1. Se dice que un semiconductor es “intrínseco”
cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo
dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida será igual a
la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conducción.
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2. Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a la banda
prohibida es mucho más estrecho en comparación con los
materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la banda de
valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente.
En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de
banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras
que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.
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3. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,
compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia), se unen formando
enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así
un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el
cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo
aislante.
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4. El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a
cualquier temperatura por encima del cero absoluto, existe
una probabilidad finita de que un electrón en la red sea
golpeado y sacado de su posición, dejando tras de sí una
deficiencia de electrones llamada "hueco“. Si se aplica
un voltaje, entonces tanto el electrón como el hueco pueden
contribuir a un pequeño flujo de corriente.
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5. La conductividad de un semiconductor puede ser modelada
en términos de la teoría de bandas de sólidos. El modelo de
banda de un semiconductor sugiere que, a temperaturas
ordinarias hay una posibilidad finita de que los electrones
pueden alcanzar la banda de conducción, y contribuir a la
conducción eléctrica. El término intrínseco aquí, distingue
entre las propiedades del silicio puro "intrínseco", y las
propiedades radicalmente diferentes del semiconductor
dopado tipo n o tipo p.
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7. La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red
cristalina regular de silicio o germanio, produce unos cambios
espectaculares en sus propiedades eléctricas, dando lugar a los
semiconductores de tipo n y tipo p.
Impurezas pentavalentes
Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo n, por la contribución de electrones
extras.
SEMICONDUCTORES
DOPADOS
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8. La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en
la red cristalina regular de silicio o germanio, produce unos
cambios espectaculares en sus propiedades eléctricas,
dando lugar a los semiconductores de tipo n y tipo p.
Impurezas pentavalentes:
Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo n, por la contribución de electrones extras.
Impurezas trivalentes: Los átomos de impurezas con 3 electrones de
valencia, producen semiconductores de tipo p, por la producción de un
"hueco" o deficiencia de electrón.
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9. es.wikipedia.org

10. www.sc.ehu.es

11. GRACIAS POR SU
ATENCIÓN
RAUL MEJIA