FIEE UNAC ELECTRONICA

1. PARAMETROS DEL TRANSISTOR

2. Los parámetros esenciales del transistor de los que
depende su comportamiento son: la resistencia de la
base, la frecuencia de corte de 𝜷 (factor de transporte)
el valor de 𝜸 (eficiencia del emisor) a baja frecuencia y
𝝉 (tiempo de transición de los portadores minoritarios).
En transistores de altas frecuencias, son tres los pa-
rámetros principales que tienen que ser especificados
en el diseño de la región de la base.

3. 1) La concentración de impurezas “No” adyacente al
emisor en la región de la base.
2) La resistencia total en la base, considerando que la
figura de mérito es: 𝑮𝑩𝑾𝑷~
𝟏
𝒓𝒃
𝟏/𝟐
3) La concentración de impurezas "N1” adyacente al
colector en la región de la base.

4. DETERMINACION DE LOS
PARAMETROS DEL TRANSISTOR

5. Se utiliza una distribución general que se muestra en la figura con
las siguientes asunciones:
a) Una geometría unidireccional.
b) Que el grosor de la región de la base sea mayor comparado a
un recorrido promedio libre de los portadores de carga.
c) Que la movilidad de los portadores sea constante.
d) Que la densidad de los portadores minoritarios sea pequeña
comparado con la densidad de portadores mayoritarios.
e) Que la recombinación en la región de la base sea despreciable.

6. Fig. 1.1: Distribución general de donadores y aceptores para un
transistor p-n-p.
N (x) = Densidad de exceso de donadores en la region de la base.
Donde n, es la densidad de electrones, ni es el valor intrínseco
de la densidad de electrones, 𝝓 es el potencial de Fermi y 𝝍 es
el potencial electrostático.

7. • Desde la primera ecuación se obtiene la intensidad de campo
eléctrico creado:
• La densidad de corriente de huecos está dada por:
Up y Dp, son las constantes de movilidad y difusión para huecos en el
material tipo n y p es la densidad de huecos
• La resistencia del área transversal ''R'' de la región de la base está
dado por:
Donde R = resistencia/unidades de sección.
𝝁𝐧 = Movilidad de los electrones.

8. • Para una geometría circular y una distribución uniforme da
impurezas en la base, la resistencia óhmica de la base para la
región activa entre el emisor y el colector es:
• La eficiencia de emisor cd, es definida como:
• El tiempo de transición promedio para huecos, está dado por:
Donde v es la velocidad promedio en la posición x. La velocidad está
relacionada a la corriente Ip por la relación.