PUT 
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al 
del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su 
configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más 
flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la 
frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC. 
EL SIMBOLO DEL PUT 
Funcionamiento[editar] 
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT 
permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El 
apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de 
sostenimiento. 
Conexión típica del PUT 
Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se
realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción 
del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como 
oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación 
mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el 
caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al 
modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el 
voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo 
excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el 
dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la 
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB. En general Rk 
está limitado a un valor por debajo de 100 ohm. 
Gráficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta 
Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2) 
Para tener un diseño exitoso, la corriente de ánodo, que la llamaremos I, debe estar entre las 
corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilará. Por ello, se debe tener cuidado al 
diseñar la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentación, ya que estos parámetros 
modifican directamente los valores de corriente ya mencionados. 
Aplicaciones[editar] 
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para 
disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les 
permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de 
capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en 
circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un pr oceso 
de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos 
deconmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de 
la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de 
capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.
Programable Unijunction Transistores (PUT) Información 
Programable Unijunction Transistores (PUT) Información 
Transistores uni-unión programables (PUT) son tiristores de tres terminales que se 
desencadenan en la conducción cuando la tensión en el ánodo excede la tensión en la puerta. 
El PUT es similar a la UJT, pero su relación de reserva intrínseca se puede ajustar por dos 
resistencias externas. Por lo tanto, se utiliza el nombre "programable". Un PUT es una versión 
más avanzada de un transistor monounión (UJT). En una Unijunction transistor programable, 
características de funcionamiento tales como la resistencia de base a base, tensión intrínseca 
enfrentamiento, corriente valle, y la corriente de pico se pueden programar mediante el 
establecimiento de los valores de dos resistencias externas. Las solicitudes de transistores 
monounión programables (PUT) incluyen disparadores tiristores, osciladores, pulso y circuitos 
de sincronización, con frecuencias de hasta 10 kHz. Un circuito integrado puede incluir no sólo 
un chip de circuito integrado, sino también un circuito de transistor, tal como un transistor 
Unijunction programable. 
Especificaciones 
Las especificaciones de rendimiento de los transistores monounión programables (PUT) 
incluyen pico de corriente (con RG de 10K ohmios y 1M ohmios), actual valle (con RG de 10K 
ohmios y 1M ohmios), tensión directa puerta a cátodo, de puerta a cátodo inversa voltaje, de 
puerta a ánodo tensión inversa, ánodo a cátodo voltaje, corriente de pico no repetitivo hacia 
adelante, corriente directa repetitivo pico, corriente directa de pico repetitiva, DC corriente de 
ánodo hacia adelante, puerta en DC, la disipación de energía, temperatura de 
almacenamiento, de funcionamiento temperatura de la unión. Transistores monounión 
programables (PUT) pueden ser empaquetados individualmente o en empaque estándar para 
los requisitos de alto volumen, tales como equipos de inserción automática. 
Transistores monounión programables (PUT) que los Estados Unidos cumplan con las 
especificaciones militares (MIL-SPEC) se fabrican de acuerdo a las normas que se describen
en la norma MIL-STD-750 (Método de prueba estándar para Dispositivos Semiconductores) y 
MIL-HDBK-6100 (Manual Militar, Lista de Caso Contornos y Dimensiones para 
semiconductores discretos dispositivos). Al igual que otros componentes hechos de material 
semiconductor, transistores monounión programables (PUT) que se comercializan en la Unión 
Europea las naciones (UE) deben estar fabricados de conformidad con la restricción de 
sustancias peligrosas (RoHS) y las directivas sobre residuos de aparatos eléctricos y 
electrónicos (RAEE). RoHS exige a todos los fabricantes de equipos eléctricos y electrónicos 
vendidos en Europa para demostrar que sus productos contienen niveles sólo mínimas de las 
siguientes sustancias peligrosas: plomo, mercurio, cadmio, cromo hexavalente, bifenilos 
polibromados y éteres difenil polibromados. RoHS entrará en vigencia el 1 de julio de 2006. 
Por definición, los dispositivos sin plomo contienen menos de 1.000 ppm de plomo en peso.

PUT

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    PUT El PUTes un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC. EL SIMBOLO DEL PUT Funcionamiento[editar] Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento. Conexión típica del PUT Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se
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    realiza cuando lapuerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB. En general Rk está limitado a un valor por debajo de 100 ohm. Gráficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2) Para tener un diseño exitoso, la corriente de ánodo, que la llamaremos I, debe estar entre las corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilará. Por ello, se debe tener cuidado al diseñar la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentación, ya que estos parámetros modifican directamente los valores de corriente ya mencionados. Aplicaciones[editar] El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un pr oceso de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos deconmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.
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    Programable Unijunction Transistores(PUT) Información Programable Unijunction Transistores (PUT) Información Transistores uni-unión programables (PUT) son tiristores de tres terminales que se desencadenan en la conducción cuando la tensión en el ánodo excede la tensión en la puerta. El PUT es similar a la UJT, pero su relación de reserva intrínseca se puede ajustar por dos resistencias externas. Por lo tanto, se utiliza el nombre "programable". Un PUT es una versión más avanzada de un transistor monounión (UJT). En una Unijunction transistor programable, características de funcionamiento tales como la resistencia de base a base, tensión intrínseca enfrentamiento, corriente valle, y la corriente de pico se pueden programar mediante el establecimiento de los valores de dos resistencias externas. Las solicitudes de transistores monounión programables (PUT) incluyen disparadores tiristores, osciladores, pulso y circuitos de sincronización, con frecuencias de hasta 10 kHz. Un circuito integrado puede incluir no sólo un chip de circuito integrado, sino también un circuito de transistor, tal como un transistor Unijunction programable. Especificaciones Las especificaciones de rendimiento de los transistores monounión programables (PUT) incluyen pico de corriente (con RG de 10K ohmios y 1M ohmios), actual valle (con RG de 10K ohmios y 1M ohmios), tensión directa puerta a cátodo, de puerta a cátodo inversa voltaje, de puerta a ánodo tensión inversa, ánodo a cátodo voltaje, corriente de pico no repetitivo hacia adelante, corriente directa repetitivo pico, corriente directa de pico repetitiva, DC corriente de ánodo hacia adelante, puerta en DC, la disipación de energía, temperatura de almacenamiento, de funcionamiento temperatura de la unión. Transistores monounión programables (PUT) pueden ser empaquetados individualmente o en empaque estándar para los requisitos de alto volumen, tales como equipos de inserción automática. Transistores monounión programables (PUT) que los Estados Unidos cumplan con las especificaciones militares (MIL-SPEC) se fabrican de acuerdo a las normas que se describen
  • 4.
    en la normaMIL-STD-750 (Método de prueba estándar para Dispositivos Semiconductores) y MIL-HDBK-6100 (Manual Militar, Lista de Caso Contornos y Dimensiones para semiconductores discretos dispositivos). Al igual que otros componentes hechos de material semiconductor, transistores monounión programables (PUT) que se comercializan en la Unión Europea las naciones (UE) deben estar fabricados de conformidad con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS) y las directivas sobre residuos de aparatos eléctricos y electrónicos (RAEE). RoHS exige a todos los fabricantes de equipos eléctricos y electrónicos vendidos en Europa para demostrar que sus productos contienen niveles sólo mínimas de las siguientes sustancias peligrosas: plomo, mercurio, cadmio, cromo hexavalente, bifenilos polibromados y éteres difenil polibromados. RoHS entrará en vigencia el 1 de julio de 2006. Por definición, los dispositivos sin plomo contienen menos de 1.000 ppm de plomo en peso.