Este documento resume las características técnicas de cinco transistores diferentes: 2N2222A, 2N5484, 2N6756, HGTP10N40F1D y TIP 32C. El 2N2222A es un transistor de baja potencia para aplicaciones de amplificación y conmutación. El 2N5484 es un JFET. El 2N6756 es un MOSFET de tres terminales. El HGTP10N40F1D es un IGFET, tipo de MOSFET. Y el TIP 32C es un transistor de potencia de la serie TIP para corriente continua

1. TRANSISTORES
AUTOR: ELVIS MELITON SALINAS OLORTEGUI

2. FICHA TÉCNICA DE CINCO
TRANSISTORES DIFERENTES
Las fichas técnica que se presentaran
son de los siguientes transistores:
2N2222A
2N5484
2N6756
HGTP10N40F1D
TIP 32C

3. Al termino de la lectura de
las diapositivas el
participante podrá explicar
las características técnicas
que presentan cada uno de
los transistores y notar sus
diferencias, dada la
información, respectando las
normas de seguridad y el
cuidado del medio
ambiente.

4. EL TRANSISTOR 2N2222A
Sirve tanto para
aplicaciones de
amplificación como de
conmutación. Puede
amplificar pequeñas
corrientes a tensiones
pequeñas o medias;
por lo tanto, sólo puede
tratar potencias bajas
(no mayores de medio
Watts). Puede trabajar
a frecuencias
medianamente altas.

5. EL TRANSISTOR 2N5484 - JFET
El JFET (Junction Field-Effect
Transistor, en español transistor de
efecto de campo de juntura o unión)
es un dispositivo electrónico, esto es,
un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando
unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de efecto
de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas,
en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta),
VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva
característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación.

6. EL TRANSISTOR 2N5484 - JFET
En la zona activa, al permitirse el
paso de corriente, el transistor
dará una salida en el circuito que
viene definida por la propia I D y la
tensión entre el drenador y la
fuente VDS. A la gráfica o ecuación
que relaciona estás dos variables
se le denomina ecuación de
salida, y en ella es donde se
distinguen las dos zonas de
funcionamiento de activa: óhmica
y saturación.

7. EL TRANSISTOR 2N6756 - MOSFET
El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar señales
electrónicas.

8. EL TRANSISTOR 2N6756 - MOSFET
Aunque el MOSFET es un
dispositivo de cuatro terminales
llamadas surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato
(B), el sustrato generalmente está
conectado internamente a la
terminal del surtidor, y por este
motivo se pueden encontrar
dispositivos de tres terminales
similares a otros transistores de
efecto de campo.

9. EL TRANSISTOR HGTP10N40F1D
Un transistor de efecto de campo
de compuerta aislada o IGFET
(Insulated-gate field-effect
transistor) es un término
relacionado que es equivalente a un
MOSFET. El término IGFET es un
poco más inclusivo, debido a que
muchos transistores MOSFET
utilizan una compuerta que no es
metálica, y un aislante de
compuerta que no es un óxido.

10. EL TRANSISTOR HGTP10N40F1D
Las dimensiones más importantes
en un transistor MOSFET son la
longitud del canal (L) y el ancho de
la compuerta (W). En un proceso de
fabricación se pueden ajustar estos
dos parámetros para modificar el
comportamiento eléctrico del
dispositivo.

11. EL TRANSISTOR TIP 32C
 Códigos que comienzan con TIP,
por ejemplo TIP31A
 TIP se refiere al fabricante:
transistor de potencia Texas
Instruments. La letra al final
identifica las
 versiones con diferentes rangos
de voltaje.

12. EL TRANSISTOR TIP 32C
Son transistores de potencia para
corriente continua las cuales pueden
ser NPN o PNP, los tipos NPN son de la
serie impar y los PNP pertenecen a la
serie par seguido de la letra A, B o C
que nos indica la tensión máxima entre
el colector y el emisor, los valores de
estas letras son:
A = 60 v
B = 80 v
C= 100 v