La etapa de salida de un amplificador operacional debe proveer corriente suficiente a la carga externa y tener baja resistencia de salida. Una configuración común es un seguidor emisor complementario que permite oscilaciones de voltaje de salida cercanas a VCC + VEE. Sin embargo, este circuito sufre de distorsión de cruce que puede eliminarse aplicando un voltaje de polarización entre las bases de los transistores.
Presentación de EA (potencia de disipación en encendido de BJT).pptADRINPELAYOGARCA1
Transistores de Potencia: Los transistores de potencia son dispositivos semiconductores que controlan el flujo de corriente eléctrica en un circuito. Los tipos más comunes son los MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) y los IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada). Se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta potencia, como inversores de frecuencia para motores eléctricos y fuentes de alimentación conmutadas.
Tiristores: Los tiristores son dispositivos de control de potencia que permiten el paso de la corriente en un solo sentido y se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta potencia, como en sistemas de control de voltaje en corriente alterna (AC) y en rectificadores controlados.
Diodos de Potencia: Aunque los diodos son conocidos principalmente por permitir el flujo de corriente en un solo sentido, los diodos de potencia se utilizan para rectificar corriente alterna (AC) en corriente continua (DC) y para proteger circuitos contra inversión de polaridad y sobretensiones.
SCR (Rectificador Controlado de Silicio): Similar a un tiristor, el SCR es un dispositivo de conmutación de potencia que se utiliza en aplicaciones de control de alta corriente y alta potencia en corriente alterna.
Módulos de Potencia: Estos son conjuntos de dispositivos de potencia montados en un solo paquete para aplicaciones de alta potencia, como inversores, convertidores DC-DC y fuentes de alimentación conmutadas.
Los dispositivos de potencia son esenciales en aplicaciones que requieren control preciso de la potencia eléctrica, como sistemas de control de motores, electrónica de potencia en energía renovable, sistemas de energía y distribución, y más. Su capacidad para manejar altos niveles de potencia los hace cruciales en la ingeniería eléctrica y electrónica moderna.
Instrucciones del procedimiento para la oferta y la gestión conjunta del proceso de admisión a los centros públicos de primer ciclo de educación infantil de Pamplona para el curso 2024-2025.
Asistencia Tecnica Cartilla Pedagogica DUA Ccesa007.pdf
12a clase etapa de salida del amplificador operacional
1. Etapa de salida
de un Amplificador operacional
La etapa de salida de un amplificador
operacional debe ser capas de
alimentar la corriente a la carga externa
y tener una resistencia de salida baja.
2. La etapa de salida de un amplificador operacional debe proveer también una
gran oscilación de voltaje de salida, idealmente, el voltaje de salida pico a
pico puede aproximarse al total de la fuente de voltaje VCC + VEE.
Una configuración común para la etapa de salida
que posea estas características es un seguidor
emisor complementario como en la figura.
Si la señal de entrada se hace positiva, el transistor
Q1 NPN actúa como una fuente de corriente para la
carga RL y el transistor Q2 PNP está cortado.
Alternativamente, si Vin llega a ser negativo, Q1 está
cortado y Q2 actúa como un sumidero para
remover
+
>
_
V in
V o u tR L
Q 1
V C C
_Q 2
IL
+
V E E
la corriente de la carga, eso es decrece IL. Entonces, si Vin es una sinusoide,
Q1 impulsa la carga durante los medios ciclos positivos y Q2 actúa durante los
medios ciclos negativos.
Como cada transistor está conduciendo sólo medio tiempo, el voltaje de
salida oscila el doble valor del que puede ser logrado por una etapa simple
emisor seguidor.
Hay una dificultad fundamental en el circuito de la figura siguiente porque
3. el voltaje de salida se mantiene virtualmente en cero hasta que VV = VBE(on).
Este fenómeno se conoce como distorsión de cruce y se observa en la
gráfica de transferencia característica
V E E
V in
( s a t)
V o
_
I
Q
( c u t o f f )
2
<
>
I
V C C
2
1
+ V c e ( s a t)
<
Q
<
Q
V c e ( s a t)
Q 1
( s a t)
( c u t o f f )
ilustrada en la figura (actualmente, la
salida no llega a ser cero por Vin≈ VBE(cut
in) = Vr ≈ 0,5 V. Sin embargo, la
corriente en el transistor es tan
pequeña que el voltaje de salida es
despreciable).La distorsión de cruce puede ser virtualmente eliminada aplicando un
voltaje de polarización V > 2 Vr entre las dos bases, de forma que una
pequeña corriente existe en los transistores en estado de reposo.
D 2
D 1
_ V E E
+
>
V C C
Q 2
+
R L
Q 1
Ib ia s
IL
V o u t
_
V in
Una técnica común es emplear un par de diodos
conectados en serie(PN) como se ve en la figura.
Es común fabricar lo diodos D1 y D2 con BJT’s
conectados como diodos. La característica de
transferencia se muestra en la figura del
siguiente cuadro, en la cual vemos que la
distorsión de cruce es virtualmente eliminada.
4. Sin embargo la característica no pasa por el origen, y con Vin = 0, VO ≠ 0.
V c e ( s a t)+
_
V in
V c e ( s a t)
<
- V b e 2
V C C
<
V o
V E E
Recordando que Vin se obtiene de una etapa
cambiadora de nivel, obtuvimos VO = 0 con una
señal de entrada cero en el valor de reposo Vin ≈
- VBE2.
El circuito de la figura siguiente es también
usado para eliminar la distorsión de cruce, el
bloque llamado V es un multiplicador VBE y es
usado en lugar de los diodos D1 y D2 de la figura del cuadro anterior.
V in
Q 1
+
V C C
R
R
+
_
>
Q 2
IL
_
V o u t
V E E
R L
V
El voltaje de salida de este bloque es diseñado
para aplicar aproximadamente 1,1 V entre las dos
bases. Entonces ambos Q1 y Q2 están conduciendo
ligeramente bajo de las condiciones de reposo.
Las etapas de las salidas de las figuras del cuadro
anterior y la del lado derecho son ambas
empleadas por fabricantes comerciales de
amplificadores operacionales del tipo del 741. La
configuración básica de la etapa de salida se
muestra en la figura del cuadro siguiente.
5. Los transistores Q14 y Q20 forman el emisor
seguidor complementario. Las pequeñas
resistencias R6 y R7 proveen un límite a la
corriente de salida.
El par Darlington Q18 y Q19 son usados en lugar
de lo dos diodos D1 y D2. Este arreglo es más
favorable que los dos diodos al conectar los
BJT’s en serie, como el par Darlington que se
pueden fabricar en un área pequeñísima.
R 6
Q 1 8
Q 1 3 B
+
Q 1 9
V o R LR 7
- V E E
Q 1 4
_
+
Q 1 3 A
Q 2 3
V C C
4 0 K
Q 2 0
6. Los transistores Q14 y Q20 forman el emisor
seguidor complementario. Las pequeñas
resistencias R6 y R7 proveen un límite a la
corriente de salida.
El par Darlington Q18 y Q19 son usados en lugar
de lo dos diodos D1 y D2. Este arreglo es más
favorable que los dos diodos al conectar los
BJT’s en serie, como el par Darlington que se
pueden fabricar en un área pequeñísima.
R 6
Q 1 8
Q 1 3 B
+
Q 1 9
V o R LR 7
- V E E
Q 1 4
_
+
Q 1 3 A
Q 2 3
V C C
4 0 K
Q 2 0