualquier sistema ya sea que tenga uno o mil componentes. En todos los análisis, las direcciones de las corrientes, las polaridades de los voltajes y la dirección de interés de los niveles de impedancia son como aparecen en la figura Nº3, es decir, la corriente de entrada Ii y la de salida Io, se definen como de entrada
  • 5. al sistema. Si, en un ejemplo particular, la corriente de salida sale del sistema en lugar de entrar a él como se muestra en la figura Nº3, se le debe aplicar un signo menos. Las polaridades definidas para los voltajes de entrada y salida también son como aparecen en la figura Nª4, Si Vo tiene la polaridad opuesta, se debe aplicar el signo menos. Observe que Zi es la impedancia “viendo hacia adentro” del sistema, en tanto que Zo es la impedancia “viendo de vuelta hacia adentro” del sistema por el lado de salida. Seleccionando las direcciones definidas para las corrientes y voltajes, la impedancia de entrada y la de salida se definen como positivas. Figura Nº4. Entradas y salidas en modelaje híbrido del Transistor BJT en modo emisor común. Examinando con más detenimiento la figura Nº5 se identifica las cantidades importantes que se van a determinar para el sistema. Como se sabe que el transistor es un dispositivo amplificador, podemos esperar una indicación de cómo se relaciona el voltaje de salida Vo con el voltaje de entrada Vi —la ganancia de voltaje. Observe en la figura Nº5 para esta configuración que la ganancia de corriente se define como Ai _ Io/Ii. En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de una red se obtiene como sigue: 1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazándolas por un equivalente de cortocircuito. 2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito. 3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito introducidos por los pasos 1 y 2. 4. Volviendo a dibujar la red en una forma más conveniente y lógica. Figura Nº 5. Circuito Equivalente de una red transistorial emisor común en CA.
  • 6. Donde el transistor se representa de la siguiente forma: Figura Nº6. Representación equivalente del Transistor BJT en modo Emisor común. Tipos de análisis en Modelo Hibrido del transistor BJT. Emisor común. En el apartado anterior, para explicar el análisis de transistores se aplicó este tipo de modelaje. Quedando el transistor como en la figura Nº6. Configuración base común. El circuito equivalente de base común se desarrollará casi del mismo modo en que se aplicó a la configuración en emisor común. Las características generales del circuito de entrada y salida generarán un circuito equivalente que simulará de forma aproximada el comportamiento real del dispositivo. Figura Nº7. Modelo hibrido del transistor BJT. Valores a determinar en análisis en pequeña señal de transistores BJT. Para explicar de forma sencilla los valores a determinar en este análisis, se aplicará una configuración emisor común (figura Nº8). Figura Nº8. Modelo hibrido en Configuración emisor seguidor de transistor BJT. Donde se calculará los valores determinantes con las siguientes ecuaciones:
  • 8. CONCLUSION  Este análisis de transistores se usa solo cuando se quiere amplificar señales, debido a su margen de ganancia (Av.).  Existen capacitadores de acoplo y desacoplo para permitirle el paso del corriente alterna y negar el paso de la corriente continua.  La configuración principal para estos modelajes en AC es la de Emisor común, al igual que en el análisis en DC.