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SERIE DE PROBLEMAS 1

                                   TECNOLOGIA DE LOS MATERIALES I



1.-Un dispositivo semiconductor metal-oxido (MOS) se hace crecer una capa fina de SiO2 (densidad = 2.2
mg/m3) sobre un monocristal de silicio. ¿Cuántos atomos de Silicio y cuantos atomos de O hay por
milímetro cuadrado de capa de oxido?. Supongase que el espesor de la capa de oxido es de 100 nm.



2.- El papel aluminio de uso domestico es prácticamente puro. Una caja de este producto menciona que
contiene 6.9 m2 de material (rollo de 304 mm de ancho y 22.8 m de longitud. Si la hoja tiene 12.7 micras,
calcúlese el numero de átomos de aluminio en el rollo.



3.- Calculese la fuerza de atracción electrostática entre el Ca2+ y el O2- en el CaO que pose la estructura
del NaCl.



4.- Realices con precisión una grafica en la que represente Fc en función de a para el par Mg2+ O2-.
Considérese una variación de a de 0.2 a 0.7 nm.

5.- Representese la longitud de enlace de los elementos metalicos situados en la fila que lleva desde el K
al Ga, en la tabal periodica.

6.- A fin de recubrir una pieza de acdero que tiene una superficie de 200plg2 con una capa de 0.002 plg
de espesor. a).- Cuantos atomos de niquel se requieren, b).- cuantos moles de nique se requieren.

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