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Electrónica I
República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación
I.U.P. Santiago Mariño. Ext. Maturín. Edo Monagas
Modelo Hibrido del BJT
Bachiller: Alexander Ordaz
C.I: 12.677.853
Profesor: Mariangela Pollonais Escuela: Ing. Eléctrica. Nª 43
Maturín 24 julio de 2014
Electrónica I
INDICE
Introducción………………………………………………………………….… Pág. 2
Modelo Hibrido de BJT………………………………………………………… Pág. 3
Ecuaciones y parámetros de BJT……………………………………………….. Pág. 3-4
Cuadripolo.…………….……….………………………………………………. Pág. 4
Conclusión……………………………………………………………………… Pag.6
Bibliografía……………………………………………………………………… Pag.6
INTRODUCCION
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la
influencia de la Electrónica en todos los aspectos de la tecnología. La polarización de un
transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones que fijan su punto de
trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en donde los transistores
presentan características más o menos lineales. Al aplicar una señal alterna a la entrada, el
punto de trabajo se desplaza y amplifica esa señal. El análisis del comportamiento del
transistor en amplificación se simplifica enormemente cuando su utiliza el llamado modelo
de pequeña señal obtenido a partir del análisis del transistor a pequeñas variaciones de
tensiones y corrientes en sus terminales.
Electrónica I
DESARROLLO
Modelo de Hibrido del BJT.
El modelo de pequeña señal del transistor es a veces llamado modelo incremental de señal.
Los circuitos que se van a estudiar aquí son válidos a frecuencias medias, aspecto que se
tendrá en cuenta en el siguiente tema. En la práctica, el estudio de amplificadores exige
previamente un análisis en continua para determinar la polarización de los transistores.
Posteriormente, es preciso abordar los cálculos de amplificación e impedancias utilizando
modelos de pequeña señal con objeto de establecer un circuito equivalente.
Ambas fases en principio son independientes pero están íntimamente relacionadas.
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:
continúa y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de
trabajo localizado en la región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ, IBQ
y VCEQ.
La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas
variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del
punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposición, la IC, IB y VCE
del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de forma que:
Electrónica I
Donde ICQ, IBQy VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en alterna,
verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ
El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que puede
ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros {H}.
Cuadripolo.
Se llama Cuadripolo a una red (circuito eléctrico) con dos puertos (o dos pares de polos),
considerada como una "caja negra" y caracterizada por
una serie de parámetros, relacionados con las
impedancias que presenta en cada una de las puertas y
con su función de transferencia. El cuadripolo es un
modelo muy potente para caracterizar componentes o
secciones de circuitos (amplificadores, filtros, etc), de
modo que no hace falta descender hasta el nivel de
componente a la hora de analizar una red grande.
Características y clasificación de cuadripolo
 Proporciona ecuaciones simplificadas de dispositivos y circuitos en AC y en DC.
 Simplifica la interconexión de circuitos.
Electrónica I
 El cuadripolo activo contiene fuentes
independientes, el pasivo fuentes dependientes.
El cuadripolo bilateral no contiene fuentes
dependientes, el no bilateral sí.
 La entrada y la salida del cuadripolo simétrico
son eléctricamente iguales.
Parámetros que caracterizan los cuadripolo
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cuadripolo y lo describen en función de cuatro parámetros:
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Según las variables dependientes elegidas los parámetros a,b g y d reciben nombres
diferentes.
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Parámetros Y
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 Transadmitancia inversa con entrada en cortocircuito.
Electrónica I
 Transadmitancia directa con salida en cortocircuito.
 Admitancia de salida con entrada en cortocircuito.
Parámetros H
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parámetros
 Impedancia de entrada con salida en cortocircuito.
 Ganancia inversa de tensión con entrada en abierto.
 Ganancia directa de corriente con salida en cortocircuito.
 Admitancia de salida con entrada en abierto.
Parámetros G
Cálculo de los parámetros
 Admitancia de entrada con salida en abierto.
 Ganancia inversa de corriente con entrada en cortocircuito.
 Ganancia directa de tensión con salida en abierto.
 Impedancia de salida con entrada en cortocircuito.
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Parámetros T
Cálculo de los parámetros
Electrónica I
 Atenuación directa de tensión con salida en abierto
 Transimpedancia con salida en cortocircuito.
 Transconductancia con salida en abierto.
 Atenuación directa de corriente con salida en cortocircuito.
CONCLUSION
El análisis a pequeña señal consiste en determinar la ganancia del circuito (corriente y
voltaje) en conjunto con la impedancia de entrada y la de salida. Estos elementos permiten
describir cualquier configuración ampliadora transistorizada. Para realizar el análisis se
deben usar los modelos a pequeña señal de los dispositivos, lo cuales consisten en una red
de dos puertas: Fuente de corriente controlada por corriente (BJT) y una fuente de voltaje
controlada por voltaje (FET). Ambas descritas en función de los parámetros.
BIBLIOGRAFIA
a) http://www.monografias.com
b) html.rincondelvago.com
c) www.slideshare.net
d) es.wikipedia.org
e) www.monografias.com
f) Teoría de Cuadripolo. Autor: Fernando Bianchi. Electrotécnica II.
g) Circuitos electrónicos análogos. Autor: Miguel Hernández, Universitos.

