El documento proporciona información sobre el silicio. El silicio se encuentra naturalmente en la corteza terrestre en forma de cuarzo y constituye aproximadamente el 14% de la corteza. Aunque no se encuentra en forma pura en la naturaleza, el silicio se descubrió y caracterizó en 1824 y se obtuvo en forma cristalina en 1854 mediante electrólisis. El silicio se utiliza ampliamente hoy en día en la microelectrónica y la industria de los semiconductores, donde se purifica y procesa en

1. el SILICIO
Su majestad

4. ALGUNOS DATOS sobre el Silicio
• No se encuentra en
la naturaleza como
sustancia pura
• Existe en forma de
cuarzo (SiO2 )
• Es el mineral más
abundante en la
corteza terrestre –
presenta unos 14% Temp. fusión 1410° C
Temp. Evapor. 2355° C
Densidad 2.33 g/cm3

5. Descubrimiento del Si
• 1824 el químico
sueco Jons Jacob
Berzelius descubre e
y describe las
propiedades del Si.
• 1811 se obtiene en
forma impura
• 1854 se obtiene el
Si en forma cristalina
mediante electrólisis
A partir de los años
1899 - 1905 el Si se
obtiene en hornos
de arco voltaico

6. Los primeros
ordenadores
EDVAC

7. ENIAC

8. ENIAC

9. El Si para la microelectónica
1. Se obtiene como resultado de la reacción
SiO2 + C  Si + CO2
(grado metalúrgico de la pureza 98% )
2. Para eliminar el resto de las impurezas
SiC + SiO2  3 Si + 2 CO

10. 3. Se calienta hasta unos
1400 ° C, en una cámara de vacío
4. Se enfria con una velocidad
determinada y se obtiene una forma
cilíndrica de 3,8 a 10,2 cm diámetro
5. Se calienta una vez más mediante un
horno de calentación zonal - de tal
manera todas otas impurezas se eliminan
El Si para la microelectónica

11. Se trabaja en condiciones especiales

12. Etapas tecnológicas
• Se corta el cilindro en placas de 0.004 a 0.01
cm
• La superficie se cubre con SiO2 para eliminar la
oxidación posterior
• La superficie se cubre con una placa resistente
a la luz (photoresist)
• Se obtienen los pasos p-n (0.0001 cm) y las
zonas de diferente conductividad
• Se controla a cada paso la concentración de
impurezas

13. Etapas
tecnológicas

14. Se trabaja en condiciones especiales

15. Los métodos utilizados
La difusión (816-1205°C) la sustancia
dopante, en estado gaseoso, se
transporta sobre la superficie de la placa
mediante un gas inerte (Ar) - largas áreas
La implantación de iones - en tubo de
vacío, dos electrodos y iones acelerados
en un campo eléctrico - muy preciso, más
lento que la difusión

18. Etapas tecnológicas

19. Se trabaja en condiciones especiales

28. Лили Самуркова
164 ГПИЕ “М. де Сервантес”, София
2011