La etapa de salida de un amplificador operacional típicamente usa un emisor seguidor complementario para proveer una gran oscilación de voltaje de salida y baja resistencia de salida. Sin embargo, esto introduce distorsión de cruce que puede eliminarse aplicando un voltaje de polarización entre las bases usando diodos o un multiplicador VBE. Fabricantes comerciales usan configuraciones similares con transistores Darlington en lugar de diodos.

1. Etapa de salida
de un Amplificador operacional
La etapa de salida de un amplificador
operacional debe ser capas de
alimentar la corriente a la carga externa
y tener una resistencia de salida baja.

2. La etapa de salida de un amplificador operacional debe proveer también una
gran oscilación de voltaje de salida, idealmente, el voltaje de salida pico a
pico puede aproximarse al total de la fuente de voltaje VCC + VEE.
Una configuración común para la etapa de salida + VCC
que posea estas características es un seguidor
emisor complementario como en la figura. Q1
IL
Si la señal de entrada se hace positiva, el transistor >
Q1 NPN actúa como una fuente de corriente para la V in +
Q 2 R L V_ o u t
carga RL y el transistor Q2 PNP está cortado.
Alternativamente, si Vin llega a ser negativo, Q1 está _VEE
cortado y Q2 actúa como un sumidero para
remover de la carga, eso es decrece IL. Entonces, si Vin es una sinusoide,
la corriente
Q1 impulsa la carga durante los medios ciclos positivos y Q2 actúa durante los
medios ciclos negativos.
Como cada transistor está conduciendo sólo medio tiempo, el voltaje de
salida oscila el doble valor del que puede ser logrado por una etapa simple
emisor seguidor.
Hay una dificultad fundamental en el circuito de la figura siguiente porque

3. el voltaje de salida se mantiene virtualmente en cero hasta que VV = VBE(on).
Este fenómeno se conoce como distorsión de cruce y se observa en la
gráfica de transferencia característica Vo
<
_V CC Q 1 ( s a t)
ilustrada en la figura (actualmente, la V c e ( s a t)
salida no llega a ser cero por Vin≈ VBE(cut I > Q 2 (c u t o ff)
<
in) = Vr ≈ 0,5 V. Sin embargo, la Q 1 ( c u t o f f )< I V in
corriente en el transistor es tan V E E + V c e ( s a t)
Q 2 ( s a t)
pequeña que el voltaje de salida es
despreciable). cruce puede ser virtualmente eliminada aplicando un
La distorsión de
voltaje de polarización V > 2 Vr entre las dos bases, de forma que una
pequeña corriente existe en los transistores en estado de reposo.
+VC C
Una técnica común es emplear un par de diodos
conectados en serie(PN) como se ve en la figura. Ib ia s
Es común fabricar lo diodos D1 y D2 con BJT’s Q 1
D1
conectados como diodos. La característica de IL
V in >
transferencia se muestra en la figura del D2 +
siguiente cuadro, en la cual vemos que la Q 2 RL V out
_
distorsión de cruce es virtualmente eliminada. _ VEE

4. Sin embargo la característica no pasa por el origen, y con Vin = 0, VO ≠ 0.
Vo Recordando que Vin se obtiene de una etapa
<
V c e ( s a t) _ V C C cambiadora de nivel, obtuvimos VO = 0 con una
- V be2 < señal de entrada cero en el valor de reposo Vin ≈
V in
V E E + V c e ( s a t)
- VBE2.
El circuito de la figura siguiente es también
usado para eliminar la distorsión de cruce, el
bloque llamado V es un multiplicador VBE y es
usado en lugar de los diodos D1 y D2 de la figura del cuadro anterior.
+VCC
El voltaje de salida de este bloque es diseñado
para aplicar aproximadamente 1,1 V entre las dos Q1
bases. Entonces ambos Q1 y Q2 están conduciendo
ligeramente bajo de las condiciones de reposo. R
IL
>
Las etapas de las salidas de las figuras del cuadro V
+
anterior y la del lado derecho son ambas R RL V out
_
empleadas por fabricantes comerciales de
V in
amplificadores operacionales del tipo del 741. La Q2
configuración básica de la etapa de salida se _VEE
muestra en la figura del cuadro siguiente.

5. Los transistores Q14 y Q20 forman el emisor +V C C
seguidor complementario. Las pequeñas Q13A
Q13B
resistencias R6 y R7 proveen un límite a la Q14
corriente de salida. Q18
El par Darlington Q18 y Q19 son usados en lugar Q19 R6
de lo dos diodos D1 y D2. Este arreglo es más 40 K
+
R7 Vo
favorable que los dos diodos al conectar los _
RL
Q23
BJT’s en serie, como el par Darlington que se
Q20
pueden fabricar en un área pequeñísima.
- VEE