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Modelo Hibrido de BJT

  • 1. Electrónica I República Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular para la Educación I.U.P. Santiago Mariño. Ext. Maturín. Edo Monagas Modelo Hibrido del BJT Bachiller: Alexander Ordaz C.I: 12.677.853 Profesor: Mariangela Pollonais Escuela: Ing. Eléctrica. Nª 43 Maturín 24 julio de 2014
  • 2. Electrónica I INDICE Introducción………………………………………………………………….… Pág. 2 Modelo Hibrido de BJT………………………………………………………… Pág. 3 Ecuaciones y parámetros de BJT……………………………………………….. Pág. 3-4 Cuadripolo.…………….……….………………………………………………. Pág. 4 Conclusión……………………………………………………………………… Pag.6 Bibliografía……………………………………………………………………… Pag.6 INTRODUCCION La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la Electrónica en todos los aspectos de la tecnología. La polarización de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones que fijan su punto de trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en donde los transistores presentan características más o menos lineales. Al aplicar una señal alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa señal. El análisis del comportamiento del transistor en amplificación se simplifica enormemente cuando su utiliza el llamado modelo de pequeña señal obtenido a partir del análisis del transistor a pequeñas variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales.
  • 3. Electrónica I DESARROLLO Modelo de Hibrido del BJT. El modelo de pequeña señal del transistor es a veces llamado modelo incremental de señal. Los circuitos que se van a estudiar aquí son válidos a frecuencias medias, aspecto que se tendrá en cuenta en el siguiente tema. En la práctica, el estudio de amplificadores exige previamente un análisis en continua para determinar la polarización de los transistores. Posteriormente, es preciso abordar los cálculos de amplificación e impedancias utilizando modelos de pequeña señal con objeto de establecer un circuito equivalente. Ambas fases en principio son independientes pero están íntimamente relacionadas. En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones: continúa y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposición, la IC, IB y VCE del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de forma que:
  • 4. Electrónica I Donde ICQ, IBQy VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en alterna, verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que puede ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros {H}. Cuadripolo. Se llama Cuadripolo a una red (circuito eléctrico) con dos puertos (o dos pares de polos), considerada como una "caja negra" y caracterizada por una serie de parámetros, relacionados con las impedancias que presenta en cada una de las puertas y con su función de transferencia. El cuadripolo es un modelo muy potente para caracterizar componentes o secciones de circuitos (amplificadores, filtros, etc), de modo que no hace falta descender hasta el nivel de componente a la hora de analizar una red grande. Características y clasificación de cuadripolo  Proporciona ecuaciones simplificadas de dispositivos y circuitos en AC y en DC.  Simplifica la interconexión de circuitos.
  • 5. Electrónica I  El cuadripolo activo contiene fuentes independientes, el pasivo fuentes dependientes. El cuadripolo bilateral no contiene fuentes dependientes, el no bilateral sí.  La entrada y la salida del cuadripolo simétrico son eléctricamente iguales. Parámetros que caracterizan los cuadripolo Se puede establecer dos expresiones lineales que relacionan las cuatro variables del cuadripolo y lo describen en función de cuatro parámetros: Las variables Xi representan tensión o corriente. Las variables X3 y X4 son variables independientes, X1 y X2 independientes. Según las variables dependientes elegidas los parámetros a,b g y d reciben nombres diferentes. Parámetro Z Cálculo de los parámetros  Impedancia de entrada con salida en abierto.  Tras impedancia inversa con entrada en abierto.  Tras impedancia directa con salida en abierto.  Impedancia de salida con entrada en abierto. Parámetros Y Cálculo de los parámetros  Admitancia de entrada con salida en cortocircuito.  Transadmitancia inversa con entrada en cortocircuito.
  • 6. Electrónica I  Transadmitancia directa con salida en cortocircuito.  Admitancia de salida con entrada en cortocircuito. Parámetros H Cálculo de los parámetros  Impedancia de entrada con salida en cortocircuito.  Ganancia inversa de tensión con entrada en abierto.  Ganancia directa de corriente con salida en cortocircuito.  Admitancia de salida con entrada en abierto. Parámetros G Cálculo de los parámetros  Admitancia de entrada con salida en abierto.  Ganancia inversa de corriente con entrada en cortocircuito.  Ganancia directa de tensión con salida en abierto.  Impedancia de salida con entrada en cortocircuito. Subir Parámetros T Cálculo de los parámetros
  • 7. Electrónica I  Atenuación directa de tensión con salida en abierto  Transimpedancia con salida en cortocircuito.  Transconductancia con salida en abierto.  Atenuación directa de corriente con salida en cortocircuito. CONCLUSION El análisis a pequeña señal consiste en determinar la ganancia del circuito (corriente y voltaje) en conjunto con la impedancia de entrada y la de salida. Estos elementos permiten describir cualquier configuración ampliadora transistorizada. Para realizar el análisis se deben usar los modelos a pequeña señal de los dispositivos, lo cuales consisten en una red de dos puertas: Fuente de corriente controlada por corriente (BJT) y una fuente de voltaje controlada por voltaje (FET). Ambas descritas en función de los parámetros. BIBLIOGRAFIA a) http://www.monografias.com b) html.rincondelvago.com c) www.slideshare.net d) es.wikipedia.org e) www.monografias.com f) Teoría de Cuadripolo. Autor: Fernando Bianchi. Electrotécnica II. g) Circuitos electrónicos análogos. Autor: Miguel Hernández, Universitos.