FISICA ELECTRONICA
ALUMNO: DANIEL SANTOS RIOS
COMPAÑIAS QUE VENDEN DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
 AG Electrónica S.A . de C.V Componentes
profesionales.
 AD Electronics S.A.
 Aiko Int.
 A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA.
 ALFALED.
 ASC ELECTRONICA S.A.
http://www.extremetech.com/computing/16
2376-7nm-5nm-3nm-the-new-materials-
and-transistors-that-will-take-us-to-the-
limits-of-moores-law
http://nanotechweb.org/cws/article/tech/45
057
 TRANSISTOR JFET
 TRANSISTOR MOSFET
 FOTOTRANSISTOR
 TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
Es un dispositivo electrónico, esto es, un
circuito que, según unos valores eléctricos
de entrada, reacciona dando unos valores
de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico,
estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Según este valor, la salida del transistor
presentará una curva cara.
 Tiene una resistencia de entrada
extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión cuando se
utiliza como conmutador(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la
radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una
mayor estabilidad térmica
 Constructiva común a todos los tipos de
transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) está formado por una
estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido
es aislante, con lo que la corriente de
puerta es prácticamente nula, mucho
menor que en los JFET. Por ello, los
MOS se emplean para tratar señales de
muy baja potencia
Transistorsef

Transistorsef

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  • 2.
    COMPAÑIAS QUE VENDENDISPOSITIVOS ELECTRONICOS  AG Electrónica S.A . de C.V Componentes profesionales.  AD Electronics S.A.  Aiko Int.  A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA.  ALFALED.  ASC ELECTRONICA S.A.
  • 4.
  • 5.
     TRANSISTOR JFET TRANSISTOR MOSFET  FOTOTRANSISTOR  TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL  TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
  • 6.
    Es un dispositivoelectrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva cara.
  • 7.
     Tiene unaresistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).  No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador(interruptor).  Hasta cierto punto es inmune a la radiación.  Es menos ruidoso.  Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica
  • 10.
     Constructiva comúna todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia