Este documento describe un experimento para comprobar el funcionamiento de transistores bipolares de unión (BJT). El objetivo es demostrar cómo depende la corriente de colector (Ic) de la corriente de base (Ib) en la zona activa, y observar el comportamiento en las zonas de corte y saturación. Se realizarán tres montajes experimentales usando un transistor NPN, fuentes de voltaje y resistencias. Se medirán tensiones y corrientes para determinar las zonas de operación y punto de trabajo del transistor.

1. Experiencia : N° 1
Tema : Polarización y zonas de operación del BJT.
Objetivos :
• Comprobar el principio de funcionamiento de los
transistores.
• Demostrar que Ic depende de Ib en la zona activa
del transistor.
• Observar el comportamiento del transistor en las
zonas de corte y saturación.
• Medir el punto Q de operación del transistor.
• Comprobar la importancia de Re para la estabilidad
del transistor.
• Concluir , elaborando informe experimental.
1.- Instrumentos , componentes y materiales :
1.- Tester.
2.- Fuentes DC.
1.- Transistor 2N2222.
1.- Diodo LED rojo.
1.- Protoboard.
1.- Resistencia de 100 Ω.
1.- Resistencia de 470 Ω
1.- Resistencia de 1 KΩ.
2.- Resistencia de 10 KΩ.
1.- Resistencia de 150 KΩ.
1.- Alicates de punta y cortante.
Terminales y alambres de conexión.
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2. 2.- Circuito Experimental :
Circuito experimental N° 1
Circuito experimental N° 2
2

3. Circuito Experimental N° 3
3.- Procedimiento Experimental :
a) Realice el montaje del circuito experimental N° 1 , en el protoboard.
b) Ajuste la tensión VBB (entre 0 Volt y 10 Volt ) y con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor ( VCE ) ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; la corriente en el colector IC (observe la
intensidad luminosa del diodo Led). Tabule las mediciones en la siguiente
tabla :
VBB VRC
[Volt]
VRB
[volt]
VCE
[Volt]
IC
[mA]
0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt
3

4. c) Con los valores de la tabla anterior . Determine el estado o zona en que
está trabajando el transistor (activa, saturación o corte). Justifique.
d) Con los valores de la zona activa de la tabla N° 1, Determine el valor de la
relación Ic / Ib, ¿ A qué parámetro del transistor corresponde dicho valor?.
¿ Cómo es esta relación en cada caso?
e) Explique la variación de valores de la tabla N°1 con el sólo hecho de
calentar el transistor con el cautín
d) Ajuste la tensión VBB , de manera de tener el voltaje en la resistencia Rc un
valor de 1 volt. Varie Vcc a un valor de 12 volt y anote el nuevo valor del
voltaje en la resistencia Rc.
e) Acerque el cautín caliente al transistor por un período de tiempo de 3
segundos y con el multitester mida los voltajes entre colector y emisor VCE ;
el voltaje en la resistencia Rc y observe la intensidad luminosa del diodo
led. Anote las mediciones logradas.
f) Realice el montaje del circuito experimental N° 2 , en el protoboard.
g) Ajuste el voltaje VBB (entre 0 Volt y 12 volt). Con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor VCE ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; el voltaje en la resistencia Re ; la corriente en
el colector IC (observe la intensidad luminosa del diodo led) . Tabule los
datos medidos en la siguiente tabla.
VBB VRC
[Volt]
VRB
[Volt]
VRE
[Volt]
VCE
[Volt]
IC
[mA]
0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt
h) Repita los pasos c) y d) para el circuito experimental N° 2.,Anote los valores
medidos.
i) Explique la razón de las diferencias tan pequeñas de valores en la tabla N°
2 al calentar el transistor con el cautín.
j) Realice en el protoboard , el montaje del circuito N° 3,
k) Mida los valores de IB , VRC , VRE , VBE y VCE.
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5. l) Con los valores medidos , calcule el punto de operación Q del transistor :
VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del
transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.
m) Compare los valores teóricos utilizando el HFE dado por el manual para el
circuito experimental N° 3 y compárelo con los valores obtenidos con el
multitester.
4.-. Cuestionario :
a) ¿ Cómo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?
b) ¿ Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?
c) ¿ Cómo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?
d) ¿ Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es
conocida la corriente de colector ?
e) ¿ De qué depende la corriente de colector ?
f) ¿ Cuáles son las zonas de trabajo del transistor ?
g) ¿ Cómo se debe polarizar un transistor ?
h) ¿ El parámetro HFE varía con la temperatura ?
i) ¿ Qué entiende por estabilidad térmica en el transistor ?
j) ¿ Cómo se puede mejorar la estabilidad térmica del transistor ?
5.- Exigencias del informe :
Desarrolle íntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.
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6. l) Con los valores medidos , calcule el punto de operación Q del transistor :
VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del
transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.
m) Compare los valores teóricos utilizando el HFE dado por el manual para el
circuito experimental N° 3 y compárelo con los valores obtenidos con el
multitester.
4.-. Cuestionario :
a) ¿ Cómo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?
b) ¿ Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?
c) ¿ Cómo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?
d) ¿ Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es
conocida la corriente de colector ?
e) ¿ De qué depende la corriente de colector ?
f) ¿ Cuáles son las zonas de trabajo del transistor ?
g) ¿ Cómo se debe polarizar un transistor ?
h) ¿ El parámetro HFE varía con la temperatura ?
i) ¿ Qué entiende por estabilidad térmica en el transistor ?
j) ¿ Cómo se puede mejorar la estabilidad térmica del transistor ?
5.- Exigencias del informe :
Desarrolle íntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.
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