Este documento describe un experimento para implementar una memoria SRAM6116. Se escribieron palabras en la memoria y se utilizó un contador para mostrar las palabras almacenadas en el display de 7 segmentos. Se comprobaron los ciclos de lectura y escritura de la memoria SRAM y se aplicaron buffers triestado durante el ciclo de escritura.

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CONTENIDO
I.- RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO:.......................................................................2
II.- MATERIALES:...................................................................................................................2
III.- FUNDAMENTO TEÓRICO:................................................................................................3
MEMORIA SRAM6116 ......................................................................................................3
CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM6116...................................................................3
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES ....................................................................................3
OPERACIÓN DE LECTURA ..................................................................................................4
OPERACIÓN DE ESCRITURA ...............................................................................................4
VISUALIZADOR DE 7 SEGMENTOS .....................................................................................4
IV.- PARTE EXPERIMENTAL:...................................................................................................5
V.- CONCLUSIONES:............................................................................................................10
VI.- BIBLIOGRAFIA...............................................................................................................10

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I.- RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO:
El presente informe explicaralorealizadodurante el experimentode laimplementaciónde
una memoriaSRAM6116. La comprobaciónde sus ciclosde lecturay escritura,también
usamosun contadorpara mostrar las palabrasgrabadasen lamemoria. Un circuitobastante
complejoenel que variospineserancontroladosalavezpara lograr grabar una palabraenla
memoria,siendobastante cuidadososydespuésde varioserroresque eransolucionados
fácilmente yaque al grabar unapalabra soloteníamos que volveragrabar encima, fue como
el experimentofue culminadoypresentadoacontinuación
Los objetivosdel experimentofueron:
 Comprobarlosciclosde lecturay escriturade laSram 6116.
 Aplicarlosbufferes triestadoenel ciclode escriturade laSram.
 Aplicarlosconocimientosde contadorese implementarunoparala
visualizaciónde laspalabrasgrabadasenla memoria.
 Afianzarnuestrosconocimientosexperimentalesenlaimplementaciónde
circuitoscada vezmás complejos.
II.- MATERIALES:
 SRAM 6116
 C.I. 74LS04
 C.I. 74LS08
 C.I. 74LS112
 C.I. 74LS244
 Conjunto de 8 micro interruptores
 Display de 7 segmentos cátodo común
 Resistores de 1K ohm
 Resistores de 220 ohm
 Protoboard, varios cables de conexión
 Fuente de alimentación
 Multímetro
 Generador de pulsos

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III.- FUNDAMENTO TEÓRICO:
MEMORIA SRAM 6116
El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM), cuenta con una
capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de alta velocidad, está
fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0 Volts y está
dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
· Organización de la memoria: 2048 X 8
· Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
· Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
· Baja potencia en estado activo: 160 mW
· RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento
· Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
· Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
· Potencia de disipación: 1 Watts
· Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología TTL
· Es directamente compatible con las memorias de 16K estándar, tipo RAM 6132
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
· A0-A10: Lineas de direcciones
· E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
· CS: Habilitador de la pastilla
· OE: Habilitador de salidas
· WE: Habilitador para la escritura

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· Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
· GND Terminal de tierra 0.0 Volts
OPERACIÓN DE LECTURA
Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicación de un nivel
alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas
conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la
terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta
impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema
con microprocesadores para la selección del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser
habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIÓN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel bajo en la terminal
(WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se habiliten
para aceptar la información, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opción de ser colocada en
estado de alto bajo, para realizar así la operación de escritura.
VISUALIZADOR DE 7 SEGMENTOS
Muchas veces aparece un octavo segmento denominado dp. (del
inglés decimal point, punto decimal).
Los hay de dos tipos: ánodo común y cátodo común.
En los de tipo de ánodo común, todos los ánodos de los ledes o
segmentos están unidos internamente a una patilla común que
debe ser conectada a potencial positivo (nivel “1”). El encendido
de cada segmento individual se realiza aplicando potencial
negativo (nivel “0”) por la patilla correspondiente a través de una
resistencia que límite el paso de la corriente.
En los de tipo de cátodo común, todos los cátodos de los ledes o
segmentos están unidos internamente a una patilla común que debe ser conectada a potencial negativo
(nivel “0”). El encendido de cada segmento individual se realiza aplicando potencial positivo (nivel “1”)
por la patilla correspondiente a través de una resistencia que límite el paso de la corriente.

