El documento describe diferentes tipos de diodos, incluyendo diodos semiconductores, diodos de vacío, diodos rectificadores, diodos láser y diodos fotovoltaicos. Explica que los diodos permiten el paso de corriente en una sola dirección y se usan comúnmente como rectificadores. También proporciona especificaciones y aplicaciones de varios diodos populares.

1. DiodosFISICA ELECTRONICA

2. DIODO
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de
la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de
vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es
un tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones:
por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia
eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa
de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De
Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodosrodeados de vacío en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

3. FICHA TÉCNICA DE 5 DIODOS

4. • Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación
como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan
elevadas temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy
baja y la corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se
pueden construir diodos de pequeñas dimensiones para potencias
relativamente grandes, desbancando así a los diodos termoiónicos desde
hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes
de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y microscopios
electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de
alimentación se utilizan los diodos formando configuración en puente (con
cuatro diodos en sistemas monofásicos), o utilizando los puentes integrados
que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de
diseño de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos
diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se
emplean encapsulados de plástico. Por encima de este valor el encapsulado
es metálico y en potencias más elevadas es necesario que el encapsulado
tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo a
disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los
puentes de diodos integrados.

5. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402
• Voltaje reverso máximo recurrente
máximo (VRRM): 200V
• Voltaje máximo del RMS (VRMS): 140V
• Voltaje de bloqueo de la C.C. del máximo
(VDC): 200V
• Corriente adelante rectificada media
máxima (IO): 3A
• Sobretensión delantera máxima (IFSM):
200A
• Corriente reversa de la C.C. del máximo
(IR): 5µA
• Gama de temperaturas de
funcionamiento: -65°C a +175°C
• Tipo sin plomo
• RoHS obediente
• Propósito-tipo general

6. •Diodo Rectificador 3A 1000V
(DIODO 3A)
•1N5408 Equivale al
ECG5809 = NTE5809
•Encapsulado DO-201AD

7. • Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un
diodo rectificador sin embargo, su tensión de umbral, se encuentra
entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo.
• Color
• Tensión en directo
• Infrarrojo  1,3v
• Rojo  1,7v
• Naranja  2,0v
• Amarillo  2,5v
• Verde  2,5v
• Azul  4,0v

8. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW
• Corriente delantera máxima: 400ma
• Longitud de onda: 808nm, 980nm,
405nm, 445nm, 635nm, 650nm
• Voltaje delantero máximo: 2.4v
• Energía: 50mw, 100mw, 250mw,
300mw, 3000mw, 5000mw
• potencia: 50mw, 100mw, 250mw,
300mw, 3000mw

9. DIODO 50w de alta potencia led/diodo
• De energía: 50 vatios
• El modelo no.:Lsp-520cwsa-g45-ac5b-
bht-55
• Voltaje de funcionamiento: 31~35 v
• Corriente de trabajo: 1500 ma
• Temperatura de color: 5500~6500 k
• Lúmenes: 4000~4500 lm
• El ángulo de visión: 100~120 deg
• Medio ambiente de trabajo:- 20& deg;
c~+80& deg; c
• Duración de la vida: @& @50, hrs 000

10. DIODO 3V
• Corriente delantera máxima: 350ma
• temperatura de color: 2700-3200k
• voltaje hacia
• el ángulo de visión: 120 grado
adelante: 3.0-3.6v
• Voltaje delantero máximo: 3.6v
• lumious flujo: 110-120ml
• el consumo de energía: 1w

11. DIODO ZENER HOJA DE DATOS
• máximo típico de coeficiente de
temperatura& delta; vbr = 0.1% x
• Vbr@25& deg; c x& delta; tç
• pasivado chip unión p600 en el paquete
• 5000w pico del pulso en capadility 10&
veces; 1000& mu; s de forma de onda, la
repetición
• Tasa de( ciclos de trabajo): 0.01%
• rápido tiempo de respuesta: por lo general
menosde1.0ps de 0 voltios a bv min
• ir menos de 5& mu; por encima de un 12v
• de alta temperatura de soldadura garantiza:
260& deg; c/40 segundos/
0.375& y rdquo;,( 9.5mm) plomo longitud, 5
libras.,( 2.3kg) la tensión
de inflamabilidad

12. • Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN,
sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polarizarán inversamente, con lo que
producirán una cierta circulación de corriente cuando sean excitados
por la luz. Debido a su construcción se comportan como células
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensión exterior, generan una
tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de
luminosidad mayores a las células fotoeléctricas. Actualmente, y en
muchos circuitos estás últimas se están sustituyendo por ellos,
debido a la ventaja anteriormente citada.

13. • Tipo de embalaje: con plomo
• Paquete forma: T-1 ¾
• Dimensiones (mm): Ø 5
• Área de Radiant sensible (en mm2): 0,78
• Conduce con stand-off
• Sensibilidad radiante de alta
• Horario de bloqueo de filtro adaptado con
870 nm a 950 nm emisores
• Ancho de banda de alta:> 100 MHz a VR =
12 V
• Tiempos de respuesta rápidos
• Ángulo de media sensibilidad: φ = ± 20 °
• Cumple con la directiva RoHS 2002/95/CE
y en conformidad con WEEE 2002/96/CE