Los semiconductores intrínsecos son materiales puros sin impurezas que pueden comportarse como conductores o aislantes dependiendo de factores como la temperatura. Los semiconductores dopados son materiales intrínsecos a los que se les ha agregado pequeñas cantidades de impurezas, lo que genera un exceso de electrones (tipo N) u huecos (tipo P) que los hacen más conductores. El silicio y el germanio son los semiconductores más usados en la electrónica moderna.

1. ESTUDIANTE: JOEL ALEXANDER QUISPE ALTAMIRANO

2. SEMICONDUCTORES
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relacionada con los semiconductores.
a) Infórmate 1
b) Infórmate 2
 Realiza una presentación en Power Point sobre los semiconductores intrínsecos y los
semiconductores dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en:
www.slideshare.net
 Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.
Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de información de
donde has obtenido las imágenes. Esto demostrará que has realizado una buena
investigación.

3. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo
de diversos factores , como por Ejem: el
campo eléctrico o magnético , la presión ,la
radicación que le incide ,o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre .los
elementos químicos semiconductores de la
tabla periódica se indican en la tabla
adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el
segundo el germanio .posteriormente se ha
comenzado a emplear también el azufre .la
características común a todos ellos es que
son tetralentes ,teniendo el silicio una
configuración electrónica s2 p2.

4. IIIA IVA VA
B C N
IIB AI Si P
Zn Ga Ge As
Cd In Sn Sb
Hg Ti Pb Bi
Semiconductores de la tabla periódica química
Semiconductores

8. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura . En ese
caso , la calidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida sea igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conclusión

9. Semiconductores intrínsecos :
Como se puede observar en la induración
, en el caso de los semiconductores el
espacio correspondiente a la banda
prohibida es mucho mas estrecho en
comparación con los materiales aislantes .
La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para
saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1eV aproximadamente
.en los semiconductores de silicio (SI),la
energía de salto de banda requerida por
los electrones es de 1,21 eV, mientras que
en los de germanio(Ge)es de 0,785eV.

10. Semiconductor intrínsecos:
Estructura cristalina de u
semiconductor intrínseco compuesta
solamente por átomos de silicio (si)
que forman una celosía ,como se
puede observar en la ilustración ,los
átomos de silicio (que solo poseen
cuatro electrones en la ultima orbita o
banda de valencia ), se unen
formando enlaces covalentes para
completar 8 electrones y crear así un
cuerpo solido semiconductor .en esos
condiciones el cristal de silicio se
comportara igual que si fuera un
cuerpo aislante

11. Semiconductores dopados:
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia
en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña
cuando se agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice
que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos
(en el orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje
es alto o pesado .este dopado pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten
la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los
átomos de este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan
electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de
esta forma , no se han desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el
átomo introducido al semiconductor original ). Finalmente , existieran
mas electrones que huecos ,por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarias y los últimos los minoritarios . La calidad de
portadores mayoritarios será funciones directa de la calidad de átomos
de impureza introducidos.

12. Semiconductores dopado:
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el
fosforo (dopaje N). En el caso del
fosforó ,se dona un electrón

13. Semiconductores dopados :
Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten
formación de huecos sin que aparescan electrones asociados a los
mismos , como ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este
tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman un electrón .
Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio ,el indio o el galio
.nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo
tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá una
ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de los átomos
próximos ,generando finalmente mas huecos que electrones , por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios

14. Dopantes :
Tipo P:
Un ejemplo de dopaje de
silicio por el boro (P dopaje
). En el caso del boro le falta
un electrón y ; por tanto .es
donado un hueco de
electrón.

15. INFORMACION:
 http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
 Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
 http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
 http://es .wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos
 http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto
 http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29