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IV.- PARTE EXPERIMENTAL:
1.- Implemente el circuitode la figura 1
Figura 1
2.- Escriba enla memoria los datos, enlas direccionesy con la activación de lospines
necesariosque se muestra enla figura 2.
Figura 2
Para escribirlaspalabrasde la figura2 seguimoslossiguientespasos:
1) Habilitamoslamemoria,mandamosatierrael PIN18(ChipEnable)

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2) Procedemosaescribirlaspalabrasencada direccióncomose muestraenla tabla 1,
como solonosinteresaescribir4palabrasentoncessolousaremos4direcciones.
TABLA 1
3) Para escribirunapalabrahabilitamoslafunciónde escritura,mandandoatierrael PIN
21(Write Enable) y a su vezdeshabilitamoslassalidas,colocandounnivel altoenel
PIN 20(Outputenable),de este modoparaunavezescritauna palabradeshabilitamos
el PIN 21, cambiamosde direcciónyvolvemosaescribir, asísucesivamente paralas4
palabras.
 Para visualizarenel displaylapalabraH,lasletrasa y d debenestarapagadas,
por lotanto D0 y D3 deberánira tierra, de esa manerano se encenderánla
letrasa y d ya que es undisplayde ánodocomún.
 Para visualizarenel displaylapalabraO,la letrag debe estarapagada, porlo
tanto D6 deberáir a tierra.
DIRECCIÓN
DATOS DE ENTRADA
D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
1 00000000000 1 1 1 0 1 1 0
2 00000000001 0 1 1 1 1 1 1
3 00000000010 0 1 1 1 0 0 0
4 00000000011 1 1 1 0 1 1 1

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 Para visualizarenel displaylapalabraL,lasletrasa, b, c y g debenestar
apagadas,por lotanto D0, D1, D2 y D6 deberánira tierra.
 Para visualizarenel displaylapalabraA,laletrad debe estarapagada,por lo
tanto D3 deberáir a tierra.

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3.- Implemente conFF JK y puertas lógicas un contador ascendente que cuente desde el 00b
hasta 11b.
El circuitoimplementado fue elsiguiente:
Usando el 74LS112
implementamos el
contador en un tercer
protoboard

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4.- Conecte las salidas del contador a los pinesde direcciónde la memoria, active la líneade
lectura y observe el display. Utilice el generadorde pulsoscomo clock a una frecuenciade
aproximadamente 1Hz
Usando el contadorcon la frecuenciade 1Hz enel reloj logramosleerlas4 palabrasescritasen
la memoria“H “ , “O “ , “L”, “A” cada una se muestradurante 1 segundo.
5.- Desconecte la alimentaciónde la memoria,vulevaa conectarla, repitael paso 4 y observe
el display.
Lo observado en el display fue la siguiente imagen

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Como trabajamos con una memoria SRAM una vez desconectada de la fuente de alimentación sus
datos guardados serán borrados y no sabemos lo que obtendremos como salida, ya que los flip flops
que lo conformas botan valores aleatorios.
V.- CONCLUSIONES:
 Usamos búferes triestado para controlar las entradas “D0 – D7” durante el ciclo
de escritura.
 La memoria Sram son volátiles y al cortar al energía obteníamos salíamos aleatorias
en el display.
VI.- BIBLIOGRAFIA
 www.informaticamoderna.com/Memoria_SRAM.htm
 proton.ucting.udg.mx/dpto/maestros/mateos/memorias/memorias.html
 sistemas digitales- Ronald Tocc
 www.forosdeelectronica.com/.../escritura-lectura-datos-sram-6116i