Este documento describe la conducción eléctrica intrínseca en semiconductores. Explica que a temperatura cero, los electrones en un semiconductor están fuertemente unidos, haciéndolo aislante. Sin embargo, al aumentar la temperatura, algunos enlaces se rompen liberando electrones y huecos que permiten la conducción eléctrica. En un semiconductor intrínseco perfecto, la concentración de electrones es igual a la concentración de huecos y ambas son iguales a la densidad intrínseca de portadores.

7. Cristal Semiconductor
intrínseco:
a través de sus bandas de energía

Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante porque todos los e- están formando
enlaces.

Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar
libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
 hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura
El
cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero
también hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)

8. 1.3. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Y EXTRÍNSECOS
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Eg (Si)  eV
1,1
Eg (Ge)  eV
0,7
Eg
E
T=0K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conducción
TEMA 1. SEMICONDUCTORES

Modelo de bandas de energía: Conducción intrínseca
1.3. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS
T>0K
n: nº electrones/m3
p: nº electrones/m3
ni: densidad intrínseca
de portadores

9. 1.3. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Y EXTRÍNSECOS
• Modelo de bandas de energía: Conducción intrínseca
•  un semiconductor perfecto, las concentraciones
En
de electrones y
• de huecos son iguales:
n =·p = ni
• n: número de electrones (por unidad de volumen) en
la banda de conducción
• p: número de huecos (por unidad de volumen) en la
banda de valencia
• ni: concentración intrínseca de portadores