1. Leidy Johana Prieto Bautista
Geraldin Gómez Ortiz
11-03

2.  La memoria volátil de una computadora,
contrario a memoria no volátil, es
aquella memoria cuya información se pierde
al interrumpirse el flujo eléctrico.

Algunos tipos de memorias volátiles son:
 DRAM
 RAM
 SRAM
 HPU
 GJR

3. contrario a memoria volátil, es un tipo de memoria que
no necesita energía para perdurar.
 Algunos dispositivos listados en esta categoría son:
 BD-ROM, BD-R, BD-RW
 CD, CD-ROM, CD-R, CD-RW
 Cinta magnética
 DVD
 Diskette
 Disco duro
 EPROM
 EEPROM
 MRAM
 Flash
 PROM
MEMORIA NO VOLÁTIL

4. La memoria principal o RAM
(Random Access Memory, Memoria de Acceso
Aleatorio) es donde el computador guarda los datos
que está utilizando en el momento presente. El
almacenamiento es considerado temporal por que
los datos y programas permanecen en ella mientras
que la computadora este encendida o no sea
reiniciada.
Se le llama RAM por que es posible acceder a
cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente
Físicamente, están constituidas por un conjunto de
chips o módulos de chips normalmente conectados a
la tarjeta madre.
MEMORIA RAM

5. MEMORIA RAM

6.  La memoria ROM, también conocida
como firmware, es un circuito integrado
programado con unos datos específicos
cuando es fabricado. Los chips de
características ROM no solo se usan
en ordenadores, sino en muchos otros
componentes electrónicos también. Hay
varios tipos de ROM, por lo que lo mejor es
empezar por partes.

7. MEMORIA ROM

9. O
T
R
O
S
T
I
P
O
S
D
E
E
N
C
A
P
S
U
L
A
D
O
S

10. Memoria que poseen los ordenadores.
Funciona de una manera similar a como lo hace
la memoria principal (RAM), pero es de menor
tamaño y de acceso más rápido. Es usado por
la unidad central de procesamiento para
reducir el tiempo de acceso a datos ubicados
en la memoria principal que se utilizan con
más frecuencia.
Cuando el procesador necesita leer o escribir
en una ubicación en memoria
principal, primero verifica si una copia de los
datos está en el caché.

12.  Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil
inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está
formada por celdas de FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o "transistores de puerta
flotante", cada uno de los cuales viene de
fábrica sin carga, por lo que son leídos como
1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como
FF en todas sus celdas).

13. Tambien es capaz de almacenar los datos que
se han programado en ella durante un plazo
que oscila entre los 10 y 20 años de su vida
útil, pudiendo ser leída ilimitadamente,
requiriendo como protección cubrir la Ventana
de Borrado, para evitar que la luz del sol realice
un borrado accidental, siendo generalmente
utilizada una Etiqueta del Fabricante.

15.  Es un tipo de memoria ROM que puede ser
programada, borrada y reprogramada
eléctricamente, a diferencia de la EPROM que
ha de borrarse mediante un aparato que
emite rayos ultravioleta. Son memorias no
volátiles.
 Las celdas de memoria de una EEPROM están
constituidas por un transistor MOS, que tiene
una compuerta flotante (estructura
SAMOS), su estado normal esta cortado y la
salida proporciona un 1 lógico.

17. DIP: Los pines se extienden a lo largo del
encapsulado y tiene como todos los demás
una muestra que indica el pin número 1. Este
encapsulado básico fue el más utilizado hace
unos años y sigue siendo el preferido a la hora
de armar plaquetas por partes de los amantes
de la electrónica casera debido a su tamaño lo
que facilita la soldadura. Hoy en día, el uso de
este encapsulado (industrialmente) se limita a
UVEPROM y sensores.

18. SIP: Los pines se extienden a lo largo de un
solo lado del encapsulado y se lo monta
verticalmente en la plaqueta. La consiguiente
reducción en la zona de montaje permite un
densidad de montaje mayor a la que se obtiene
con el DIP.

19. PGA: Los múltiples pines de conexión se sitúan
en la parte inferior del encapsulado. Este tipo
se utiliza para CPU de PC y era la principal
opción a la hora de considerar la eficiencia
pin-capsula-espacio antes de la introducción
de BGA. Los PGA se fabricaron de plástico y
cerámica, sin embargo actualmente el plástico
es el mas utilizado, mientras que los PGA de
cerámica se utilizan para un pequeño número
de aplicaciones.

20. SOP: Los pines se deponen en los 2 tramos
más largos y se extienden en una forma
denominada “gull wing formación”, este es el
principal tipo de montaje superficial y es
ampliamente utilizado especialmente en los
ámbitos de la microinformática, memorias y IC
analógicos que utilizan un número
relativamente pequeño de pines.

21. TSOP: Simplemente una versión más delgada
del encapsulado SOP.

22. 1. Excluir las influencias ambientales: La
humedad y el polvo en el aire son causas
directas de defectos en los dispositivos
semiconductores, además de las vibraciones y
los golpes. La iluminación y los imanes
también pueden causar mal funcionamiento. EL
encapsulado evita estas influencias externas, y
protege el chip de silicio.

23. 2.Permitir la conectividad eléctrica: Si los chips
de silicio fueran simplemente encerrados
dentro de un encapsulado no podrían
intercambiar señales con el exterior. Los
encapsulados permiten la fijación de
conductores metálicos denominados pines o
esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las
señales sean enviadas a y desde el dispositivo
semiconductor.

24. 3.Disipar el calor: Los chips de silicio se
calientan durante el funcionamiento. Si la
temperatura del chip se eleva hasta valores
demasiados alto, el chip funcionara mal, se
desgastara o se destruirá dependiendo del
valor de temperatura alcanzado. Los
encapsulados pueden efectivamente liberar el
calor generado.

25. 5 Mejorar el manejo y montaje: Debido a que
los circuitos incorporados en chips de silicio y
los chips de silicio en sí son tan pequeños y
delicados, no pueden ser fácilmente
manipulados, y realizar un montaje en esa
pequeña escala sería difícil. Colocar el chip en
una cápsula hace que sea más fácil manejar y
de montar en placas de circuitos impresos.

26.  DRAM (Dynamic RAM)
 VRAM (Vídeo RAM)
 SRAM (Static RAM)
 FPM (Fast Page Mode)
 EDO (Extended Data Output)
 BEDO (Burst EDO)
 SDRAM (Synchronous DRAM)
 DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate
SDRAM)
 PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
 RAMBUS