El documento describe las propiedades del silicio, germanio y galio. El silicio forma una estructura cristalina cúbica centrada en las caras debido a los enlaces covalentes entre sus átomos. Es un semiconductor con punto de fusión muy alto y conducción eléctrica pobre. Se usa en chips, celdas solares y telecomunicaciones. El germanio también es un semiconductor que forma una estructura cúbica centrada en las caras y se utiliza en circuitos integrados, lámparas y paneles solares. El galio tiene una e

2. Estructura, Propiedades y Aplicaciones

3. Al combinarse los átomos
de Silicio para formar un
sólido, lo hacen formando
una estructura ordenada
llamada cristal.
Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las
uniones entre átomos que
se hacen compartiendo
electrones adyacentes de
tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los átomos
de Silicio.
Estructura cristalina:
cúbica centrada en las
caras
Dimensiones de la celda
unidad / pm:
a=543.07
Grupo espacial:
Fd3m

4. PARTICULAS: átomos unidos
en redes de enlaces
covalentes. Estructuras
abiertas, no compactas.
FUERZAS: enlaces
covalentes [más fuertes que
las fuerzas intermoleculares].
PUNTO DE FUSIÓN: muy alto.
CONDUCCIÓN: pobre
[electrones localizados en
los enlaces covalentes].
OTRAS PROP.: muy duros
[abrasivos, material de
corte y molienda].

5. Estructura cristalina
Cúbica centrada en las
caras
Calor específico
700 J/(° K· kg)
Conductividad eléctrica
4.35·10-4 S/m
Conductividad térmica
148 W/(° K· m)
Velocidad del sonido
8433 m/s
a 293,15 K (20 °C)

6.  Chips
 Celdas fotovoltaicas
 Diodos
 Telecomunicaciones y
Sistemas de monitoreo
 Nanotecnología
 Aislante en cercas
eléctricas

7. Estructura, Propiedades y Aplicaciones

8. Al combinarse los átomos
para formar un sólido, lo
hacen formando una
estructura ordenada
llamada cristal.
Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las
uniones entre átomos que
se hacen compartiendo
electrones adyacentes de
tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los átomos.
Estructura cristalina:
cúbica centrada en las
caras
Dimensiones de la celda
unidad / pm:
a=565.754
Grupo espacial:
Fd3m

9. El germanio forma parte de los
metaloides o semimetales.
Este tipo de elementos tienen
propiedades intermedias entre
metales y no metales.
Es un semiconductor.
El estado del germanio en su
forma natural es sólido.
El germanio es un elemento
químico de aspecto blanco
grisáceo y pertenece al grupo
de los metaloides.
El número atómico del
germanio es 32. El símbolo
químico del germanio es Ge.
El punto de fusión del
germanio es de 1211,4 grados
Kelvin o de 938,25 grados
celsius o grados centígrados.
El punto de ebullición del
germanio es de 30,3 grados
Kelvin o de 2819,85 grados
celsius o grados centígrados.

10. Estructura cristalina
Cúbica centrada en las
caras
Calor específico
320 J/(K·kg)
Conductividad eléctrica
1,45 S/m
Conductividad térmica
59,9 W/(K·m)
Velocidad del sonido
5400 m/s
a 293,15 K (20 °C)

11.  Material semiconductor.
Junto al silicio, en los
circuitos integrados de
alta velocidad.
 Lámparas fluorescentes
y algunos diodos LED.
 Transistores de germanio.
 Paneles solares.
 Lentes de las cámaras y
la microscopía.
 Nucleó de Cables de
fibra óptica.

12. Estructura, Propiedades y Aplicaciones

13. Estructura cristalina:
ortorrómbica centrada en
las bases
Dimensiones de la celda
unidad / pm:
a=451.86
b=765.70
c=452.58
Grupo espacial:
Cmca

14. La configuración electrónica
del galio es [Ar]3d10 4s2 4p1.
La configuración electrónica
de los elementos, determina la
forma el la cual los electrones
están estructurados en los
átomos de un elemento.
El radio medio del galio es de
1,0 pm, su radio atómico o
radio de Bohr es de 1,6 pm, su
radio covalente es de 1,6 pm
y su radio de Van der Waals es
de 1,7 pm.
El galio tiene un total de 31
electrones cuya distribución es
la siguiente: En la primera
capa tiene 2 electrones, en la
segunda tiene 8 electrones, en
su tercera capa tiene 18
electrones y en la cuarta, 3
electrones.

15. Estructura cristalina
Ortorrómbica
Calor específico
370 J/(K·kg)
Conductividad eléctrica
6,78 106 S/m
Conductividad térmica
40,6 W/(K·m)
Velocidad del sonido
2740 m/s
a 293,15 K (20 °C)

16.  Dopado de
semiconductores y en la
fabricación de
transistores, diodos,
células solares, etc.
 Diagnóstico y terapia de
tumores óseos.
 Aleaciones.
 Láser.
 Formación de materiales
magnéticos.
 Fabricación de espejos,
vidrios y cerámicas.

17.  http://www.ing.unlp.edu.ar/quimica/documentos/tipos.htm
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema
2/Paginas/Pagina3.htm
 http://es.wikipedia.org/wiki/Silicio
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/sili2.html
 http://es.wikipedia.org/wiki/Germanio
 http://www.electronica.humanet.co/consult/atomogerman.
htm
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/sili2.html
 http://elementos.org.es/germanio
 http://es.wikipedia.org/wiki/Galio
 http://elementos.org.es/galio
 http://www.uam.es/docencia/elementos/spV21/conmarcos/
elementos/ga.html