TRANSISTORES
Por: Juan Alberto Humpire Jáuregui
TIPOS DE TRANSISTORES
3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión (Jfet O Fet)
3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido (Mosfet)
1-Transistor de contacto puntual
2-Transistor de unión bipolar
3-Transistor de efecto de campo
4. Fototransistor
1-Transistor de contacto puntual - Descripción
El transistor. Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo
principio de funcionamiento se basa en la Física de los
Semiconductores. Este cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
1-Transistor de contacto puntual – Ficha Técnica
1-Transistor de contacto puntual – Ficha Técnica
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales.
Un transistor de unión bipolar
consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región
del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y
tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y
tipo N en un transistor NPN. Cada
región del semiconductor está
conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector
(C), según corresponda.
2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base
y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según
corresponda.
2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
2-Transistor de Unión Bipolar – Ficha Técnica
3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión (Jfet O Fet)
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo
de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el
caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S
(fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará
una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Transistor JFET interruptor canal N en
montaje superficial SOT23 MMBF4117
3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión – Ficha Técnica
3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido - Descripción
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(MOSFET). Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial están basados en transistores MOSFET.
3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido – Ficha Técnica
4. FotoTransistor - Descripción
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz,
normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de
base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conducción. El fototransistor es más
sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
4. FotoTransistor - Descripción
Materiales utilizados en la construcción de
un fotodiodo para su utilización
4. FotoTransistor - Descripción
4. FotoTransistor – Ficha Técnica
FIN

Transistores

  • 1.
  • 2.
    TIPOS DE TRANSISTORES 3.1.Transistor de Efecto Campo de Unión (Jfet O Fet) 3.2. Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido (Mosfet) 1-Transistor de contacto puntual 2-Transistor de unión bipolar 3-Transistor de efecto de campo 4. Fototransistor
  • 3.
    1-Transistor de contactopuntual - Descripción El transistor. Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de funcionamiento se basa en la Física de los Semiconductores. Este cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
  • 4.
    1-Transistor de contactopuntual – Ficha Técnica
  • 5.
    1-Transistor de contactopuntual – Ficha Técnica
  • 6.
    El transistor deunión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda. 2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
  • 7.
    Un transistor deunión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda. 2-Transistor de Unión Bipolar – Descripción
  • 8.
    2-Transistor de UniónBipolar – Ficha Técnica
  • 9.
    3.1. Transistor deEfecto Campo de Unión (Jfet O Fet) El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
  • 10.
    Transistor JFET interruptorcanal N en montaje superficial SOT23 MMBF4117 3.1. Transistor de Efecto Campo de Unión – Ficha Técnica
  • 11.
    3.2. Transistor deEfecto Campo Metal-Oxido - Descripción Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET). Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
  • 12.
    3.2. Transistor deEfecto Campo Metal-Oxido – Ficha Técnica
  • 13.
    4. FotoTransistor -Descripción Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
  • 14.
    4. FotoTransistor -Descripción Materiales utilizados en la construcción de un fotodiodo para su utilización
  • 15.
    4. FotoTransistor -Descripción
  • 16.
    4. FotoTransistor –Ficha Técnica
  • 17.