4 ejercicios jfet

1. 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN (/(75Ï1,$%È6,$ 241$.'/#5 FGVTCPUKUVQTGU('6

2. ','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6 (/(75Ï1,$%È6,$ 3UREOHPD D

3. Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L, demostrar que: L N 9 Y Y , Y 9 Y 9S '66 S SW ˜ ˜ § © ¨¨ · ¹ ¸¸ § © ¨¨ · ¹ ¸¸ ª ¬ « « º ¼ » »

4. , para ( @ Y@ 9S

5. '66S ,9NL ˜ , para YJ 9S

7. Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del transistor JFET está estrangulado. 6ROXFLyQ E

8. R'6 f 3UREOHPD Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se aplica al dispositivo una tensión VDS pequeña. Demostrar que el valor de la resistencia variable del dispositivo rDS es: ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § ˜˜ S *6 S S ' '6 '6 9 9 9. 9 , 9 U Hallar el rango de valores de rDS que se obtienen variando VGS desde 0 hasta 0.9Vp , suponiendo que Vp =-4V e K=1mA/V2 . 6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:

9. 3UREOHPD En el circuito de la figura, hallar el valor de RD , RS , RG1 y RG2 de forma que el valor de la corriente de drenador sea ID =IDSS /2 y que la tensión en RD , RS y entre los terminales drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que IDSS =8mA, Vp =-2V y que la corriente a través del divisor de tensión es de 1PA. VDD= 15V RG2 RS RG1 RD 6ROXFLyQ 5' N:56 N:5* 0:5* 0: 3UREOHPD En el circuito de la figura, hallar el valor de RD , R1 y R2 , de forma que VDS =6V, VA =1V, RA =R1 // R2 = 54.5k:, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor JFET canal n son IDSS =10mA y Vp =-3.8V, y que en el circuito VDD =15V, RS =1k: y R3 =3.3M:. VDD R2 RS R1 RD R3 A 6ROXFLyQ 5' N:5 N:5 N:

10. 3UREOHPD Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas características se muestran en la figura F1 , en el punto de trabajo VGS =-1.5V, VDS =6V. D

11. Hallar el valor de RD , RS , RG1 y RG2 , sabiendo que RG =RG1 // RG2 = 90k: y que VG =1.5V. E

12. Trazar la recta de carga estática, indicando el valor de su pendiente. VDD= 15V RG2 RS RG1 RD 9$ 9

13. , P$

14. VGS= -1.0V VGS= -0.5V VGS= -2.0V VGS= -1.5V figura F1 6ROXFLyQ D

15. 5' N:56 N:5* N:5* N: 3UREOHPD D

16. En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos parámetros característicos son Vp =-5V e IDSS =12mA. Hallar el valor de ID y VDS teniendo en cuenta que VDD =18V, RS =2k:, RD =2k:, RG1 =400k:, RG2 =90k:. E

17. Si se cambia la resistencia RG2 , ¿cuál debe ser el nuevo valor de RG2 si ID =8mA? F

18. Con los mismos valores dados para al apartado D

19. , pero cambiando el valor de VDD , hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID =8mA. ¿Cuál es el nuevo valor de VDS ? G

20. El circuito del apartado D

21. se emplea para obtener una corriente de drenador ID =2.5mA y una tensión drenador-fuente VDS =17.5V con una fuente de tensión VDD =30V. Hallar el valor de RG1 , RG2 y RD teniendo en cuenta que RG =RG1 // RG2 t 100k: y RS =1.2k:. VDD RG2 RS RG1 RD 6ROXFLyQ D

22. ,' P$9'6 9E

23. 5* N:F

24. VDD =82.116V. VDS =50.116VG

25. 5' N:

26. 5* 0:5* N: 3UREOHPD En el circuito de la figura, VDD =15V, VSS =-9V, RG =100k:, RD =3.3k: y RS =6.8k:, y los parámetros característicos del transistor JFET de canal n, son IDSS =5mA y Vp =-6V. Hallar: D

27. Valor de V0 si VGG =0V. E

28. Valor de V0 si VGG =5V. F

29. Valor de VGG para que V0 =0V. VDD RD RG RS VSS VGG VO 6ROXFLyQ D

30. 92 9 E

31. 92 9 F

32. 9** 9 3UREOHPD El transistor de la figura es un JFET canal p con IDSS =1mA y Vp =1V. Determinar el valor de la tensión de drenador VD , teniendo en cuenta que VDD =-12V, RD =47k:, RS1 =5.6K:, RS2 =3.3k: y RG =1M:. VDD RD RG RS1 RS2 6ROXFLyQ 9' 9

33. 3UREOHPD Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q1 y Q2 estén trabajando en modo activo, es necesario que se cumpla que: ,'56 J_9S_ 9'','5' J _9S_ Asumiendo que los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q1 y Q2 son idénticos, y que VDD =10V, |Vp |=2V e IDSS =4mA, hallar el valor de RS y RD de forma que: D

34. VDG1 =|Vp | y VDG2 =2|Vp |. E

35. VDG1 =1.5|Vp | y VDG2 =1.5|Vp |. VDD RD RS Q2 Q1 6ROXFLyQ D

36. 5' N:56 N: E

37. 5' N:56 N:

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