Este documento presenta nueve problemas relacionados con el análisis y diseño de circuitos con transistores JFET. Los problemas cubren temas como el cálculo de la resistencia variable del dispositivo RDS, el diseño de circuitos para lograr ciertos valores de corriente y tensión, y el análisis de circuitos con múltiples transistores JFET. Las soluciones proporcionadas incluyen ecuaciones, valores numéricos y gráficos.

1. 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN
(/(75Ï1,$%È6,$
241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGU('6

2. ','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6
(/(75Ï1,$%È6,$
3UREOHPD
D

3. Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión
en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L,
demostrar que:
L N 9 Y Y ,
Y
9
Y
9S '66
S SW
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4. , para ( @ Y@ 9S

5. '66S
,9NL ˜
, para YJ 9S

6. E