TRANSISTORES
TRANSISTORES BJT (Transistores Bipolares) npn  pnp Es un dispositivo  bipolar electrones huecos FET (Transistor de efecto de campo) canal n     canal p Es un dispositivo  unipolar Depende solo de la conducción de electrones (canal n), o  de la conducción de huecos (canal p). Existen dos tipos de FETS: JFET.-  Transistor de efecto de    campo de unión. MOSFET.-  Transistor de efecto de    campo metal – óxido. Es uno de los dispositivos más usados en el diseño y construcción de los C. I.  para computadores digitales.
Características BJT La variación de la corriente de salida es mayor. Son menos estables a la temperatura. Construcción más grande. FET La variación de la corriente de salida es menor. Son más estables a la temperatura. Son de construcción más pequeña. Se usan más en C. I. Por las características de construcción son más delicados que los BJT. Gran impedancia de entrada.
La corriente del circuito se controla por un parámetro del circuito de entrada, para el BJT es con un nivel de corriente; y para los FET con un voltaje aplicado.   BJT     Ic Ib Corriente  de control FET Id Voltaje de  control BJT FET
BJT Transistores Bipolares   E   C   B     V EE   V CC  VEE  VCC N P N P N P E  C   B
BJT   Los terminales de un BJT son : Base Colector  Emisor Se los aplica en: Amplificadores de voltaje de C.A. Amplificadores de corriente o potencia C.A. o C. D. Conmutadores . Existe tres tipos de Configuraciones: Base Común Emisor Común Colector Común
Preguntas   Mencione dos tipos de BJT, según su construcción. El BJT es un dispositivo con tres terminales. Mencione las tres terminales. ¿Qué separa las tres regiones en un BJT? De las tres corrientes en un transistor ¿Cuál es la más alta? La corriente de la base ¿es menor o mayor que la corriente del emisor?
Preguntas ¿Cuántas zonas de dopaje tiene un transistor? a. 1 c. 3 b. 2 d. 4 ¿Cuál es una de las cosas más importantes que hace un transistor? a. Amplifica señales débiles b. Rectifica la tensión de red c. Regula la tensión d. Emite luz
Base Común La base es común a los lados de entrada y salida de la configuración. La flecha en el símbolo gráfico define la dirección. Notación y símbolos en la configuración de base común.
Parámetros de entrada o punto de manejo   El conjunto de entradas relaciona la corriente de entrada (I E ) con un voltaje de entrada (V BE ) para distintos niveles de voltaje de salida.
Parámetros de salida
Polarización La polarización adecuada de la base común en la región activa, puede determinar empleando la aproximación  IC  =  IE  y suponiendo por el momento que  IB  = 0 uA.  La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para  IC  =  IE . resultante. En el transistor  npn  las polaridades estarán invertidas.
Configuración Base Común α  = I c  / I E Ic =  α  I E   ( α  < 1) I E  = I B  + Ic I E  = I B  +  α I E I E  –  α I E  = I B I E  = I B  / 1 -  α

Transistores, Base ComúN

  • 1.
  • 2.
    TRANSISTORES BJT (TransistoresBipolares) npn pnp Es un dispositivo bipolar electrones huecos FET (Transistor de efecto de campo) canal n canal p Es un dispositivo unipolar Depende solo de la conducción de electrones (canal n), o de la conducción de huecos (canal p). Existen dos tipos de FETS: JFET.- Transistor de efecto de campo de unión. MOSFET.- Transistor de efecto de campo metal – óxido. Es uno de los dispositivos más usados en el diseño y construcción de los C. I. para computadores digitales.
  • 3.
    Características BJT Lavariación de la corriente de salida es mayor. Son menos estables a la temperatura. Construcción más grande. FET La variación de la corriente de salida es menor. Son más estables a la temperatura. Son de construcción más pequeña. Se usan más en C. I. Por las características de construcción son más delicados que los BJT. Gran impedancia de entrada.
  • 4.
    La corriente delcircuito se controla por un parámetro del circuito de entrada, para el BJT es con un nivel de corriente; y para los FET con un voltaje aplicado. BJT Ic Ib Corriente de control FET Id Voltaje de control BJT FET
  • 5.
    BJT Transistores Bipolares E C B V EE V CC VEE VCC N P N P N P E C B
  • 6.
    BJT Los terminales de un BJT son : Base Colector Emisor Se los aplica en: Amplificadores de voltaje de C.A. Amplificadores de corriente o potencia C.A. o C. D. Conmutadores . Existe tres tipos de Configuraciones: Base Común Emisor Común Colector Común
  • 7.
    Preguntas Mencione dos tipos de BJT, según su construcción. El BJT es un dispositivo con tres terminales. Mencione las tres terminales. ¿Qué separa las tres regiones en un BJT? De las tres corrientes en un transistor ¿Cuál es la más alta? La corriente de la base ¿es menor o mayor que la corriente del emisor?
  • 8.
    Preguntas ¿Cuántas zonasde dopaje tiene un transistor? a. 1 c. 3 b. 2 d. 4 ¿Cuál es una de las cosas más importantes que hace un transistor? a. Amplifica señales débiles b. Rectifica la tensión de red c. Regula la tensión d. Emite luz
  • 9.
    Base Común Labase es común a los lados de entrada y salida de la configuración. La flecha en el símbolo gráfico define la dirección. Notación y símbolos en la configuración de base común.
  • 10.
    Parámetros de entradao punto de manejo El conjunto de entradas relaciona la corriente de entrada (I E ) con un voltaje de entrada (V BE ) para distintos niveles de voltaje de salida.
  • 11.
  • 12.
    Polarización La polarizaciónadecuada de la base común en la región activa, puede determinar empleando la aproximación IC = IE y suponiendo por el momento que IB = 0 uA. La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para IC = IE . resultante. En el transistor npn las polaridades estarán invertidas.
  • 13.
    Configuración Base Comúnα = I c / I E Ic = α I E ( α < 1) I E = I B + Ic I E = I B + α I E I E – α I E = I B I E = I B / 1 - α