7.
TRANSISTOR
EL TRANSISTOR ESTÁ FORMADO POR LA
UNIÓN DE TRES CAPAS DE MATERIAL
SEMICONDUCTOR. SEGÚN LA DISPOSICIÓN
EXISTEN DOS TIPOS DE TRANSISTOR: PNP Y
NPN. EL NPN ES EL MÁS IMPORTANTE Y EL
QUE ESTUDIAREMOS.
8.
TRANSISTOR
LA FUNCIÓN BÁSICA DE UN T. ES CONTROLAR EL PASO DE UNA
CORRIENTE GRANDE MEDIANTE UNA CORRIENTE MUY PEQUEÑA,
EN ALGUNOS CASOS ES UN INTERRUPTOR CONTROLADO POR
CORRIENTE.
SON TAMBIÉN LOS COMPONENTES DE TODAS LAS PPUERTAS
LÓGICAS DE LOS MICROPROCESADORES
11.
TRANSISTOR. ZONAS
EXISTEN TRES MODOS DE FUNCIONAMIENTO LLAMADOS:
ZONA DE CORTE, ZONA ACTIVA Y ZONA DE
SATURACIÓN. EL FUNCIONAMIENTO APROXIMADO EN
ESTOS TRES CASOS ES EL SIGUIENTE
12.
TRANSISTOR. ZONAS
ZONA DE CORTE: LA INTENSIDAD QUE CIRCULA POR LA
BASE ES NULA Y ESTO PROVOCA QUE NO CIRCULE
NINGUNA INTENSIDAD POR EL EMISOR O EL
COLECTOR. VBE
NO LLEGA A 0.7 V
IB
IB
=0A
IC
=0A
13.
TRANSISTOR. ZONAS
ZONA ACTIVA: AUMENTAMOS LA INTENSIDAD DE BASE
Y OBSERVAMOS QUE LA INTENSIDAD DEL COLECTOR
ES SIEMPRE 100 VECES MAYOR. VBE
VALE 0.7 V.
TODOS LOS AMPLIFICADORES SE BASAN EN EL
FUNCIONAMIENTO EN ESTA ZONA. UNA CORRIENTE
PEQUEÑA PRODUCE UNA CORRIENTE MUCHO MAYOR.
IB
=1,2,3 A
IC
=100,200,300 A
14.
TRANSISTOR. ZONAS
zona de saturación: seguimos aumentando la
intensidad de base pero la intensidad de colector ya no
sube más. VBE
vale 0.7 V y VCE
vale 0.2 V
IB
=10,20,30 A
IC
=500,500,500 A
15.
V=9V
TRANSISTOR. CORTE
SUPONEMOS QUE EL TRANSISTOR
FUNCIONA EN ZONA ACTIVA, POR LO
QUE VBE
VALE 0.7 V. CON ESTE DATO
CALCULAMOS LA INTENSIDAD QUE
CIRCULA POR R2
Y LA INTENSIDAD QUE
CIRCULA POR R1
.
SI LA INTENSIDAD QUE CIRCULA POR
R1 ES MENOR QUE POR R2 EL
EJERCICIO ESTÁ ACABADO YA QUE
ESTAMOS EN LA ZONA DE CORTE.
RC
=100Ω
R2
=10Ω
R1
=1000Ω
17.
TRANSISTOR. ACTIVA
SI ESA DIFERENCIA ENTRE I1
MENOS I2
DA UN RESULTADO POSITIVO HAY QUE
SEGUIR CON EL EJERCICIO (NO ESTAMOS EN ZONA DE CORTE).
A ESA INTENSIDAD LE LLAMAREMOS IB
.
IB
=I1
-I2
SEGUIMOS SUPONIENDO QUE EL TRANSISTOR ESTÁ EN LA ZONA ACTIVA, EN
ESTA ZONA PARA CALCULAR LA INTENSIDAD QUE CIRCULA POR EL COLECTOR
SÓLO HAY QUE MULTIPLICAR POR 100 (O LA GANANCIA DEL TRANSISTOR) IB.
ESTA NUEVA INTENSIDADSE LLAMA IC
Y AÚN NO SABEMOS SI ES CORRECTA
IC
= Iβ· B
18.
TRANSISTOR. ACTIVA
Calculamos la caída de tensión en la bombilla. Multiplicamos la intensidad
que circula por la bombilla por la resistencia de la bombilla.
VBOMBILLA
=IC*
RC
Si este valor, VBOMBILLA
es más pequeño que VPILA
el ejercicio está acabado
y el transistor está definitivamente en zona activa.
20.
TRANSISTOR. SATURACIÓN
Calculamos la caída de tensión en la bombilla. Multiplicamos la intensidad
que circula por la bombilla por la resistencia de la bombilla.
VBOMBILLA
=IC*
RC
Si este valor, VBOMBILLA
es más pequeño que VPILA
el ejercicio está acabado
y el transistor está definitivamente en zona activa.
Si este valor, VBOMBILLA
es más grande que VPILA
no es físicamente posible y
durante nuestros cálculos cometimos un error. Todo está mal desde
que supusimos que Ic
e IB
eran proporcionales. No lo son porque
estamos en zona de saturación. VCE
=0,2V
IC=
V PILA−0,2
RC
21.
TRANSISTOR. SATURACIÓN
V=9V
RC
=100Ω
R2
=1000Ω
R1
=1000Ω
VBE =0,7V
I1=
9−0,7
R1
=
8,3
1000
=0,0083 A
I2=
0,7
R2
=
0,7
1000
=0,0007 A
I B=I1−I2=0,0083−0,0007=0,0076 ANINGÚN PROBLEMA
SUPONEMOS IC=∙ I B
IC=40∙0,0076=0,304 A
CALCULAMOSV BOMBILLA
VBOMBILLA=IC ∙ RC=0,304∙100=30,4V
NO PUEDE SER.FALLA LASUPOSICIÓN
DE ZONA ACTIVA
ESTÁ MAL LASUPOSICIÓN DE
PROPORCIONALIDAD
VCE=0,2V
IC=
V BOMBILLA
RC
=
9−0,2
100
=0,088 A